蒸镀装置的制作方法

本发明涉及利用线性蒸发源的蒸镀装置。

背景技术：

通常，在半导体制造工艺中，在晶片表面形成由特定物质制成的薄膜或者在制造大型平板显示装置的过程中，将蒸镀装置用于在玻璃基板等的表面上形成所需物质的薄膜。

这种蒸镀装置包括：真空室；安装部，用于在真空室设置晶片或基板(以下，称为“基板”)；以及线性蒸发源，用于使薄膜形成用物质蒸发到基板表面上。

尤其，线性蒸发源包括：坩埚，用于盛放薄膜形成用物质；加热器，用于加热坩埚；以及多个蒸镀用喷嘴，线性排列，用于将加热的薄膜形成用物质喷射到基板的表面。

然而，传统的蒸镀装置存在粘在蒸镀用喷嘴的污染物被喷射或掉落并污染基板的表面的问题。

而且，存在因每个蒸镀用喷嘴的喷射量不同而导致蒸镀在基板表面上的薄膜形成用物质的蒸镀厚度产生偏差的问题。即，存在如下问题：在线性蒸发源中，以薄膜形成用物质的移动方向为基准，各个蒸镀用喷嘴中的相对位于后端侧的蒸镀用喷嘴的喷射量有可能相对较小，从而导致基板上的蒸镀厚度产生偏差。

并且，即使使用两个线性蒸发源来蒸镀两种不同的薄膜形成用物质，用于产生所需的蒸镀率的温度(以下，称为“所需蒸镀率产生温度”)也各不相同，而存在两种薄膜形成用物质蒸镀率产生偏差的问题。例如，当每个线性蒸发源的坩埚温度相同时，对于所需蒸镀率产生温度相对高的薄膜形成用物质，存在蒸镀率相对较低的问题，在通过提高线性蒸发源的坩埚温度来提高具有高所需蒸镀率产生温度的薄膜形成用物质的蒸镀率的情况下，存在线性蒸发源的热稳定性降低的问题。

技术实现要素：

技术问题

本发明的目的为提供一种如下的蒸镀装置，即，可保护基板表面免受粘在蒸镀用喷嘴上的污染物污染。

本发明的再一目的为提供如下的蒸镀装置，即，可使蒸镀在基板表面的薄膜形成用物质的蒸镀厚度的偏差最小化。

本发明的另一目的为提供如下的蒸镀装置，即，上述蒸镀装置可同时蒸镀至少两种具有不同的用于产生所需的蒸镀率的温度(以下称为“所需蒸镀率温度”)的薄膜形成用物质，而且防止蒸镀率相对降低，同时可确保线性蒸发源的热稳定性。

本发明的还有一目的为提供如下的蒸镀装置，即，上述蒸镀装置能够使至少两种不同的薄膜形成用物质的蒸镀率比尽量在基板上的所有位置相同。

解决问题的方案

为了实现上述目的，用于在基板上蒸镀一种以上的薄膜形成用物质的本发明实施例的蒸镀装置包括：第一线性蒸发源，具有使得用于将第一薄膜形成用物质喷射到上述基板上的多个蒸镀用喷嘴沿着第一方向长长地排列的第一传导管；固定型遮挡部件，包括通道区域部以及遮挡区域部，上述通道区域部设置于上述第一传导管与上述基板之间，用于使得所喷射的上述第一薄膜形成用物质的一部分朝向上述基板通过，上述遮挡区域部用于阻挡第一薄膜形成用物质的剩余部分；以及第一防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，用于防止粘在多个上述蒸镀用喷嘴中的至少一个蒸镀用喷嘴上的污染物移动到上述基板。

上述第一防污染部件可通过横穿上述通道区域来将上述通道区域部分为第一通道区域及第二通道区域。

上述第一防污染部件可沿着第一方向横穿上述通道区域部来长长地设置，多个上述蒸镀用喷嘴能够以对应于上述第一防污染部件的方式排列。

本发明实施例的上述蒸镀装置还可包括第一旋转型遮挡部件，上述第一旋转型遮挡部件以可通过第一铰链轴旋转的方式设置于上述固定型遮挡部件，用于调节上述第一通道区域的宽度。

上述第一铰链轴可设置于上述固定型遮挡部件的上述遮挡区域部，并设置在相对于上述第一防污染部件的侧面的中心垂直的位置。

通过第一旋转型遮挡部件的旋转，上述第一通道区域的宽度朝向上述第一传导管的前端逐渐线性减小且朝向上述第一传导管的末端逐渐线性增大。

本发明实施例的上述蒸镀装置还可包括第二旋转型遮挡部件，上述第二旋转型遮挡部件以可通过第二铰链轴旋转的方式设置于上述固定型遮挡部件，用于以使第二通道区域的宽度朝向上述第一传导管的前端逐渐线性减小且朝向上述第一传导管的末端逐渐线性增大的方式调节上述第二通道区域的宽度。

本发明实施例的上述蒸镀装置还可包括：第一驱动部及第二驱动部，分别对上述第一旋转型遮挡部件及上述第二旋转型遮挡部件施加旋转力；前端侧蒸镀率传感器，设置于上述固定型遮挡部件的上述遮挡区域部中的对应于上述第一传导管前端部的第一部分来测定蒸镀率；以及末端侧蒸镀率传感器，设置于上述固定型遮挡部件的上述遮挡区域部中的对应于上述第一传导管的末端部的第二部分来测定蒸镀率。

若由上述前端侧蒸镀率传感器测定的前端侧蒸镀率大于由上述后端侧蒸镀率传感器测定的末端侧蒸镀率，则上述第一驱动部及上述第二驱动部分别使第一旋转型遮挡部件及第二旋转型遮挡部件各自旋转，来使得上述第一通道区域及上述第二通道区域各自的宽度朝向上述第一传导管的前端逐渐线性减小且朝向上述第一传导管的末端逐渐线性增大。

本发明实施例的上述蒸镀装置还可包括：第二传导管，位于上述第一传导管的左侧，用于引导第二薄膜形成用物质；以及第三传导管，位于上述第一传导管的右侧，用于引导属于与上述第二薄膜形成用物质相同的物质的第三薄膜形成用物质，上述第二薄膜形成用物质及上述第三薄膜形成用物质为用于产生所需蒸镀率的所需蒸镀率产生温度高于上述第一薄膜形成用物质的物质。

本发明实施例的上述蒸镀装置还可包括：第二防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，以与上述第二传导管相对应的方式设置；以及第三防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，以与上述第三传导管相对应的方式设置。

上述第二传导管及上述第三传导管可分别包括在互不相同的第二线性蒸发源及第三线性蒸发源。

上述第二传导管及上述第三传导管可平行于第一传导管，上述第二传导管、上述第一传导管以及上述第三传导管可按上述第二传导管、上述第一传导管以及上述第三传导管的顺序设置成圆弧状。

上述圆弧的中心可位于上述基板的第一部分，上述第一部分可为与上述通道区域部的中心相对应的部分。

本发明实施例的上述蒸镀装置还可包括分别设置于上述第一传导管、第二传导管以及第三传导管来分别测定蒸镀率的一个以上的蒸镀率测定部。

上述蒸镀率测定部可包括：测定用喷嘴，分别与上述第一传导管、第二传导管以及第三传导管连通；测定用传导管，一端分别设置于上述第一传导管、第二传导管以及第三传导管，用于引导从上述测定用喷嘴喷射的薄膜形成用物质；以及传导管侧蒸镀率传感器，设置于上述测定用传导管的另一端，用于测定所喷射的上述薄膜形成用物质的蒸镀率。

一个以上的上述蒸镀率测定部可包括：前端侧蒸镀率测定部，设置于上述第一传导管、第二传导管、第三传导管各自的前端部，以测定各自的蒸镀率；以及末端侧蒸镀率测定部，设置于上述第一传导管、第二传导管、第三传导管各自的末端部，以测定各自的蒸镀率。

本发明实施例的上述蒸镀装置还可包括基板移送部，用于沿着第二方向移送上述基板，上述第一方向及上述第二方向相互垂直。

发明的效果

如上所述，本发明实施例的蒸镀装置可以具有以下效果。

根据本发明的实施例，所提供的技术结构包括：第一线性蒸发源，具有用于引导第一薄膜形成用物质的第一传导管；固定型遮挡部件，具有通道区域部和遮挡区域部；以及第一防污染部件，因此，可使得粘在第一传导管的多个蒸镀用喷嘴中的一种以上的污染物在移动到基板表面之前被第一防污染部件阻挡，从而可保护基板表面免受污染。

并且，根据本发明的实施例，由于提供了还包括第一旋转型遮挡部件的技术结构，因此即使每个蒸镀用喷嘴的喷射量朝向第一传导管的后端逐渐减小，固定型遮挡部件的第一通道区域的宽度因第一旋转型遮挡部件的旋转而朝向第一传导管的前端逐渐线性减小且朝向第一传导管的后端逐渐线性增大，可使得相对于第一传导管的长度方向可产生的基板上的蒸镀厚度的偏差最小化。

并且，根据本发明的实施例，提供了还包括分别引导第二薄膜形成用物质和第三薄膜形成用物质的第二传导管和第三传导管的技术结构，因此，即使属于相同物质的第二薄膜形成用物质和第三薄膜形成用物质的所需蒸镀率产生温度高于作为另一种物质的第一薄膜形成用物质的所需蒸镀率产生温度，属于相同物质的第二薄膜形成用物质和第三薄膜形成用物质从作为两个传导管的第二传导管和第三传导管供给，在防止物质的蒸镀率相对降低的同时能够以相对低的第一薄膜形成用物质的所需蒸镀率产生温度充分运转，从而可确保每个线性蒸发源的热稳定性。例如，在第一线性蒸发源、第二线性蒸发源及第三线性蒸发源的坩埚温度相同的情况下，对所需蒸镀率产生温度相对高的薄膜形成用物质而言，也会从第二线性蒸发源及第三线性蒸发源供给属于相同物质的第二薄膜形成用物质及第三薄膜形成用物质，因而可防止物质的蒸镀率相对下降的问题，与此同时，能够以相对低的第一薄膜形成用物质的所需蒸镀率产生温度运转，从而可确保各个线性蒸发源的热稳定性。

并且，根据本发明的实施例，提供第二传导管和第三传导管平行于第一传导管且使得第二传导管、第一传导管以及第三传导管按第二传导管、第一传导管以及第三传导管的顺序排列成圆弧状的技术结构，因此，可使至少两种不同的薄膜形成用物质的蒸镀率比尽量在基板上的所有位置相同。

附图说明

图1为简要示出本发明第一实施例、第二实施例、第三实施例的分别在蒸镀装置中使用的线性蒸发源的局部剖切截面图。

图2为简要示出本发明第一实施例的蒸镀装置的图。

图3为在第一传导管观察的图2中的蒸镀装置的图。

图4为示出在第一传导管观察的本发明第一实施例的变形例的蒸镀装置的图。

图5为简要示出本发明第二实施例的蒸镀装置的图。

图6为简要示出本发明第三实施例的蒸镀装置的图。

图7为示出在图5中的蒸镀装置中基于基板的移送坐标来产生的蒸镀率的变化的曲线图。

图8为示出在图6中的蒸镀装置中基于基板的移送坐标来产生的蒸镀率的变化的曲线图。

图9为对图5中的蒸镀装置(配置成直线型)和图6中的蒸镀装置(配置成圆弧状)进行比较，示出基于基板的移送坐标来产生的蒸镀率比的变化的曲线图。

图10的(a)部分为简要示出设置于每个传导管的蒸镀率测定部的图，图10的(b)部分为示出分别设置于传导管的前端和后端的前端侧蒸镀率测定部和后端侧蒸镀率测定部的图。

具体实施方式

以下，以附图作为参考，对本发明的实施例进行详细说明，以便于本发明所属技术领域的普通技术人员实施。然而，本发明可以以多种不同实施方式体现，并不限定于在此说明的实施例。

图1为简要示出本发明第一实施例、第二实施例、第三实施例的分别在蒸镀装置中使用的线性蒸发源的局部剖切截面图，图2为简要示出本发明第一实施例的蒸镀装置的图，而且，图3为在第一传导管观察的图2中的蒸镀装置的图。

如图1至图3所示，本发明第一实施例的蒸镀装置100为用于在基板10上蒸镀一种以上的薄膜形成用物质的蒸镀装置，包括第一线性蒸发源110、固定型遮挡部件120以及第一防污染部件130。以下，继续参照图1至图3，来详细说明各个结构要素。

如图1及图2所示，第一线性蒸发源110为通过使第一薄膜形成用物质a蒸发并喷射到基板10的装置。例如，如图1所示，第一线性蒸发源110可包括：坩埚113，用于承装第一薄膜形成用物质a；第一传导管112，为了沿着第一方向引导坩埚113中的第一薄膜形成用物质a而沿着第一方向长长地排列；加热器114，用于加热坩埚113和第一传导管112；以及多个蒸镀用喷嘴111，沿着第一传导管112的长度方向线性排列，用于向基板10喷射第一传导管112的第一薄膜形成用物质a。作为参考，以图1为基准，第一传导管112的前端为图1中的左侧部分，属于与坩埚113相邻的部分，第一传导管112的末端为图1中的右侧部分，属于距离坩埚113最远的部分。并且，当以图3为基准时，尽管图3中未示出第一传导管112，但是以假设第一传导管112的前端朝向图3的顶部且第一传导管112的末端朝向图1的底部的方式示出。

如图2及图3所示，固定型遮挡部件120为以使得从各个蒸镀用喷嘴111喷射的第一薄膜形成用物质a仅被引导到基板10的方式遮挡部分的结构要素。例如，如图2及图3所示，固定型遮挡部件120可包括：通道区域部121，设置于第一传导管112与基板10之间，用于使得所喷射的第一薄膜形成用物质a的一部分朝向基板10通过，以使得第一薄膜形成用物质a被引导到基板10的蒸镀区域；以及遮挡区域部122，用于阻挡第一薄膜形成用物质a中朝向基板10的蒸镀区域以外的其余部分。

第一防污染部件130为防止粘在多个蒸镀用喷嘴111中的至少一个蒸镀用喷嘴的污染物向基板10移动的结构要素，如图2及图3所示，可以设置于固定型遮挡部件120。因此，粘在第一传导管112的多个蒸镀用喷嘴111中的至少一个的污染物在向基板10的表面移动之前被第一防污染部件130阻挡，从而保护基板10的表面免受污染物污染。

同时，如图3所示，第一防污染部件130可通过横穿通道区域部121来将通道区域部121分为第一通道区域121a以及第二通道区域121b。并且，第一防污染部件130可通过横穿通道区域部121来沿着上述第一方向长长地设置(参照图3)，多个蒸镀用喷嘴111以将相对于基板10的垂直距离作为基准来与第一防污染部件130相对应的方式排列(参照图2)。

与此同时，如图2及图3所示，本发明第一实施例的上述蒸镀装置100还可包括第一旋转型遮挡部件140。第一旋转型遮挡部件140以可通过第一铰链轴141旋转的方式设置于固定型遮挡部件120，用于调节第一通道区域121a的宽度(参照图3中的“w”)。因此，可通过调节第一通道区域121a的宽度(参照图3中的“w”)，来使蒸镀在基板10表面上的第一薄膜形成用物质a的蒸镀厚度的偏差最小化。

尤其，如图3所示，第一铰链轴141可设置于固定型遮挡部件120的遮挡区域部122且相对于第一防污染部件130的侧面的中心垂直的位置。进而，如图3所示，第一通道区域121a的宽度(参照图3中的“w”)可通过第一旋转型遮挡部件140的旋转来朝向第一传导管112的前端逐渐线性减小且朝向第一传导管112的末端逐渐线性增大。由此，即使每个蒸镀用喷嘴111的喷射量朝向第一传导管112的后端逐渐减小，但由于固定型遮挡部件120的第一通道区域121a的宽度(参照图3的“w”)可通过第一旋转型遮挡部件140的旋转来朝向第一传导管112的前端逐渐线性减小且朝向第一传导管112的末端逐渐线性增大，因而可使得在第一传导管的长度方向上有可能产生的基板10上的蒸镀厚度的偏差进一步最小化。

与此同时，如图2及图3所示，本发明第一实施例的蒸镀装置100还可包括以可通过第二铰链轴151旋转的方式设置于固定型遮挡部件120的第二旋转型遮挡部件150，上述第二旋转型遮挡部件150能够以第二通道区域121b的宽度w朝向第一传导管112的前端逐渐线性减小且朝向第一传导管112的末端逐渐线性增大的方式调节第二通道区域121b的宽度。因此，对于通过固定型遮挡部件120的第二通道区域121b的第一薄膜形成用物质a，也可使基板10上的蒸镀厚度的偏差最小化。

与此同时，如图2所示，本发明第一实施例的蒸镀装置还可包括基板移送部190，用于沿着第二方向移送基板10。其中，第二方向可垂直于第一方向。

以下，参照图4，详细说明本发明第一实施例的变形例的蒸镀装置。

图4为示出在第一传导管观察的本发明第一实施例的变形例的蒸镀装置的图。

如图4所示，在本发明第一实施例的变形例的蒸镀装置中，除了还包括第一驱动部161及第二驱动部162、前端侧蒸镀率传感器170以及末端侧蒸镀率传感器180以外，与如上所述的本发明的第一实施例相同，因此，以下主要说明第一驱动部161及第二驱动部162、前端侧蒸镀率传感器170以及末端侧蒸镀率传感器180。

第一驱动部161及第二驱动部162分别为分别对第一旋转型遮挡部件140及第二旋转型遮挡部件150施加旋转力的结构要素。例如，第一驱动部161及第二驱动部162可使用马达。

前端侧蒸镀率传感器170为设置于固定型遮挡部件120的遮挡区域部122中的对应于第一传导管112的前端部的第一部分来测定蒸镀率的结构要素，末端侧蒸镀率传感器180为设置于固定型遮挡部件120的遮挡区域部122中的对应于第一传导管112的末端部的第二部分来测定蒸镀率的结构要素。

因此，若由前端侧蒸镀率传感器170测定的前端侧蒸镀率大于由末端侧蒸镀率传感器180测定的末端侧蒸镀率，则第一驱动部161及第二驱动部162分别使第一旋转型遮挡部件140及第二旋转型遮挡部件150各自旋转，来使得第一通道区域121a及第二通道区域121b各自的宽度w朝向第一传导管112的前端逐渐线性减小且朝向第一传导管112的末端逐渐线性增大，从而使基板10上的蒸镀厚度的偏差进一步最小化。

以下，参照图5，说明本发明第二实施例的蒸镀装置200。

图5为简要示出本发明第二实施例的蒸镀装置的图。

如图5所示，在本发明第二实施例的蒸镀装置200中，除了还包括第二传导管222和第三传导管232以外，与如上所述的本发明第一实施例的变形例相同，因此，以下主要说明第二传导管222和第三传导管232。

第二传导管222位于第一传导管112的左侧(以图5为基准的左侧)，用于引导第二薄膜形成用物质b-1，第三传导管232位于第一传导管112的右侧(以图5为基准的右侧)，用于引导属于与第二薄膜形成用物质b-1相同的物质的第三薄膜形成用物质b-2。尤其，属于相同物质的第二薄膜形成用物质b-1及第三薄膜形成用物质b-2的所需蒸镀率产生温度可以高于属于不同物质的第一薄膜形成用物质a的所需蒸镀率产生温度。进而，第二传导管222、第一传导管112以及第三传导管232能够以直线型配置于与基板10平行的直线l上。并且，第二传导管222及第三传导管232分别包括在互不相同的第二线性蒸发源220及第三线性蒸发源230(参照图1)。

因此，即使属于相同物质的第二薄膜形成用物质b-1及第三薄膜形成用物质b-2的所需蒸镀率产生温度高于属于不同物质的第一薄膜形成用物质a的所需蒸镀率产生温度，但属于相同物质的第二薄膜形成用物质b-1及第三薄膜形成用物质b-2从作为两个传导管的第二传导管222及第三传导管232供给，因此，在防止物质的蒸镀率相对降低的同时能够以相对低的第一薄膜形成用物质a的所需蒸镀率产生温度充分实现所需蒸镀率，从而可确保每个线性蒸发源110、220、230的热稳定性。例如，在第一线性蒸发源110、第二线性蒸发源220、第三线性蒸发源230的坩埚113的温度相同的情况下，对于具有相对高的所需蒸镀率产生温度的薄膜形成用物质，可以从第二线性蒸发源220及第三线性蒸发源230供给属于相同物质的第二薄膜形成用物质b-1及第三薄膜形成用物质b-2，因此，可防止此物质的蒸镀率相对下降的问题，与此同时，能够以相对低的第一薄膜形成用物质a的所需蒸镀率产生温度充分获得所需蒸镀率，从而可以确保线性蒸发源110、220、230各自的热稳定性。

与此同时，如图5所示，本发明的上述第二实施例的蒸镀装置200还可包括第二防污染部件240和第三防污染部件250。第二防污染部件240设置于固定型遮挡部件120，能够以相对于基板10的垂直距离为基准来以与第二传导管222相对应的方式设置，第三防污染部件250设置于固定型遮挡部件120，能够以相对于基板10的垂直距离为基准来以与第三传导管232相对应的方式设置。因此，可通过第二防污染部件240阻挡粘在第二传导管222的蒸镀用喷嘴上的污染物并防止移动到基板10，可通过第三防污染部件250阻挡粘在第三传导管232的蒸镀用喷嘴上的污染物并防止移动到基板10。

以下，参照图6至图10来说明本发明第三实施例的蒸镀装置300。

图6为简要示出本发明的第三实施例的蒸镀装置的图，图7为示出在图5中的蒸镀装置中基于基板的移送坐标来产生的蒸镀率的变化的曲线图，图8为示出在图6中的蒸镀装置中基于基板的移送坐标来产生的蒸镀率的变化的曲线图，而且，图9为对图5中的蒸镀装置(配置成直线型)和图6的蒸镀装置(配置成圆弧状)进行比较，示出基于基板的移送坐标来产生的蒸镀率比的变化的曲线图。

图10的(a)部分简要示出设置于各个传导管的蒸镀率测定部的图，图10的(b)部分示出分别设置于传导管的前端和后端的前端侧蒸镀率测定部和后端侧蒸镀率测定部的图。

如图6所示，在本发明第三实施例的蒸镀装置300中，除第一传导管112、第二传导管222及第三传导管232的配置形态之外，与如上所述的本发明的第二实施例相同，因此，以下主要说明第一传导管112、第二传导管222及第三传导管232的配置形态。

第二传导管222及第三传导管232可平行于第一传导管112，第二传导管222、第一传导管112以及第三传导管232能够按第二传导管222、第一传导管112以及第三传导管232的顺序设置成圆弧状(图6中的310)。因此，由于基板10的蒸镀率(蒸镀厚度)与蒸镀喷嘴的距离的平方成反比，因此，如上所述，第二传导管222和第三传导管232以位于其中心的第一传导管112为基准来倾斜成圆弧状，从而可使得属于相同物质的第二薄膜形成用物质b-1和第三薄膜形成用物质b-2的蒸镀率与属于不同物质的第一薄膜形成用物质a的蒸镀率之间的蒸镀率比的偏差最小化。

通过实验确认的结果，如本发明的第二实施例，在第二传导管222、第一传导管112以及第三传导管232配置成直线型的情况下，如图7所示，可以确认到第一薄膜形成用物质a、第二薄膜形成用物质b-1以及第三薄膜形成用物质b-2的蒸镀率分布根据基板10的移送坐标而不同。

相反，通过实验确认的结果，如本发明的第三实施例，在第二传导管222、第一传导管112以及第三传导管232配置成圆弧状的情况下，如图8所示，第一薄膜形成用物质a、第二薄膜形成用物质b-1以及第三薄膜形成用物质b-2的蒸镀率分布根据基板10的移送坐标尽可能相同。尤其，如图9所示，通过实验确认的结果，在以本发明的第二实施例的方式配置成直线型的情况下，根据基板10的位置，蒸镀率比发生变化，相反，在以如上所述的本发明第三实施例的方式配置成圆弧状的情况下，属于相同物质的第二薄膜形成用物质b-1及第三薄膜形成用物质b-2的蒸镀率与属于不同物质的第一薄膜形成用物质a的蒸镀率之间的比在基板上的所有位置大致显示相同的值(2.0)。这是因为，在以如上所述的本发明的第三实施例的方式配置成圆弧状的情况下，在基板10上的所有位置，能够以相同的组成比得到化合物，即，能够得到第二薄膜形成用物质b-1及第三薄膜形成用物质b-2之和与第一薄膜形成用物质a之间呈2:1。

进而，例如，如图6所示，上述圆弧310的中心ac可以位于基板10上的第一部分，第一部分可以为与通道区域部121的中心相对应的部分。

与此同时，如图10的(a)部分所示，本发明第三实施例的蒸镀装置300还可包括分别设置于上述第一传导管112、第二传导管222以及第三传导管232来分别测定蒸镀率的一个以上的蒸镀率测定部320。因此，可以针对每一个传导管112、222、232独立地测定蒸镀率，并且可更精确地管理蒸镀率。

例如，如图10的(b)部分所示，各个蒸镀率测定部320可包括测定用喷嘴321、测定用传导管322以及传导管侧蒸镀率传感器323。测定用喷嘴321可分别与第一传导管112、第二传导管222以及第三传导管232连通，测定用传导管322的一端设置于各个第一传导管112、第二传导管222以及第三传导管232，用于引导从测定用喷嘴321喷射的薄膜形成用物质，并且，传导管侧蒸镀率传感器323可通过设置于测定用传导管322的另一端来测定所喷射的薄膜形成用物质的蒸镀率。尤其，还可在测定用传导管322设置以使从测定用传导管322的内壁释放的物质的影响最小化的方式冷却测定用传导管322内壁的冷却套(未示图)。进而，测定用传导管322的一端通过凸缘等的结合单元(未示图)来分别与第一传导管112、第二传导管222以及第三传导管232相结合，测定用传导管322的另一端也可以通过凸缘等的结合单元(未示图)来与传导管侧蒸镀率传感器323的模块相结合。

进而，考虑到传导管的前端部与末端部的蒸镀率不同，如图10的(b)所示，一个以上的蒸镀率测定部320可包括：前端侧蒸镀率测定部320，设置于第一传导管112、第二传导管222以及第三传导管232各自的前端部，以测定各自的蒸镀率；以及末端侧蒸镀率测定部320，设置于第一传导管112、第二传导管222以及第三传导管232各自的末端部，以测定各自的蒸镀率。

以上，对本发明的优选实施例进行了详细说明，但本发明的权利范围并不限定于此，利用在本发明的发明要求保护范围中定义的本发明的基本概念来由本领域技术人员进行的多种变形及改良实施方式也属于本发明的权利范围。

产业上的可利用性

本发明涉及利用线性蒸发源的蒸镀装置，可用于半导体等的生产，从而具有产业上的可利用性。