反应，芳基棚酸和芳基面化物在碱性条件下（例如 通过碳酸钟或憐酸钟）彼此反应W形成碳-碳键。所述反应在甲苯和乙醇的混合溶剂中进 行；并且通常在回流下通过使用钮络合物（如四（Ξ苯基麟）钮和乙酸钮与S-Phos(例如 2-二环麟基-2' ,6'-二甲氧基苯基）的组合）作为催化剂来进行。
[0065] 根据反应流程1和2中的布赫瓦尔德-哈特维希反应，芳基胺和芳基面化物在碱 性条件下（例如通过叔下醇钢）彼此反应W形成碳-氮键。所述反应在芳香族有机溶剂 (如甲苯或二甲苯）中进行；并且通常在回流下通过使用钮络合物（如乙酸钮与S-Phos(例 如2-二环麟基-2' ,6'-二甲氧基苯基）的组合）作为催化剂来进行。
[0066] 此外，本发明提供一种包含式1有机电致发光化合物的电致发光材料和一种包含 所述材料的有机电致发光装置。
[0067] 所述材料可W由式1有机电致发光化合物组成。在其它方面，所述材料除式1化 合物之外还可W进一步包含已经包含在有机电致发光材料内的常规化合物。
[0068] 有机电致发光装置可W包含第一电极、第二电极W及至少一个安置在第一电极与 第二电极之间的有机层。有机层可W包含至少一种式1化合物。
[0069] 第一电极和第二电极中的一个可W是阳极，并且另一个可W是阴极。有机层可W 包含发光层，并且可W进一步包含至少一个选自W下的层：空穴注入层、空穴传输层、电子 传输层、电子注入层、夹层、空穴阻挡层W及电子阻挡层。
[0070] 本发明的化合物可W包含在发光层和空穴传输层中的至少一个中。当用于空穴传 输层中时，本发明的化合物可W作为空穴传输材料包含在内。当用于发光层中时，本发明的 化合物可W作为主体材料包含在内。
[0071] 包含本发明化合物的有机电致发光装置除本发明化合物之外还可W进一步包含 至少一种主体化合物。此外，有机电致发光装置可W进一步包含至少一种渗杂剂。
[0072] 在本发明的化合物作为主体材料（第一主体材料）包含在发光层中的情况下，另 一种化合物可W作为第二主体材料包含在内。第一主体材料与第二主体材料之间的重量比 在1:99到99:1的范围内。
[0073] 第二主体材料可W来自已知憐光主体材料中的任一种。具体来说，鉴于发光效率， 选自由下文式2到式4的化合物组成的群组的材料优选作为第二主体材料。
[0074] H-(Cz-L4)h-M似 [00巧]H- (Cz)1-L4-M(3)
[0076]
[0077] 其中，Cz表示W下结构：
[0078]
[007引 R2剧R24各自独立地表示氨、気、面素、被取代或未被取代的（C1-C30)烷基、被取 代或未被取代的（C6-C30)芳基、被取代或未被取代的（3元到30元）杂芳基或R25R26R27Si-;Κζδ到R27各自独立地表示被取代或未被取代的（C1-C30)烷基或被取代或未被取代的 (C6-C30)芳基；L4表示单键、被取代或未被取代的（C6-C30)亚芳基或被取代或未被取代的 巧元到30元）亚杂芳基；Μ表示被取代或未被取代的（C6-C30)芳基或被取代或未被取代 的巧元到30元）杂芳基；Υ郝Υ2各自独立地表示-0-、-S-、-Ν化31)-或-C化2)化3)-，其 条件是Yi和Υ2不存在；R31到R33各自独立地表示被取代或未被取代的（C1-C30)烷基、被取 代或未被取代的（C6-C30)芳基或被取代或未被取代的巧元到30元）杂芳基，R32和R33可 W相同或不同；h和i各自独立地表示1到3的整数；j、k、οW及r各自独立地表示ο到4 的整数；并且在h、i、j、k、o或r是2或更大的整数的情况下，（Cz-La)中的每一个、（Cz)中 的每一个、R21中的每一个、R 22中的每一个、R23中的每一个或R24中的每一个可W相同或不 同。
[0080] 具体来说，第二主体材料包括W下：
[0081]
[0082]
[0083]
[0084] 用于本发明有机电致发光装置的渗杂剂优选地是至少一种憐光渗杂剂。用于本发 明有机电致发光装置的憐光渗杂剂不受限制，但可W优选地选自银（Ir)、饿（Os)、铜（Cu) W及销（Pt)的金属化络合物化合物，更优选地选自银（Ir)、饿（Os)、铜（Cu)W及销（Pt) 的邻位金属化络合物化合物，并且甚至更优选地是邻位金属化的银络合物化合物。
[0085] 憐光渗杂剂可W优选地选自由用下式5到式7表示的化合物组成的群组。
[0086]
[0087] 其中L选自W下：
[0088]
[0089] Ri。。表示氨或被取代或未被取代的（C1-C30)烷基；R1。剧Ricg和R11剧R123各自独 立地表示氨、気、面素、未被取代或被面素取代的（C1-C30)烷基、氯基、被取代或未被取代 的（C1-C30)烷氧基或被取代或未被取代的似-C30)环烷基；或Ri2剧Ri23可W与相邻取代 基连接W形成（3元到30元）单环或多环的脂环或芳香族环（例如哇嘟），其碳原子可W被 至少一个选自氮、氧和硫的杂原子置换；Ri24到Rm各自独立地表示氨、気、面素、被取代或 未被取代的（C1-C30)烷基或被取代或未被取代的（C6-C30)芳基；其中Ri24到Ri27是芳基， 其可W与相邻取代基连接W形成（3元到30元）单环或多环的脂环或芳香族环（例如巧）， 其碳原子可W被至少一个选自氮、氧和硫的杂原子置换；Rwi到Rm各自独立地表示氨、気、 面素或未被取代或被面素取代的（C1-C30)烷基；0和P各自独立地表示1到3的整数；在 0或P是2或更大的整数的情况下，Ri。。中的每一个可W相同或不同；并且q表示1到3的 整数。
[0090] 具体来说，憐光渗杂剂材料包括W下：
[0091]
[0092]
[0093]
[0094]
[0095] 此外，本发明提供一种用于制备有机电致发光装置的组合物。所述组合物可W包 含本发明化合物作为用于空穴传输层的材料。
[0096] 本发明的有机电致发光装置可W包含第一电极、第二电极W及至少一个安置在第 一电极与第二电极之间的有机层。有机层可W包含发光层，所述发光层可W包含用于本发 明有机电致发光装置的组合物。
[0097] 本发明的有机电致发光装置除式1化合物之外还可W进一步包含至少一种选自 由基于芳基胺的化合物和基于苯乙締基芳基胺的化合物组成的群组的化合物。
[0098] 在本发明的有机电致发光装置中，有机层除式1化合物之外还可W进一步包含至 少一种选自由W下组成的群组的金属：周期表的第1族金属、第2族金属、第4周期过渡金 属、第5周期过渡金属、铜系元素W及d-过渡元素的有机金属，或至少一种包含所述金属的 络合物化合物。有机层可W进一步包含发光层和电荷产生层。
[0099] 另外，本发明的有机电致发光装置可通过进一步包含至少一个发光层而发射白 光，所述发光层除本发明化合物W外还包含所属领域中已知的蓝光电致发光化合物、红光 电致发光化合物或绿光电致发光化合物。必要时，其可W进一步包含澄光发光层或黄光发 光层。
[0100] 在本发明的有机电致发光装置中，优选地，至少一个层（在下文中为"表面层"） 可W被放置在一个或两个电极的内表面上，所述层选自硫族化合物层、金属面化物层W及 金属氧化物层。具体来说，娃或侣的硫族化合物（包括氧化物）层优选地被放置在电致发 光中间层的阳极表面上，并且金属面化物层或金属氧化物优选地被放置在电致发光中间层 的阴极表面上。运类表面层为有机电致发光装置提供操作稳定性。优选地，硫族化物包括 Si〇x(l《X《2)、Α10χ(1《X《1. 5)、SiON、SiAlON等；金属面化物包括LiF、MgFz、CaFz、 稀±金属氣化物等；并且金属氧化物包括Cs2〇、Li2〇、MgO、SrO、BaO、CaO等。
[0101] 在本发明的有机电致发光装置中，电子传输化合物和还原性渗杂剂的混合区、或 空穴传输化合物和氧化性渗杂剂的混合区可W被放置在一对电极的至少一个表面上。在运 种情况下，电子传输化合物被还原为阴离子，并且因此注入电子并将其从混合区传输到电 致发光介质中变得更加容易。此外，空穴传输化合物被氧化为阳离子，并且因此注入空穴并 且将其从混合区传输到电致发光介质中变得更加容易。优选地，氧化性渗杂剂包括各种路 易斯酸化ewis acid)和受体化合物；并且还原性渗杂剂包括碱金属、碱金属化合物、碱± 金属、稀±金属W及其混合物。还原性渗杂剂层可W用作电荷产生层W制备具有两个或更 多个发光层并且发射白光的电致发光装置。
[0102] 为了形成本发明有机电致发光装置的每一层，可W使用干式成膜方法，如真空蒸 发、瓣射、等离子体和离子电锻方法；或湿式成膜方法，如旋涂、浸涂和流涂方法。
[0103] 当使用湿式成膜方法时，薄膜可W通过将形成每一层的材料溶解或扩散到任何合 适的溶剂中来形成，所述溶剂如乙醇、氯仿、四氨巧喃、二嗯烧等。溶剂可W是形成每一层的 材料可w溶解或扩散于其中并且不存在成膜能力问题的任何溶剂。
[0104] 在下文中，将参考W下实例详细地解释本发明化合物、所述化合物的制备方法W 及所述装置的