[0022]图2是图1所示的布线基板的主要部分俯视图。
[0023]图3A?L是用于对第I实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的每个工序的主要部分剖面图。
[0024]图4A以及B是表示通过第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法而制造的布线基板的一个例子的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0025]图5A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0026]图6A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0027]图7A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0028]图8A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0029]图9A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0030]图1OA以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0031]图1lA以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0032]图12A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0033]图13A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0034]图14A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0035]图15A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0036]图16A以及B是用于对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法进行说明的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0037]图17A以及B是表示现有的布线基板的主要部分示意剖面图及其示意俯视图。
[0038]图18是图17A所示的主要部分示意剖面图的局部放大图。
[0039]图19是图17B所示的示意俯视图的局部放大图。
【具体实施方式】
[0040]接下来，在图1以及图2中表示通过第I实施方式所涉及的布线基板的制造方法而制造的布线基板的一个例子。图1是该布线基板的主要部分剖面图，图2是其俯视图。如图1所示，在该布线基板，在下层的绝缘层I上粘附有下层的布线导体2。在下层的绝缘层I以及下层的布线导体2上，层叠有上层的绝缘层3。在上层的绝缘层3形成有通孔V。通孔V将下层的布线导体2作为底面。在通孔V内填充有通孔导体4。通孔导体4与下层的布线导体2连接。在上层的绝缘层3上以及通孔导体4上粘附有上层的布线图案(布线导体)5。
[0041]下层的绝缘层I以及上层的绝缘层3由以环氧树脂或双马来酰亚胺三嗪树脂、烯丙基改性聚苯醚树脂、聚酰亚胺树脂等热硬化性树脂为成分的树脂系的绝缘材料构成。也可以在下层的绝缘层I以及上层的绝缘层3中添加玻璃布等加强片或二氧化硅等绝缘填料。下层的绝缘层I的厚度为20?200 μπι左右，上层的绝缘层3的厚度为20?50 μπι左右。下层的布线导体2由铜箔等金属箔或铜镀等镀导体层构成。下层的布线导体2的厚度为5?50 μ m左右。通孔导体4由第I基底金属层4a以及第I电解镀层4b构成。上层的布线导体5由第2基底金属层5a以及第2电解镀层5b构成。
[0042]如图2所示，上层的布线导体5的宽度比通孔V小，并在通孔V上穿过。通过上层的布线导体5的宽度比通孔V小，从而即使在通孔V的形成位置与上层的布线导体5的形成位置之间产生制造偏差上的偏离，下层的布线导体2与上层的布线导体5也经由通孔导体4而被可靠地连接。通孔V的直径在上端部为40?65 μπι左右，在底面部为30?45 μπι左右。布线导体5的宽度为30?45 μ m左右。
[0043]接下来，基于图3A?L来对第I实施方式所涉及的布线基板的制造方法的一个例子进行说明。如图3A所示，在形成有下层的布线导体2的下层的绝缘层I上，形成上层的绝缘层3。为了形成上层的绝缘层3，采用在形成有下层的布线导体2的下层的绝缘层I上层叠上层的绝缘层3用的未硬化或者半硬化的薄膜或者片材，并且进行加热的同时从上下进行压制的方法。如上所述，下层的绝缘层I的厚度为20?200 μπι左右，下层的布线导体2的厚度为5?50 μπι左右，上层的绝缘层3的厚度为20?50 μπι左右。
[0044]接下来，如图3Β所示，在上层的绝缘层3形成通孔V。通孔V将下层的布线导体2作为底面。通孔V通过例如激光加工来形成，但并不限定于该方法。通孔V的直径如上所述，在上端部为40?65 μ m左右，在底面部为30?45 μ m左右。接下来，如图3C所示，在通孔V内以及上层的绝缘层3的表面粘附第I基底金属层4a。第I基底金属层4a由例如无电解铜镀构成。第I基底金属层4a的厚度为0.1?I μπι左右。
[0045]接下来，如图3D所示，在第I基底金属层4a上形成第I阻镀层R1。第I阻镀层Rl具有使通孔V上及其周边露出的第I开口图案Al。第I开口图案Al的开口直径比通孔V的开口直径大10?20 μπι左右。接下来，如图3Ε所示，在第I开口图案Al内粘附第I电解镀层4b。第I电解镀层4b完全填充通孔V内，并且粘附为上层的绝缘层3上的厚度为10?20 μπι左右的厚度。第I电解镀层4b例如由电解铜镀层构成。接下来，如图3F所示，剥离去除第I阻镀层Rl。
[0046]接下来，如图3G所示，通过蚀刻来去除上层的绝缘层3上的第I基底金属层4a，并且按照变为第I电解镀层4b的表面从上层的绝缘层3的表面凹陷O?15 μπι的高度的方式，使第I电解镀层4b的厚度减少。由此，由第I基底金属层4a及其上的第I电解镀层4b构成的通孔导体4以从上层的绝缘层3的表面凹陷O?15 μm的状态而形成。接下来，如图3H所示，在上层的绝缘层3的表面以及通孔导体4的表面粘附第2基底金属层5a。第2基底金属层5a与第I基底金属层4a同样地由无电解铜镀构成，具有0.1?I ym左右的厚度。
[0047]接下来，如图31所示，在第2基底金属层5a上形成第2阻镀层R2。第2阻镀层R2在通孔V上穿过，并且具有宽度比通孔V窄的第2开口图案A2。第2开口图案A2的宽度比通孔V的直径窄15?30 μπι。此时，由于在从上层的绝缘层3的表面凹陷O?15 μπι的通孔导体4上形成第2阻镀层R2，因此第2阻镀层R2不会较大进入到通孔V内。接下来，如图3J所示，在第2阻镀层R2的第2开口图案Α2内的第2基底金属层5a上，粘附第2电解镀层5b。第2电解镀层5b粘附为上层的绝缘层3上的厚度为10?20 μπι左右的厚度。第2电