解镀层5b例如由电解铜镀层构成。
[0048]接下来，如图3K所示，剥离去除第2阻镀层R2。此时，由于第2阻镀层R2未较大进入到通孔V内，因此能够在第2阻镀层R2的残渣不残留于通孔V内的情况下良好地进行剥离去除。最后，如图3L所示，通过利用蚀刻来去除从第2电解镀层5b露出的第2基底金属层5a，从而在通孔导体4上以及上层的绝缘层3上形成由第2基底金属层5a以及第2电解镀层5b构成的布线图案5。该布线图案5的形成方法被称为所谓的半加成法。由于只要在能够去除厚度薄至0.1?I μπι左右的第2基底金属层5a的程度下进行蚀刻即可，因此布线导体5不会被较大地侧面蚀刻。因此，能够通过微小布线来形成宽度比通孔导体4窄的布线导体5。
[0049]另外，由于在从上层的绝缘层3的表面凹陷O?15 μ m的通孔导体4上形成布线导体5，因此布线导体5不会在通孔V上较大地凹陷，能够形成大致平坦的布线导体5。
[0050]接下来，在图4A以及B中表示通过第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法而制造的布线基板的一个例子。如图4A以及B所示，在该布线基板，在下层的绝缘层I上粘附有下层的布线导体2。在下层的绝缘层I以及下层的布线导体2上层叠有上层的绝缘层3。在上层的绝缘层3形成有通孔V。通孔V将下层的布线导体2作为底面。在通孔V内填充有通孔导体4。通孔导体4与下层的布线导体2连接。在上层的绝缘层3上以及通孔导体4上粘附有上层的布线导体5。上层的布线导体5具有穿过通孔导体4上的带状图案6a以及宽面积的整体图案6b。
[0051]下层的绝缘层1、下层的布线导体2以及上层的绝缘层3与第I实施方式相同，省略说明。通孔导体4以及上层的布线导体5由镀导体层构成，该镀导体层由无电解铜镀或电解铜镀等形成。
[0052]带状图案6a的宽度比通孔导体4的上端小，并在通孔导体4上穿过。通过带状图案6a的宽度比通孔导体4的上端小，从而即使在通孔导体4的形成位置与上层的布线导体5的形成位置之间产生制造偏差上的偏离，下层的布线导体2与上层的带状图案6a也经由通孔导体4而被可靠地连接。通孔V的直径在上端部为40?65 μ m左右，在底面部为30?45 μπι左右。带状图案6a的宽度为30?45 μπι左右。
[0053]接下来，基于图5?图16来对第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法的一个例子进行说明。如图5Α以及B所示，在下层的绝缘层I的上表面形成下层的布线导体2。下层的绝缘层I例如由掺入玻璃布的热硬化性树脂构成。或者，由没有玻璃布的热硬化性树脂构成。下层的绝缘层I的厚度如上所述为20?200 μπι左右。下层的布线导体2由铜箔等金属箔或铜镀等镀导体层构成。下层的布线导体2的厚度如上所述为5?50 μ m左右。下层的布线导体2通过公知的减成法或半加成法而形成。
[0054]接下来，如图6A以及B所示，在形成有下层的布线导体2的下层的绝缘层I上，形成上层的绝缘层3。上层的绝缘层3由没有玻璃布的热硬化性树脂构成。或者，由掺入玻璃布的热硬化性树脂构成。上层的绝缘层3的厚度如上所述为20?50 μπι左右。为了形成上层的绝缘层3，采用在形成有下层的布线导体2的下层的绝缘层I上层叠上层的绝缘层3用的未硬化或者半硬化的薄膜或者片，并且进行加热的同时从上下进行压制的方法。
[0055]接下来，如图7Α以及B所示，在上层的绝缘层3形成通孔V。通孔V将下层的布线导体2作为底面。通孔V通过例如激光加工来形成，但并不限定于该方法。通孔V的直径在上端部为40?65 μ m左右，在底面部为30?45 μ m。接下来，如图8A以及B所示，使得用于电解镀的第I基底导体层(基底金属层)4U粘附在上层的绝缘层3上以及通孔V内。第I基底导体层4U例如由无电解铜镀构成。第I基底导体层4U的厚度为0.1?I μπι左右。
[0056]接下来，如图9Α以及B所示，在第I基底导体层4U上形成第I掩镀层Ml (相当于第I实施方式的第I阻镀层Rl)。第I掩镀层Ml使通孔V及其周边的第I基底导体层4U露出。通孔周边的第I基底导体层4U露出为圆形状。该露出为圆形状的部分的直径比通孔的直径大20?50 μπι左右。此外，第I掩镀层Ml使形成有上层的布线导体5的带状图案6a的部位的第I基底导体层4U露出与带状图案6a对应的带状。进一步地，第I掩镀层Ml使形成有上层的布线导体5的整体图案6b的部位的第I基底导体层4U露出网眼状的图案。
[0057]接下来，如图1OA以及B所示，在从第I掩镀层Ml露出的第I基底导体层4U上形成第I电解镀层4P。第I电解镀层4P例如由电解铜镀构成。第I电解镀层4P的厚度在上层的绝缘层3上为5?20 μπι左右。接下来，如图1lA以及B所示，从基底导体层4U上剥离去除第I掩镀层Ml。此时，剩下的第I电解镀层4P具有与第I掩镀层Ml的非形成部对应的图案。也就是说，第I电解镀层4P被粘附于形成有上层的布线导体5的部位。第I电解镀层4P完全填充在通孔V内并且覆盖通孔V的周边。覆盖通孔V的周边的部分是比通孔V大20?50 μ m左右的圆形状。此外，第I电解镀层4P在与上层的布线导体5的带状图案6a重合的位置，具有与带状图案6a相同的带状图案。进一步地，第I电解镀层4P在与上层的布线导体5的整体图案6b重合的位置，具有设置了多个开口部A的网眼状图案。
[0058]另外，在第2实施方式中，在上层的绝缘层3上表面的第I电解镀层4P的面积占有率为40?55%。这样的面积占有率能够通过调整开口部A的大小或数量、位置等来获得。通过将第I电解镀层4P设为这样的面积占有率，能够在通孔V内以及上层的绝缘层3上形成厚度偏差小的第I电解镀层4P。
[0059]接下来，如图12A以及B所示，通孔导体4通过对第I电解镀层4P的整面进行蚀刻来去除上层的绝缘层3上的第I基底导体层4U以及第I电解镀层4P来形成。此时，进行蚀刻直到变为通孔V内的第I电解镀层4P的上表面从上层的绝缘层3的上表面凹陷O?15 μm的高度。由此，以在通孔V内，由第I基底导体层4U以及第I电解镀层4P构成的通孔导体4从上层的绝缘层3的上表面凹陷O?15 μπι的状态来形成。另外，通过将在上层的绝缘层3上表面的第I电解镀层4Ρ的面积占有率设为40?55%，从而能够使蚀刻偏差小。因此，在上层的绝缘层3上第I电解镀层4Ρ的残渣不易剩余。
[0060]接下来，如图13Α以及B所示，在上层的绝缘层3的上表面以及通孔导体4的上表面粘附第2基底导体层(基底金属层)5U。第2基底导体层5U与第I基底导体层4U同样地形成。接下来，如图14Α以及B所示，在第2基底导体层5U上形成第2掩镀膜M2 (相当于第I实施方式的第2阻镀层R2)。第2掩镀膜M2使第2基底导体层5U露出与形成于上层的绝缘层3上的上层的布线导体5对应的图案。也就是说，使形成有上层的布线导体5的带状图案6a的部位的第2基底导体层5U露出与带状图案6a对应的带状。此外，第2掩镀膜M2使形成有上层的布线导体5的整体图案6b的部位的第2基底导体层5U整面露出。另外，通孔导体4上的第2基底导