蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
【背景技术】
[0002]随着使用有机EL元件的产品的大型化或基板尺寸的大型化，即使对蒸镀掩模也不断增加大型化的需求。而且，使用于制造由金属构成的蒸镀掩模的金属板也大型化。但是，在当前的金属加工技术中，难以在大型金属板上高精度地形成缝隙，无法应对缝隙的高精细化。另外，在作为仅由金属构成的蒸镀掩模时，由在随着大型化，其质量也增大，包含框架在内的总质量也增大，故而会给处理带来阻碍。
[0003]在这样的状况下，在专利文献I中提出有将设有缝隙的金属掩模、和位于金属掩模的表面且与要蒸镀制作的图案对应的开口部被纵横地配置多列的树脂掩模层积而构成的蒸镀掩模。根据专利文献I提出的蒸镀掩模，即使在大型化的情况下，也能够满足高精细化和轻量化二者，而且能够进行高精细的蒸镀图案的形成。
[0004]另外，在上述专利文献I中公开有，为了抑制使用蒸镀掩模的蒸镀制作时产生阴影，开口部的截面形状或缝隙的截面形状为在蒸镀源侧扩大的形状为好。另外，阴影是指由在从蒸镀源放出的蒸镀材料的一部分与金属掩模的缝隙，或树脂掩模的开口部的内壁面碰撞而达不到蒸镀对象物，从而产生比目标蒸镀膜厚度薄的膜厚的未蒸镀部分的现象。另外，在上述专利文献I中公开有，连接树脂掩模的开口部中的下底前端和树脂掩模的开口部中的上底前端的直线和树脂掩模的表面所构成的角度以在5°?85°的范围内为好，在15°?80°的范围内更好，在25°?65°的范围内最好。若对上述专利文献I的内容进行探讨，为了有效地防止阴影的产生，认为开口部的截面形状设成朝向蒸镀源侧更扩大的形状为好。换言之，认为以将连接树脂掩模的开口部中的下底前端和树脂掩模的开口部中的上底前端的直线，和树脂掩模的不与金属掩模相接侧的表面所构成的角度设成尽可能小的角度为好。
[0005]然而，即使在将开口部的截面形状设为朝向蒸镀源侧扩大的形状的情况下，在树脂掩模的厚度厚时，也会产生无法充分防止阴影的产生的情况。因此，为了充分抑制阴影的产生，认为必须将开口部的截面形状设为朝向蒸镀源侧更加扩大的形状，并且实施将树脂掩模的厚度减薄的对策。但是，在进行该对策时，树脂掩模的开口部的强度降低，树脂掩模的不与金属掩模相接侧的面中的开口部的尺寸精度变差。另外，随着缩小连接所述树脂掩模的开口部中的下底前端和树脂掩模的开口部中的上底前端的直线，和树脂掩模的表面所构成的角度，与金属掩模相接侧的面中的开口部的开口尺寸变大。在树脂掩模的与金属掩模相接侧的面中的开口部的开口尺寸变大的情况下，也有相邻的开口部间的间距也缩窄，在纵向或横向上邻接的开口部间配置用于构成金属掩模的缝隙的金属部分时会成为阻碍。
[0006]专利文献I:日本专利第5288072号公报
【发明内容】
[0007]本发明是鉴于如此的状况而设立的，其主要课题在于提供即使在大型化的情况下，也能够满足高精细化和轻量化二者，且能够保持开口部的强度并抑制阴影产生的蒸镀掩模，或带框架的蒸镀掩模，及提供能够精度良好地制造有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。
[0008]用于解决上述课题的本发明为一种蒸镀掩模，在设有与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模的一面上层积设有缝隙的金属掩模而构成，其中，用于构成所述树脂掩模的所述开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点，在所述厚度方向截面，将所述树脂掩模的不与所述金属掩模相接侧的面即第一面和所述内壁面的交点设为第一交点，将所述树脂掩模的与所述金属掩模相接侧的面即第二面和所述内壁面的交点设为第二交点，将所述拐点中从所述第一交点朝向第二交点位于最初位置的拐点设为第一拐点时，使连接所述第一交点和所述第一拐点的直线与所述第一面所构成的角度(Θ1)大于连接所述第一拐点和所述第二交点的直线与所述第二面所构成的角度(Θ2)，所述内壁面在厚度方向截面具有从所述第一面朝向所述第二面侧扩大的形状。
[0009]另外，也可以使连接所述第一拐点和所述第一交点的直线与所述第一面所构成的角度(Θ1)为60°?90°的范围，连接所述第一拐点和所述第二交点的直线与第二面所构成的角度(Θ2)为30°?70°的范围内。
[0010]另外，也可以在所述金属掩模设置多个缝隙，在所述树脂掩模设置为了构成多个画面所需的开口部，各所述缝隙被设置在至少与一画面整体重合的位置。
[0011]另外，也可以在所述金属掩模设置一个缝隙，在所述树脂掩模设置多个开口部，所述多个的开口部全部设置在与所述一个缝隙重合的位置。
[0012]另外，在上述发明中，也可以使树脂掩模的厚度为3μπι以上且小于ΙΟμπι。
[0013]另外，用于解决上述课题的本发明，为带框架的蒸镀掩模，将蒸镀掩模固定在框架上而构成，其中，所述蒸镀掩模在设有与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模的一面上层积设有缝隙的金属掩模而构成，用于构成所述树脂掩模的所述开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点，在所述厚度方向截面，将所述树脂掩模的不与所述金属掩模相接侧的面即第一面和所述内壁面的交点设为第一交点，将所述树脂掩模的与所述金属掩模相接侧的面即第二面和所述内壁面的交点设为第二交点，将所述拐点中从所述第一交点朝向第二交点位于最初位置的拐点设为第一拐点时，连接所述第一交点和所述第一拐点的直线与所述第一面所构成的角度(Θ1)大于连接所述第一拐点和所述第二交点的直线与所述第二面所构成的角度(Θ2)，所述内壁面在厚度方向截面具有从所述第一面朝向所述第二面侧扩大的形状。
[0014]另外，用于解决上述课题的本发明为一种有机半导体元件的制造方法，其中，包含使用将蒸镀掩模固定在框架上的带框架的蒸镀掩模在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的工序，在形成所述蒸镀图案的工序中，被固定在所述框架上的所述蒸镀掩模在设有与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模的一面上层积设有缝隙的金属掩模而构成，用于构成所述树脂掩模的所述开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点，在所述厚度方向截面，将所述树脂掩模的不与所述金属掩模相接侧的面即第一面和所述内壁面的交点设为第一交点，将所述树脂掩模的与所述金属掩模相接侧的面即第二面和所述内壁面的交点设为第二交点，将所述拐点中从所述第一交点朝向第二交点位于最初位置的拐点设为第一拐点时，连接所述第一交点和所述第一拐点的直线与所述第一面所构成的角度(Θ1)大于连接所述第一拐点和所述第二交点的直线与所述第二面所构成的角度(Θ2)，所述内壁面在厚度方向截面具有从所述第一面朝向所述第二面侧扩大的形状。
[0015]根据本发明的蒸镀掩模或带框架的蒸镀掩模，即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者，并且能够保持开口部的强度且抑制阴影的产生。另外，根据本发明的有机半导体元件的制造方法，能够精度良好地制造有机半导体元件。
【附图说明】
[0016]图1是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模所看到的正面图；
[0017]图2是图1所示的蒸镀掩模的A—A部分概略剖面图，是用于说明开口部的内壁面的厚度方向截面的形状的图；
[0018]图3是用于说明开口部的内壁面的厚度方向截面的形状的图；
[0019]图4是用于说明开口部的内壁面的厚度方向部面的形状的图；
[0020]图5是用于说明开口部的内壁面的厚度方向截面的形状的图；
[0021 ]图6是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模所看到的正面图；
[0022]图7是图1所示的蒸镀掩模的B—B截面之一例；
[0023]图8是从金属掩模侧观察第一实施方式的蒸镀掩模所看到的正面图；
[0024]图9是从金属掩模侧观察第一实施方式的蒸镀掩模所看到的正面图；
[0025]图10是从金属掩模侧观察第一实施方式的蒸镀掩模所看到的正面图；
[0026]图11是从金属掩模侧观察第一实施方式的蒸镀掩模所看到的正面图；
[0027]图12是从金属掩模侧观察第二实施方式的蒸镀掩模所看到的正面图；
[0028]图13是为从金属掩模侧观察第二实施方式的蒸镀掩模所看到的正面图；
[0029]图14是用于说明一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的图，(a)?(C)分别为剖面图；
[0030]图15是从树脂掩模侧观察一实施方式的带框架的蒸镀掩模所看到的正面图；
[0031]图16是从树脂掩模侧观察一实施方式的带框架的蒸镀掩模所看到的正面图。
[0032]标记说明
[0033]200:带框架的蒸镀掩模
[0034]100:蒸镀掩模
[0035]10:金属掩模
[0036]15:缝隙
[0037]16:贯通孔
[0038]20:树脂掩模
[0039]25:开口部
[0040]30:树脂板
[0041]50:带树脂板的金属掩模
[0042]60:框架
【具体实施方式】
[0043][蒸镀掩模]
[0044]以下，对本发明一实施方式的蒸镀掩模100进行具体地说明。
[0045]本发明一实施方式的蒸镀掩模100如图1所示，采用在设有与要蒸镀制作的图案对应的开口部25的树脂掩模20的一面上层积设有缝隙15的金属掩模10的构成。以下，对一实施方式的蒸镀掩模中的各构成予以说明。
[0046](树脂掩模)
[0047]如图1所示，在树脂掩模20设有多个开口部25。图1为从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模所看到的正面图。本发明如图2