一种CoxPy多孔纳米片及其合成方法和应用与流程

技术特征：

1.一种Co_xP_y多孔纳米片，其特征在于：所述Co_xP_y多孔纳米片的孔隙率为68.29％，每个通孔的孔径为3～4nm，每个Co_xP_y多孔纳米片的厚度为5～10nm。

2.一种权利要求1所述Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，其特征在于：先通过水热法合成氢氧化钴前驱物；将上述氢氧化钴前驱物在富氧氛围下退火处理，得到钴的氧化物多孔纳米片；最后将钴的氧化物在所需溶剂和所需温度下进行磷化处理，得到Co_xP_y多孔纳米片。

3.根据权利要求2所述的Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，其特征在于：所述磷化处理的温度为280～380℃，时间为2～20h。

4.根据权利要求2所述的Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

步骤1，将所需量的钴盐、表面活性剂和尿素，加入到体积比为1∶1的水和伯醇的混合溶剂中，在不断搅拌下，得到混合液A；

步骤2，将混合液A于室温下，继续搅拌一段时间，然后转移至反应釜中，于一定温度下反应一段时间，冷却后得到产物I；

步骤3，将产物I置于管式炉中，于富氧氛围下进行退火处理，得到产物II；

步骤4，将产物II分散在溶剂中，于一定温度下加入含磷化合物进行磷化处理，即可得到所需产物。

5.根据权利要求4所述的Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，其特征在于：步骤1中，每加入1mmol钴盐，所需表面活性剂的加入量为0.125～1.5g。

6.根据权利要求4所述的Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，其特征在于：步骤2中，在反应釜中的反应温度为100～220℃。

7.根据权利要求4所述的Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，其特征在于：步骤3中，于富氧氛围下，反应温度为200～350℃，升温速率为1～5℃/min。

8.根据权利要求4所述的Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，其特征在于：步骤4中，所述含磷化合物为红磷、白磷、NH₄H₂PO₄、三辛基膦或三苯基磷中的一种。

9.根据权利要求4所述的Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，其特征在于：步骤4中，所述磷化处理的温度为280～380℃，升温速率为5～10℃/min，时间为2～20h。

10.权利要求1所述Co_xP_y多孔纳米片于不同介质环境中在电催化析氢和电催化吸氧方面的应用。