管B。制作的方法没有特别的 限定，可以使用公知的方法。
[0121] 4.有机EL层制作工序
[0122] 有机EL层制作工序包括第1工序和第2工序。在第1工序中，形成平坦化层301。 作为形成平坦化层301的方法，对感光性透明树脂，可以举出旋涂法、狭缝涂布法、喷墨法 等。此时，为了在第2工序中形成连接部300,需要预先在平坦化层301上设置开口部。平 坦化层的膜厚通常为l〇〇nm~2μm左右，但是并不限定于此。
[0123] 在第2工序中，首先同时形成连接部300和下部电极302。作为形成这些的方法， 可以举出溅射法、真空蒸镀法、离子镀法等。这些电极的膜厚，通常为50nm~200nm左右， 但是，并不限定于此。此后，形成空穴输送层303、发光层304、电子输送层305、以及作为有 机EL元件1的阴极的上部电极306。作为形成这些的方法，可以使用真空蒸镀法或涂布法 等、适合所使用的材料和叠层结构的方法。另外，有机EL元件1的有机层的构成，不限于本 实施例的记载，也可以取舍选择其他空穴注入层、电子输送层、空穴阻挡层、电子阻挡层等、 公知的有机层。
[0124] 5.封装工序
[0125] 在封装工序中，有机EL层C通过封装部件307从上部电极306上被封装。作为封 装部件307,可以由玻璃、树脂、陶瓷、金属、金属化合物或者它们的复合体等形成，可以适时 选择最佳的材料。
[0126] 6.剥离工序
[0127] 在剥离工序中，将制作的有机EL元件1从支撑材料500上剥离。作为实现剥离工 序的方法，可以举出例如物理地从支撑材料500剥离的方法。此时，也可以在支撑材料500 上设置剥离层，也可以在支撑材料500与显示元件之间插入金属线（wire)进行剥离。另外， 作为其它方法，可以举出：并非仅在支撑材料500的端部设置剥离层，而是在元件制作后从 端部切断内侧，取出元件的方法；在支撑材料500与元件之间设置由硅层等形成的层，通过 照射激光进行剥离的方法；对支撑材料500加热，将支撑材料500与透明基板分离的方法； 利用溶剂除去支撑材料500的方法等。这些方法可以单独使用，也可以组合任意的多种方 法使用。在一个或多个实施方式中，聚酰胺膜与支撑材料之间的粘接能够利用硅烷偶联剂 进行控制，由此有机EL元件1能够物理地剥离，而不使用上述复杂工序。
[0128][表示装置、光学装置、照明装置]
[0129] 本发明在其方式中，涉及使用了本发明的显示器用元件、光学用元件或照明用元 件的显示装置、光学装置或照明装置，另外也涉及了它们的制造方法。并不限定于这些，作 为上述显示装置，可以列举摄像元件等，作为光学装置，可以列举光/电复合电路等，作为 照明装置，可以列举TFT-IXD、0EL照明等。
[0130][传感器元件]
[0131] 本发明中的"传感器元件"，在未被限定的一个或多个实施方式中，是具备本发明 的制造方法中使用的由聚酰胺溶液形成的聚酰胺膜的传感器元件。另外，在其它的一个或 多个实施方式中，本发明中的"传感器元件"是在形成于支撑材料上的聚酰胺膜上形成的传 感器元件，另外，在其它的一个或多个实施方式中，是根据需要从上述支撑材料剥离的传感 器元件。作为该传感器元件，在一个或多个实施方式中，可以列举能够接收电磁波的传感器 元件、能够检测出磁场的传感器元件、能够检测静电容量变化的传感器元件、或能够检测压 力变化的元件。该传感器元件，在一个或多个实施方式中，可以列举摄像元件、放射线传感 器元件、光传感器元件、磁传感器元件、静电容量传感器元件、触摸传感器元件或压力传感 器元件等。作为上述放射线传感器元件，在一个或多个实施方式中，可以列举X射线传感器 元件。本发明中的传感器元件，在一个或多个实施方式中，包括使用本发明的聚酰胺溶液制 得的传感器元件、和/或、使用本发明的叠层复合材料制得的传感器元件、和/或、通过本发 明的元件的制造方法制得的传感器元件。另外，本发明的传感器元件的形成，在一个或多个 实施方式中，包括形成光电转换元件及其驱动元件的步骤。
[0132] 利用本发明的制造方法所制造的"传感器元件"，在未被限定的一个或多个实施 方式中，能够用于输入设备，作为该输入设备，在一个或多个实施方式中，可以列举光学、摄 像、磁性、静电容量或压力的输入设备。作为该输入设备，在未被限定的一个或多个实施方 式中，可以列举放射线的摄像装置、可见光的摄像装置、磁性传感器设备、触摸面板、指纹认 证面板、使用压电元件的发光体等。作为上述放射线的摄像装置，在一个或多个实施方式 中，可以列举X射线的摄像装置。另外，本发明中的输入设备，在未被限定的一个或多个实 施方式中，也可以具有作为显示器功能等的输出设备的功能。因此，本发明在其它方式中， 涉及使用了通过本方式的制造方法制得的传感器元件的输入设备、及其制造方法。
[0133] <传感器元件的未被限定的一个实施方式>
[0134] 以下利用图3对能够利用本方式的制造方法制造的传感器元件的一个实施方式 进行说明。
[0135] 图3是表示一个实施方式的传感器元件1的截面示意图。传感器元件1具有多个 像素。该传感器元件10,在基板2的表面形成包括多个光电二极管11A(光电转换元件）和 作为该光电二极管11A的驱动元件的薄膜晶体管（TFT:ThinFilmTransistor) 11B的像素 电路。该基板2为通过本方式的制造方法的工序（A)在支撑材料（未图示）上形成的聚酰 胺膜。并且，在本发明的制造方法的工序（B)中，形成光电二极管11A(光电转换元件）和 作为该光电二极管11A的驱动元件的薄膜晶体管11B。
[0136] 栅极绝缘膜21设置在基板2上，例如利用由氧化硅（Si02)膜、氧氮化硅（SiON) 膜以及氮化硅膜（SiN)中的一种形成的单层膜或由它们中的两种以上形成的叠层膜构成。 第一层间绝缘膜12A设置在栅极绝缘膜21上，例如由氧化硅膜或氮化硅膜等绝缘膜形成。 该第一层间绝缘膜12A还起到作为后述的覆盖薄膜晶体管11B上的保护膜（钝化膜）的功 能。
[0137](光电二极管11A)
[0138] 光电二极管11A经由栅极绝缘膜21和第一层间绝缘膜12A设置在基板2上的选择 性的区域。具体而言，光电二极管11A中，在第一层间绝缘膜12A上依次叠层下部电极24、n 型半导体层25N、i型半导体层25I、p型半导体层25P和上部电极26。上部电极26例如为 用于将光电转换时的基准电位（偏置电位）向上述的光电转换层供给的电极，与作为基准 电位供给用的电源配线的配线层27连接。该上部电极26例如由IT0(IndiumTinOxide) 等透明导电膜构成。
[0139](薄膜晶体管11B)
[0140] 薄膜晶体管11B例如由场效应晶体管（FET:FieldEffectTransistor)构成。在 该薄膜晶体管11B中，在基板2上形成有例如由钛（Ti)、Α1、Μο、钨（W)、铬（Cr)等形成的栅 电极20,在该栅电极20上形成有上述的栅极绝缘膜21。另外，在栅极绝缘膜21上形成有 半导体层22,该半导体层22具有沟道区域。在该半导体层22上形成源电极23S和漏电极 23D。具体而言，在此，漏电极23D与光电二极管11A中的下部电极24连接，源电极23S与 中继电极28连接。
[0141] 在传感器元件1中，在这样的光电二极管11A和薄膜晶体管11B的上层还依次设 置有第二层间绝缘膜12B、第一平坦化膜13A、保护膜14和第二平坦化膜13B。另外，在该第 一平坦化膜13A上，与光电二极管11A的形成区域附近对应，形成有开口部3。
[0142] 在传感器元件1上，例如，能够通过形成波长转换部件，制作放射线摄像装置。
[0143] 关于上述的实施方式，本发明还公开了以下的组合物、制造方法或用途。
[0144] 〈1> 一种聚酰胺的制造方法，包括：工序（a):在溶剂中使二酰氯单体和2种以上 的二胺单体反应而得到聚酰胺；和工序（b):将工序（a)的反应中产生的盐酸物理地除去到 反应体系外，上述二胺单体的至少1种为含羧基的二胺单体。
[0145] 〈2> -种聚酰胺的制造方法，包括：工序（a):在溶剂中使二酰氯单体和2种以上 的二胺单体反应而得到聚酰胺；和工序（c):在工序（a)之前、与工序（a)的开始同时、以及 工序（a)期间中的至少任一时刻，添加能够捕集盐酸的捕集试剂，上述二胺单体的至少1种 为含羧基的二胺单体，上述捕集试剂不含氧化丙烯。
[0146] 〈3>如〈2>所述的制造方法，其中，上述捕集试剂为有机碱或无机碱。
[0147] 〈4>如〈1>~〈3>中任一项所述的制造方法，其中，上述溶剂为非酰胺系有机溶剂、 酰胺系有机溶剂或它们的组合。
[0148] 〈5>如〈1>~〈4>中任一项所述的制造方法，其中，聚酰胺以溶解于溶剂的聚酰胺 溶液的形式而得到。
[0149] 〈6>如〈1>~〈5>中任一项所述的制造方法，其中，二酰氯单体选自下述化合物以 及它们的组合，
[0151][上述式中，p= 4，q= 3，r= 10、&、1?2、1?3、1?4、1?5、1? 6选自氢、卤素、烷基、取代烷 基、硝基、氛基、硫代烷基、烷氧基、取代烷氧基、芳基、取代芳基、烷基醋、取代烷基醋以及它 们的组合，Gi选自共价键、CH2基、C(CH3)2基、C(CF3)2基、C(CX3)2基（其中，X为卤素）、C0 基、0原子、S原子、S02基、Si(CH3)2基、9, 9-芴基、取代9, 9-芴基以及0Z0基，Z为芳基或 取代芳基。]
[0152] 〈7>如〈1>~〈6>中任一项所述的制造方法，其中，二酰氯选自对苯二甲酰氯、间苯 二甲酰氯、2, 6-萘二酰氯、4, 4' -联苯基二酰氯、四氢对苯二甲酰氯以及它们的组合。
[0153] 〈8>如〈1>~〈7>中任一项所述的制造方法，其中，二胺单体选自下