半导体基板、摄像元件及摄像装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体基板、摄像元件及摄像装置。
[0002]本申请以在2013年2月14日提出申请的特愿2013 — 027058号日本专利申请为基础主张优先权，并将其内容引用于此。
【背景技术】
[0003]以往，例如背面照射型图像传感器和层叠型图像传感器等摄像元件，在形成片上滤色器、片上微镜及遮光膜的工序中进行光刻。在光刻的曝光时使用描画了配线图案的光掩膜和中间掩膜，但在进行晶片和该掩膜的定位时使用由金属配线形成的对准标记。该对准标记形成于划线或者芯片区域内。
[0004]在进行曝光时，为了利用半导体制造装置检测该对准标记的位置，例如按照专利文献I公开的那样向对准标记照射检测光，并测定其反射强度。因此，当在对准标记的下层设有例如金属配线、器件、接合电极等时，也检测到它们的反射光。
[0005]其结果是，当在对准标记的反射强度与下层的金属配线、器件、接合电极等的反射强度之间不能得到充分的对比度的情况下，半导体制造装置产生对准标记的识别错误，存在晶片和光掩膜或中间掩膜的对准精度下降的情况。并且，有时将下层的金属配线和器件的位置错误识别为对准标记的位置，而产生不能进行对准的问题。
[0006]为了防止这种问题，以往在对准标记的下层不设置金属配线、器件、接合电极。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本特开2011 — 9259号公报发明概要
[0010]发明要解决的问题
[0011]但是，如上所述的以往的半导体基板存在如下所述的问题。
[0012]近年来，随着金属配线层的多层化和半导体制造工艺的复杂化，光刻工序增加。随着这样的光刻工序的增加，在曝光时需要的对准标记的数量也非常多。
[0013]因此，在制造半导体基板时，必须在不与金属配线、器件、接合电极重叠的区域中设置多个对准标记，在晶片上必须确保对准标记专用的多个区域。因此，由于对准专用的区域增加，存在芯片面积增大、配置对准标记的划线的面积增大的问题。其结果是，每一晶片的芯片取得数量减少，存在半导体基板的成本增大的问题。
【发明内容】
[0014]
[0015]本发明正是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供半导体基板、摄像元件及摄像装置，能够防止对准标记的检测精度下降，并且抑制芯片面积和划线的面积增大。
[0016]用于解决问题的手段
[0017]根据本发明的第一方式，半导体基板具有:对准标记，其由反射位置检测用的检测光的材料形成，并具有检测用边缘部；遮光层部，其具有比所述对准标记大的外形形状，由遮挡所述检测光的材料形成，被配置在从所述检测光的入射侧观察成为所述对准标记的背面侧的位置；以及一个以上的透光层部，其被层叠在所述对准标记和所述遮光层部之间，透过所述检测光，并且至少在与所述遮光层部重叠的范围内未进行图案加工。
[0018]根据本发明的第二方式，也可以是，在第一方式的半导体基板中，在从所述检测光的入射侧观察时所述遮光层部的背面侧的区域形成有金属配线。
[0019]根据本发明的第三方式，也可以是，在第一方式或者第二方式的半导体基板中，所述对准标记由金属层形成。
[0020]根据本发明的第四方式，也可以是，在第一方式?第三方式中任意一个方式的半导体基板中，所述遮光层部由金属层形成。
[0021]根据本发明的第五方式，也可以是，在第一方式?第四方式中任意一个方式的半导体基板中具有:第I基板，所述检测光从外部入射到该第I基板；第2基板，其与所述第I基板对置配置；以及接合层部，其接合所述第I基板和所述第2基板，所述对准标记、所述透光层部以及所述遮光层部设于所述第I基板。
[0022]根据本发明的第六方式，也可以是，在第一方式?第四方式中任意一个方式的半导体基板中具有:第I基板，所述检测光从外部入射到该第I基板；第2基板，其与所述第I基板对置配置；以及接合层部，其接合所述第I基板和所述第2基板，所述对准标记设于所述第I基板，所述遮光层部设于所述接合层部，在所述接合层部中，将所述第I基板和所述第2基板电接合的接合电极形成于所述遮光层部的外方，在所述第I基板中的所述对准标记和所述接合层部中的所述遮光层部之间形成有所述透光层部。
[0023]根据本发明的第七方式，也可以是，在第一方式?第四方式中任意一个方式的半导体基板中具有:第I基板，所述检测光从外部入射到该第I基板；第2基板，其与所述第I基板对置配置；以及接合层部，其接合所述第I基板和所述第2基板，所述对准标记设于所述第I基板，所述遮光层部设于所述第2基板，在所述接合层部中，将所述第I基板和所述第2基板电接合的接合电极形成于与所述遮光层部重叠的区域的外侧，在所述第I基板中的所述对准标记和所述第2基板中的所述遮光层部之间形成有所述透光层部。
[0024]根据本发明的第八方式，也可以是，摄像元件具有第一方式?第七方式中任意一个方式的半导体基板。
[0025]根据本发明的第九方式，也可以是，摄像装置具有第八方式的摄像元件。
[0026]发明效果
[0027]根据本发明的各个方式的半导体基板、摄像元件及摄像装置，在对准标记的背面侧设置遮光层部，透光层部被层叠在对准标记和遮光层部之间，因而具有如下的效果:能够防止对准标记的检测精度下降，并且抑制芯片面积和划线的面积的增大。
【附图说明】
[0028]图1是表示本发明的实施方式的摄像装置的系统结构的系统结构图。
[0029]图2A是本发明的实施方式的摄像元件的俯视图。
[0030]图2B是图2A中的A-A截面图。
[0031]图2C是图2B中的C部的详细图。
[0032]图3A是图2A中的B部的详细图。
[0033]图3B是图3A中的D-D截面图。
[0034]图4是表不本发明的实施方式的摄像兀件的基板粘贴工序的不意性的工序说明图。
[0035]图5A是表示进行划线前的第I基板的示意俯视图，该划线用于制造本发明的实施方式的摄像元件。
[0036]图5B是表示进行划线前的第2基板的示意俯视图，该划线用于制造本发明的实施方式的摄像元件。
[0037]图6A是图5B中的E部的详细图。
[0038]图6B是图6A中的F-F截面图。
[0039]图7是表示本发明的实施方式的第I变形例的摄像元件的结构的示意剖视图。
[0040]图8是表示本发明的实施方式的第I变形例的摄像元件的结构的示意剖视图。
【具体实施方式】
[0041]对本发明的实施方式的半导体基板、摄像元件及摄像装置进行说明。
[0042]图1是表示本发明的实施方式的摄像装置的系统结构的系统结构图。图2A是本发明的实施方式的摄像元件的俯视图。图2B是图2A中的A-A截面图。图2C是图2B中的C部的详细图。图3A是图2A中的B部的详细图。图3B是图3A中的D-D截面图。
[0043]另外，各个附图是示意图，因而形状和尺寸被夸大(对于以下的附图也一样)。
[0044]本发明的方式的摄像装置只要是具有摄像功能的电子设备即可，除数字相机外，也可以是数字摄像机、内窥镜等，在本实施方式中，作为一例说明是数字相机的示例。
[0045]如图1所示，本实施方式的数字相机10(摄像装置)具有镜头部1、镜头控制装置2、固体摄像元件3 (摄像元件、半导体基板)、驱动电路4、存储器5、信号处理电路6、记录装置7、控制装置8及显示装置9。
[0046]镜头部I例如具有变焦镜头和对焦镜头，将来自被摄体的光作为被摄体像成像于固体摄像元件3的受光面上。镜头控制装置2控制镜头部I的变焦、对焦、光圈等。通过镜头部I取入的光在固体摄像元件3的受光面上成像。
[0047]固体摄像元件3将成像于受光面的被摄体像变换为图像信号进行输出。多个像素沿行方向和列方向呈二维状排列在固体摄像元件3的受光面上。关于固体摄像元件3的具体结构在后面进行详细说明。
[0048]驱动电路4驱动固体摄像元件3并控制其动作。存储器5暂时存储图像数据。信号处理电路6对从固体摄像元件3输出的图像信号进行预先设定的处理。通过信号处理电路6进行的处理包括图像信号的放大、图像数据的各种校正、图像数据的压缩等。
[0049]记录装置7由用于进行图像数据的记录或者读出的半导体存储器等构成，以可装卸的状态内置在数字相机10中。显示装置9进行动态图像(实时取景图像)的显示、静止图像的显示、记录在记录装置7中的动态图像和静止图像的显示、数字相机10的状态显示等。
[0050]控制装置8进行数字相机10整体的控制。控制装置8的动作是由在数字相机10内置的ROM中存储的程序规定的。控制装置8读出该程序，并按照程序规定的内容进行各种控制。
[0051 ] 下面，说明固体摄像元件3的具体结构。
[0052]如图2A、图2B所示，固体摄像元件3具有俯视观察呈矩形状的外形，由将作为半导体基板的第I基板12和第2基板11粘贴形成的层叠型的半导体基板构成。
[0053]在面向外部的第I基板