专利名称：有机发光聚合物和器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光和/或电荷传输聚合物、其制造方法以及包含所述聚合物的有机发光器件。
背景技术：
包含活性有机材料的电子器件在诸如有机发光二极管、有机光伏器件、有机光电传感器、有机晶体管和存储器阵列器件的器件中的使用越来越引人注意。包含有机材料的器件提供诸如低重量、低能耗和柔性的益处。此外，可溶的有机材料的使用使得可以在器件制造中使用溶液处理，例如喷墨印刷或旋转涂布。
典型的有机发光器件(“0LED”)制造于玻璃或塑料基板上，所述基板用透明阳极例如氧化铟锡(“ ΙΤ0”)涂布。将至少一种电致发光有机材料的薄膜层提供于该第一电极上方。最后，在电致发光有机材料层的上方提供阴极。可以将电荷传输、电荷注入或电荷阻挡层提供于阳极和发光层之间和/或阴极和发光层之间。在操作中，空穴通过阳极注入器件，并且电子通过阴极注入器件。空穴和电子在有机发光层中结合以形成激子，该激子然后发生辐射衰变以发光。在W090/13148中，有机发光材料是共轭聚合物，例如聚(亚苯基亚乙烯基)。在US 4，539，507中，有机发光材料是已知为小分子材料的一类材料，例如三(8-羟基喹啉)铝(“Alq3”)。WO 99/54385公开了包含三苯基胺重复单元和芴重复单元的聚合物。US 2005/187411公开了含胺的电荷传输材料。OLED具有在显示器和照明应用中的很大潜力。然而，仍然需要改善这些器件的性倉泛。
发明内容
在第一方面，本发明提供包含式(I)的重复单元的聚合物- (Ar) q-Sp-CT_Sp- (Ar) q-⑴其中CT表示共轭的电荷传输基团；各个Ar独立地表示任选地取代的芳基或杂芳基；各个q独立地为至少I ;并且各个Sp独立地表示在Ar和CT之间形成共轭中断的间隔基团。任选地，CT表不空穴传输基团。任选地，CT表示任选地取代的芳基胺基团。任选地，CT表示式(V)的任选地取代的重复单元
权利要求
1.包含式(I)的重复单元的聚合物-(Ar)q-Sp-CT-Sp- (Ar)q_ (I) 其中CT表示共轭的电荷传输基团；各个Ar独立地表示任选地取代的芳基或杂芳基；q为至少I ;并且各个Sp独立地表示在Ar和CT之间形成共轭中断的间隔基团。
2.根据权利要求I的聚合物，其中CT表示空穴传输基团，任选地为具有2.9eV或更低的电子亲合性以及5. 8eV或更低的电离势的空穴传输基团。
3.根据权利要求2的聚合物，其中CT表示任选地取代的芳基胺基团。
4.根据权利要求3的聚合物，其中CT表示任选地取代的重复单元V
5.根据权利要求I的聚合物，其中CT表示电子传输基团，任选地为具有3.OeV或更高的电子亲合性以及5. 8eV或更高的电离势的电子传输基团。
6.根据权利要求5的聚合物，其中CT包含杂芳基。
7.根据权利要求6的聚合物，其中CT表示式(II)的化合物式(II): -(Ar1) r_Het_ (Ar2) r_ (II) 其中Ar1和Ar2如权利要求4中所定义；r为至少1，优选1_3，并且Het表示具有高电子亲合性和高电离势的任选地取代的杂芳基基团，优选三嗪或噁二唑。
8.根据以上权利要求任一项的聚合物，其中各个Sp独立地表示烷基链，其中一个或多个非相邻的C原子可以被O、S、N、C=O和-C00-代替，并且其中一个或多个H原子可以被F代替，并且其中该烷基链中的一个或多个非末端的碳原子可以被任选地取代的亚芳基或亚杂芳基代替。
9.根据以上权利要求任一项的聚合物，其中各个(Ar)q独立地表示任选地取代的亚苯基、荷或批唳。
10.根据以上权利要求任一项的聚合物，其包含式(Ia)的重复单元
11.根据以上权利要求任一项的聚合物，其包含具有至少三个连接位置的重复单元，该重复单元不是根据式(I)的重复单元。
12.组合物，其包含根据权利要求1-10任一项的聚合物和至少一种发光掺杂剂。
13.根据权利要求12的组合物，其中该至少一种发光掺杂剂化学键合到该聚合物上。
14.根据权利要求12的组合物，其中该至少一种发光掺杂剂结合到聚合物的主链中，或者结合为聚合物的侧基或端基。
15.组合物，其包含溶剂以及根据以上权利要求任一项的聚合物或聚合物组合物。
16.有机发光器件，其包含阳极、阴极以及阳极和阴极之间的发光层，其中该发光层包含根据权利要求12-14任一项的组合物。
17.有机发光器件，其包含阳极、阴极、阳极和阴极之间的发光层，以及阳极和阴极之间的至少一个电荷传输层，其中该至少一个电荷传输层包含根据权利要求1-11任一项的聚合物。
18.形成根据权利要求16或17的有机发光器件的方法，该方法包括沉积根据权利要求13的组合物以及蒸发溶剂的步骤。
19.式(Ib)的单体
20.根据权利要求19的单体，其中各个X独立地选自卤素、硼酸、任选地取代的硼酸酯和任选地取代的磺酸酯。
21.根据权利要求19或20的单体，其中结合至X的末端Ar基团是被取代的。
22.形成根据权利要求1-11任一项的聚合物的方法，包括将根据权利要求19-21任一项的单体聚合的步骤。
23.根据权利要求22的方法，其包括将两种式(Ib)单体聚合的步骤，其中CT、Sp和(Ar)q的至少一个在两种单体之间是不同的。
24.根据权利要求23的方法，其中CT在两种单体之间是不同的。
25.根据权利要求22、23或24的方法，其中将该单体与任选地取代的亚芳基或亚杂芳基共聚单体聚合，所述共聚单体优选是包含被一个或多个烷基取代的苯基的共聚单体。
全文摘要
发光和/或电荷传输聚合物、其制造方法以及包含所述聚合物的有机发光器件，该聚合物包含式(I)的重复单元，其中CT表示共轭的电荷传输基团，各个Ar独立地表示任选地取代的芳基或杂芳基，q为至少1，并且各个Sp独立地表示在Ar和CT之间形成共轭中断的间隔基团。-(Ar)q-Sp-CT-Sp-(Ar)q-(I)。
文档编号H01L51/00GK102947962SQ201180031620
公开日2013年2月27日 申请日期2011年5月12日 优先权日2010年5月14日
发明者A·斯特伍德尔, R·欧沃阿雷 申请人:剑桥显示技术有限公司, 住友化学株式会社