positipn)、热CVD、等离子体CVD、光CVD法等的化学气相生长法(Chemical Vapor Depos it 1n)等。
[0109]具有通过使用了带框架的蒸镀掩模的蒸镀法形成蒸镀图案的工序的一实施方式的有机半导体元件的制造方法，具有在基板上形成电极的电极形成工序、有机层形成工序、对向电极形成工序、密封层形成工序等，在各任意工序中，通过使用了带框架的蒸镀掩模的蒸镀法在基板上形成蒸镀图案。例如，在有机EL显示器的R、G、B各色的发光层形成工序中分别适用使用了带框架的蒸镀掩模的蒸镀法的情况下，在基板上形成各色发光层的蒸镀图案。另外，本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法并不限于这些工序，可适用使用蒸镀法的目前公知的有机半导体元件的任意工序。
[0110]本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法在形成所述蒸镀图案的工序中，固定在框架上的所述蒸镀掩模是上述说明的本发明一实施方式的蒸镀掩模。
[0111]对构成带框架的蒸镀掩模的蒸镀掩模，可直接使用上述说明的本发明一实施方式的蒸镀掩模100，在此省略其详细的说明。根据上述说明的本发明一实施方式的蒸镀掩模，能够形成具有高精细图案的有机半导体元件。作为本发明的制造方法所制造的有机半导体元件，例如可列举出有机EL元件的有机层、发光层或阴极电极等。特别是，本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法可适当用于要求高精细的图案的有机EL元件的R、G、B发光层的制造。
[0112]用于有机半导体元件的制造的带框架的蒸镀掩模只要满足在框架上固定有上述说明的本发明一实施方式的蒸镀掩模的条件即可，对其它条件不作特别限定。例如，如图15所示，既可以使用在框架60上固定一个蒸镀掩模100而构成的带框架的蒸镀掩模200，也可以如图16所示地使用在框架60上，在纵向或横向上排列固定多个蒸镀掩模(图示方式中为4个蒸镀掩模)的带框架的蒸镀掩模200。
[0113]框架60为大致矩形的框部件，具有用于使设置在最终被固定的蒸镀掩模100的树脂掩模20上的开口部25在蒸镀源侧露出的开口。对框架的材料并无特别限定，只要是能够支承蒸镀掩模的部件即可，可使用例如金属框架、陶瓷框架等。其中，金属框架在容易与蒸镀掩模的金属掩模焊接，变形等的影响小的方面优选。作为金属框架的材料，适合刚性大的金属材料，例如SUS、因瓦合金材料等。
[0114]框架的厚度并无特别限定，从刚性等观点来看，优选为1mm?30mm左右。框架的开口的内周端面与框架的外周端面间的宽度只要是能够将该框架和蒸镀框架的金属掩模固定的宽度则没有特别限定，例如可示例I Omm?70mm左右的宽度。
[0115]另外，在不妨碍构成蒸镀掩模100的树脂掩模20的开口部25露出的范围，也可以在框架的开口存在加强框架65等。换言之，框架60具有的开口也可以具有被加强框架等分割的构成。在图15、图16所示的方式中，在纵向配置有多个在横向上延伸的加强框架65，但也可以代替该加强框架65，或者与其一同在横向上配置多列在纵向上延伸的加强框架。通过使用配置有加强框架65的框架60，在该框架60，在纵向及横向排列并固定多个上述说明的各种实施方式的蒸镀掩模100时，在该加强框架和蒸镀掩模重合的位置也能够将蒸镀掩模固定在金属框架60上。
[0116]对框架60和本发明一实施方式的蒸镀掩模100的固定方法并无特别限定，能够使用基于激光的点焊、粘接剂、螺纹固定等而固定。
[0117][带框架的蒸镀掩模]
[0118]接着，对本发明一实施方式的带框架的蒸镀掩模予以说明。本发明一实施方式的带框架的蒸镀掩模200如图15、图16所示，其特征在于:在框架60固定蒸镀掩模100，被固定在框架上的蒸镀掩模100为上述说明的蒸镀掩模100。即，作为固定在框架60上的蒸镀掩模，在设有与要蒸镀制作的图案对应的开口部25的树脂掩模20的一面上层积设有与开口部25重合的缝隙15的金属掩模10，另外，用于构成树脂掩模20的开口部25的内壁面在厚度方向截面中具有至少一个拐点(SI)，在该厚度方向截面中，将树脂掩模20的不与金属掩模10相接侧的面即第一面和内壁面的交点设为第一交点(Ql)，将树脂掩模20的与金属掩模10相接侧的面即第二面和内壁面的交点设为第二交点(Q2)，将拐点中从第一交点(Ql)朝向第二交点(Q2)位于最初位置的拐点设为第一拐点(SI)时，连接第一交点(Ql)和第一拐点(SI)的直线(Tl)与第一面所构成的角度(Θ1)大于连接第一拐点(SI)和第二交点(Q2)的直线(T2)与第二面所构成的角度(Θ2)，内壁面在厚度方向截面具有从第一面朝向第二面侧扩大的形状。
[0119]带框架的蒸镀掩模200能够直接使用在上述有机半导体元件的制造方法中说明的带框架的蒸镀掩模，在此省略其详细说明。
[0120]根据一实施方式的带框架的蒸镀掩模200，能够在保持开口部的强度的同时充分抑制阴影的产生，能够在蒸镀对象物制作高精细的蒸镀图案。
【主权项】
1.一种蒸镀掩模，在设有与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模的一面上层积设有缝隙的金属掩模而构成，其特征在于， 用于构成所述树脂掩模的所述开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点，在所述厚度方向截面，将所述树脂掩模的不与所述金属掩模相接侧的面即第一面和所述内壁面的交点设为第一交点，将所述树脂掩模的与所述金属掩模相接侧的面即第二面和所述内壁面的交点设为第二交点，将所述拐点中从所述第一交点朝向第二交点位于最初位置的拐点设为第一拐点时，使连接所述第一交点和所述第一拐点的直线与所述第一面所构成的角度(Θ1)大于连接所述第一拐点和所述第二交点的直线与所述第二面所构成的角度(Θ2)， 所述内壁面在厚度方向截面具有从所述第一面朝向所述第二面侧扩大的形状。2.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于， 连接所述第一拐点和所述第一交点的直线与所述第一面所构成的角度(Θ1)为60°?90°的范围， 连接所述第一拐点和所述第二交点的直线与所述第二面所构成的角度(Θ2)为30°?70°的范围内。3.如权利要求1或2所述的蒸镀掩模，其特征在于， 在所述金属掩模设置多个缝隙， 在所述树脂掩模设有为了构成多个画面所需的开口部， 各所述缝隙设置在至少与一画面整体重合的位置上。4.如权利要求1或2所述的蒸镀掩模，其特征在于， 在所述金属掩模设置一个缝隙， 在所述树脂掩模设置多个开口部， 所述多个开口部的全部设置在与所述一个缝隙重合的位置上。5.如权利要求1?4中任一项所述的蒸镀掩模，其特征在于， 所述树脂掩模的厚度为3μπι以上且小于ΙΟμπι。6.一种带框架的蒸镀掩模，将蒸镀掩模固定在框架上而构成，其特征在于， 所述蒸镀掩模在设有与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模的一面上层积设有缝隙的金属掩模而构成， 用于构成所述树脂掩模的所述开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点，在所述厚度方向截面，将所述树脂掩模的不与所述金属掩模相接侧的面即第一面和所述内壁面的交点设为第一交点，将所述树脂掩模的与所述金属掩模相接侧的面即第二面和所述内壁面的交点设为第二交点，将所述拐点中从所述第一交点朝向第二交点位于最初位置的拐点设为第一拐点时，连接所述第一交点和所述第一拐点的直线与所述第一面所构成的角度(Θ1)大于连接所述第一拐点和所述第二交点的直线与所述第二面所构成的角度(Θ2)， 所述内壁面在厚度方向截面具有从所述第一面朝向所述第二面侧扩大的形状。7.一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于， 包含使用将蒸镀掩模固定在框架上的带框架的蒸镀掩模在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的工序， 在形成所述蒸镀图案的工序中，被固定在所述框架上的所述蒸镀掩模在设有与要蒸镀制作的图案对应的开口部的树脂掩模的一面上层积设有缝隙的金属掩模而构成， 用于构成所述树脂掩模的所述开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点，在所述厚度方向截面，将所述树脂掩模的不与所述金属掩模相接侧的面即第一面和所述内壁面的交点设为第一交点，将所述树脂掩模的与所述金属掩模相接侧的面即第二面和所述内壁面的交点设为第二交点，将所述拐点中从所述第一交点朝向第二交点位于最初位置的拐点设为第一拐点时，连接所述第一交点和所述第一拐点的直线与所述第一面所构成的角度(Θ1)大于连接所述第一拐点和所述第二交点的直线与所述第二面所构成的角度(Θ2)， 所述内壁面在厚度方向截面具有从所述第一面朝向所述第二面侧扩大的形状。
【专利摘要】提供蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模，及提供精度良好的有机半导体元件的制造方法。在设有与蒸镀图案对应的开口部的树脂掩模的面上层积设有缝隙的金属掩模而构成的蒸镀掩模中，树脂掩模的开口部的内壁面在厚度方向截面具有至少一个拐点，将树脂掩模的不与金属掩模相接侧的面(第一面)和内壁面的交点设为第一交点，将树脂掩模的与金属掩模相接侧的面(第二面)与内壁面的交点设为第二交点，使将从第一交点朝向第二交点位于最初的拐点(第一拐点)和第一交点连接的直线与第一面所构成的角度(01)大于将第一拐点和第二交点连接的直线和第二面所构成的角度，并且将厚度方向截面中的内壁面的形状设成从第一面朝向第二面侧扩大的形状，由此即使在大型化的情况下，也可满足高精细化和轻量化，并且可在保持开口部的强度的同时，抑制阴影产生。
【IPC分类】H01L51/50, C23C14/24, H05B33/10
【公开号】CN105637113
【申请号】CN201480056597
【发明人】武田利彦, 小幡胜也, 川崎博司
【申请人】大日本印刷株式会社
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月9日
【公告号】WO2015072251A1