专利名称：半导体元件基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体元件基板，更详细地说，涉及具备可靠性高，各种电特性优异(例如，低介电常数特性、低漏电流特性、高绝缘破坏电压特性)，而且透明性高，采用显影的图案形成性优异的树脂膜的半导体元件基板。
背景技术：
在有机EL元件或液晶显示元件等各种显示元件、集成电路元件、固态成像元件、彩色滤光片、黑矩阵等电子部件中，设置有作为用于防止其劣化或损伤的保护膜、用于对元件表面或配线进行平坦化的平坦化膜、用于保持电绝缘性的电绝缘膜等各种树脂膜。另外，在有机EL元件中，为了分离发光体部而设有作为像素分离膜的树脂膜，另外，在薄膜晶体管型液晶用显示元件或集成电路元件等元件中，为了使配置成层状的配线之间绝缘而设有作为层间绝缘膜的树脂膜。目前，作为用于形成这些树脂膜的树脂材料，通常使用环氧树脂等热固性树脂材料。近年来，伴随配线或器件的高密度化，对于这些树脂材料也要求可以进行微细的图案化，故需开发低介电常数等电特性优异的新的放射线敏感性树脂材料。为了对应这些要求，己探讨了以碱溶性环状聚烯烃类树脂组合物为主成分的放射线敏感性树脂组合物。例如，在专利文献I中公开了含有碱溶性脂环式烯烃树脂、产酸剂、交联剂的放射线敏感性树脂组合物，所述碱溶性脂环式烯烃树脂是通过使含酯基的降冰片烯类单体进行开环聚合并氢化，然后，对酯基部分进行水解而得到的键合有羧基的碱溶性脂环式烯烃树脂。但是，使用该专利文献I中所述的树脂组合物而得到的保护膜，虽然电特性良好，但是在进行显影时，图案形成性低，因此，存在无法实现微细图案化的问题及加工精度差的问题。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开平10-307388号公报
发明内容
发明要解决的技术问题本发明的目的在于提供一种半导体元件基板，其具备可靠性高，各种电特性良好，并且透明性高，显影产生的图案的形成性优异的树脂膜。解决技术问题的技术方案本发明人为了达到所述目的进行深入研究的结果发现，作为用于形成与半导体元件基板上安装的半导体元件表面，或半导体元件中包含的半导体层接触的树脂膜的组合物，通过使用含有聚合物、交联剂、放射线敏感化合物的放射线敏感性树脂组合物，可以使半导体元件基板的可靠性以及各种电特性变得优异，并且，可以使得到的树脂膜的透明性变高，显影而产生的图案的形成性变得优异，所述聚合物具有具备下述结构的单体单元，所述结构是在氮原子上具有特定结构取代基的环状酰亚胺骨架和环状烯烃共有一个碳-碳键的结构，从而完成了本发明。S卩，根据本发明，提供一种半导体元件基板，该基板具有由放射线敏感性树脂组合物制成的树脂膜，该放射线敏感性树脂组合物包含含有下述通式(I)表示的单体单元(al)的聚合物(A)、交联剂(B)以及放射线敏感化合物(C)，其中，形成的所述树脂膜与安装在所述半导体元件基板上的半导体元件表面或上述半导体元件中包含的半导体层接触。[化学式I]
权利要求
1.一种半导体元件基板，其具有由放射线敏感性树脂组合物制成的树脂膜，所述放射线敏感性树脂组合物包含 含有下述通式(I)表示的单体单元(al)的聚合物(A)、 交联剂(B)、以及 放射线敏感化合物(C)，其中， 所述树脂膜与安装在所述半导体元件基板上的半导体元件表面或所述半导体元件中包含的半导体层相接触而形成， [化学式5]且
2.根据权利要求I所述的半导体元件基板，其中，所述通式(I)表示的单体单元(al)在所述聚合物(A)中的含量比例为1(Γ90摩尔％。
3.根据权利要求I或2所述的半导体元件基板，其中，所述聚合物(A)进ー步包含能与所述通式(I)表示的単体共聚的单体単元(a2)。
4.根据权利要求3所述的半导体元件基板，其中，所述可共聚的单体単元(a2)为具有质子性极性基团的环状烯烃单体単元。
5.根据权利要求4所述的半导体元件基板，其中，所述具有质子性极性基团的环状烯烃单体单元为含有羧基的环状烯烃单体単元。
6.根据权利要求4或5所述的半导体元件基板，其中，所述聚合物(A)为由所述通式(I)表示的単体和所述具有质子性极性基团的环状烯烃单体经开环共聚而得到的聚合物。
7.根据权利要求6所述的半导体元件基板，其中，所述聚合物(A)为由所述通式(I)表示的単体和所述具有质子性极性基团的环状烯烃单体进行经开环共聚而得到的聚合物的加氢物。
8.根据权利要求Γ7中任一项所述的半导体元件基板，其中，所述交联剂(B)为组合使用含氨基的化合物和含环氧基的化合物而得到的交联剂。
9.根据权利要求8所述的半导体元件基板，其中，所述含有环氧基的化合物为具有脂环结构的含环氧基的化合物。
10.根据权利要求Γ9中任一项所述的半导体元件基板，所述半导体元件基板为有源矩阵基板或有机EL元件基板。
全文摘要
本发明提供一种半导体元件基板，该半导体元件基板具有树脂膜，该树脂膜由含聚合物、交联剂、放射线敏感化合物的放射线敏感性树脂组合物形成，所述聚合物包含具有下述结构的单体单元，所述结构是在氮原子上具有特定结构取代基的环状酰亚胺骨架与环状烯烃共有1个碳-碳键，其中，所述树脂膜是与安装在所述半导体元件基板上的半导体元件表面或所述半导体元件中包含的半导体层接触而形成的。
文档编号G03F7/023GK102668046SQ20108004342
公开日2012年9月12日 申请日期2010年9月24日 优先权日2009年9月29日
发明者矶贝幸枝 申请人:日本瑞翁株式会社