体层5U露出为带状的宽度比通孔V的直径窄15?30 μπι。此时，由于在从上层的绝缘层3的表面凹陷O?15 μm的通孔导体4上形成第2掩镀膜M2，因此第2掩镀膜M2不会较大地进入到通孔V内。
[0061]接下来，如图15A以及B所示，在从第2掩镀膜M2露出的第2基底导体层5U上粘附第2电解镀层5P。第2电解镀层5P粘附为上层的绝缘层3上的厚度为10?20 μ m左右的厚度。第2电解镀层5P例如由电解铜镀层构成。接下来，如图16A以及B所示，从第2基底导体层5U上剥离去除第2掩镀膜M2。此时，由于第2掩镀膜M2不会较大地进入到通孔V内，因此能够在通孔V内不残留第2掩镀膜M2的残渣的情况下良好地进行剥离去除。
[0062]最后，蚀刻去除从第2电解镀层5P露出的第2基底导体层5U，在通孔导体4上以及上层的绝缘层3上，形成由第2基底导体层5U以及第2电解镀层5P构成的上层的布线导体5。由此，图4A以及B所示的通过第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法而得到的布线基板完成。该上层的布线导体5的形成方法也是半加成法。因此，如上所述，能够在上层的布线导体5不被较大地侧面蚀刻的情况下，高密度地形成宽度比通孔导体4窄的微小的带状图案6a。
[0063]这样，根据第2实施方式所涉及的布线基板的制造方法，通过上端位于从上层的绝缘层3的上表面凹陷O?15 μ m的通孔导体4来填充形成于上层的绝缘层3的通孔V内。然后，通过半加成法来形成具有带状图案6a的上层的布线导体5，其中，该带状图案6a以比通孔导体4的上端窄的宽度横穿该通孔导体4上。因此，能够在上层的绝缘层3上以高密度来形成微小布线。另外，由于在从上层的绝缘层3的表面凹陷O?15 μπι的通孔导体4上形成带状图案6a，因此能够在带状图案6a在通孔V上不较大凹陷的情况下，形成大致平坦的带状图案6a。
[0064]进一步地，即使在将上层的绝缘层3上的第I基底导体层4U以及第I电解镀层4P进行了蚀刻之后，第I电解镀层4P的残渣残留在上层的绝缘层3上，第I电解镀层4P也形成于形成有上层的布线导体5的部位。因此，由于在其上形成为与上层的布线导体5重合，因此残渣不会损害上层的布线导体5的电绝缘可靠性。
[0065]本发明并不被限定于上述的实施方式，只要是不脱离本发明的主旨的范围就可以进行各种变更。例如，虽然在上述的第I以及第2实施方式中，通孔V的水平剖面形状具有圆形状，但也可以是三角形状、四角形状等多角形状、椭圆形状等。
【主权项】
1.一种布线基板的制造方法，其特征在于，包含: 在上表面形成有下层的布线导体的下层的绝缘层，形成上层的绝缘层以覆盖该下层的布线导体的工序； 在所述上层的绝缘层形成将所述下层的布线导体作为底面的通孔的工序； 在所述通孔内以及所述上层的绝缘层上表面，粘附第1基底金属层的工序； 在所述第1基底金属层上，形成具有使所述通孔上及其周边露出的第1开口图案的第1阻镀层的工序； 在所述第1开口图案内，粘附至少完全填充所述通孔的第1电解镀层的工序； 去除所述第1阻镀层，并且进行处理以使所述第1电解镀层的表面从所述上层的绝缘层的表面凹陷0?15 μ m，来形成由所述第1基底金属层以及所述第1电解镀层构成的通孔导体的工序； 在所述通孔导体的表面以及所述上层的绝缘层的露出表面粘附第2基底金属层的工序; 在所述第2基底金属层上，形成在所述通孔上穿过并且具有宽度比该通孔窄的第2开口图案的第2阻镀层的工序； 在所述第2开口图案内，粘附第2电解镀层的工序；和 去除所述第2阻镀层，并且蚀刻去除从所述第2电解镀层露出的所述第2基底金属层，来形成由所述第2基底金属层以及所述第2电解镀层构成的上层的布线导体的工序。2.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法，其特征在于， 所述通孔的上端部的直径为40?65 μπι。3.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法，其特征在于， 所述上层的布线导体具有30?45 μπι的宽度。4.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法，其特征在于， 所述第2基底金属层具有0.1?1 μπι的厚度。5.一种布线基板的制造方法，其中，该布线基板具备: 下层的绝缘层，该下层的绝缘层形成有下层的布线导体； 上层的绝缘层，该上层的绝缘层形成于该下层的布线导体以及下层的绝缘层上； 通孔，该通孔将所述下层的布线导体作为底面来形成于该上层的绝缘层； 通孔导体，该通孔导体被填充在该通孔内，上端位于从上层的绝缘层的表面凹陷0?15 μ m ;和 上层的布线导体，该上层的布线导体在所述上层的绝缘层上以及所述通孔导体上，具有以比该通孔导体的上端窄的宽度在所述通孔导体上横穿的带状图案， 所述布线基板的制造方法的特征在于，包含以下的1)?7)的工序: 1)在所述下层的绝缘层上形成所述下层的布线导体的工序； 2)在所述下层的绝缘层上以及所述下层的布线导体上形成所述上层的绝缘层的工序; 3)在所述上层的绝缘层形成所述通孔的工序； 4)使得用于电解镀的基底导体层粘附在所述上层的绝缘层上以及所述通孔内的工序; 5)在形成有所述上层的布线导体的部位的所述上层的绝缘层上以及所述通孔内及其周边的所述基底导体层上，形成完全填充所述通孔内并且在所述上层的绝缘层上表面的面积占有率为40?55%的电解镀层的工序； 6)对所述基底导体层以及所述电解镀层的整面进行蚀刻以使所述通孔上的所述电解镀层的上表面从所述上层的绝缘层的上表面凹陷0?15 μπι从而形成所述通孔导体的工序；和 7)在所述上层的绝缘层上以及所述通孔导体上通过半加成法来形成所述上层的布线导体的工序。6.根据权利要求5所述的布线基板的制造方法，其特征在于， 所述通孔的上端部的直径为40?65 μπι。7.根据权利要求5所述的布线基板的制造方法，其特征在于， 所述带状图案具有30?45 μπι的宽度。8.根据权利要求5所述的布线基板的制造方法，其特征在于， 所述上层的布线导体由第2基底导体层以及第2电解镀层形成，该第2基底导体层具有0.1?1 μπι的厚度。
【专利摘要】本发明提供一种布线基板的制造方法，其包含：在上表面形成有下层的布线导体的下层的绝缘层，形成上层的绝缘层的工序；在所述上层的绝缘层上形成通孔的工序；在所述通孔内以及所述上层的绝缘层上表面，粘附第1基底金属层的工序；在所述第1基底金属层上，形成第1阻镀层的工序；粘附至少完全填充所述通孔的第1电解镀层的工序；形成通孔导体的工序；粘附第2基底金属层的工序；在所述第2基底金属层上，形成第2阻镀层的工序；粘附第2电解镀层的工序；以及形成布线图案的工序。
【IPC分类】H05K3/20, H05K3/42, H05K1/11, H01L21/48
【公开号】CN105282968
【申请号】CN201510278610
【发明人】大隅孝一, 冈一喜
【申请人】京瓷电路科技株式会社
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年5月27日
【公告号】US20150351257