c在搭载部Ia的四角分别各配置I个，在第2虚设焊盘2c上也形成有虚设焊料凸块Hl。虚设焊料凸块Hl形成为比第I或第2电极端子Tl、T2的高度(厚度)与焊料凸块H的高度的总和高。
[0027]在对半导体元件S进行安装的情况下，将形成于位于半导体元件S下表面的中心的第I电极端子Tl的焊料凸块H插入至由形成于第I虚设焊盘2b上的虚设焊料凸块Hl围成的空间，并且使半导体元件S的下表面的四角与形成于第2虚设焊盘2c的虚设焊料凸块Hl相抵接，以这种方式将半导体元件S载置于搭载部Ia上。
[0028]这样，根据本发明的布线基板A，在安装半导体元件S时，以使半导体元件S下表面的四角与虚设焊料凸块Hl相抵接的方式将半导体元件S载置于搭载部Ia上。因此，形成于半导体元件S的第2电极端子T2的焊料凸块H由于形成为使第2电极端子T2的高度与焊料凸块H的高度的总和比虚设焊料凸块Hl的高度低，所以成为从布线基板A悬空的状态，而没有载置于半导体元件连接焊盘2a间。
[0029]此外，形成于位于半导体元件S下表面的中心的第I电极端子Tl的焊料凸块H通过被插入至由形成于第I虚设焊盘2b的虚设焊料凸块Hl围成的空间而被卡止。因此，在回焊处理的升温时，即使布线基板A由于热膨胀而发生位移，也能够抑制载置于布线基板A的半导体元件S的位置发生偏离。进一步地，在焊料发生熔融的温度，在第2电极端子T2与半导体元件连接焊盘2a的位置实质上一致的状态下，形成于第I电极端子Tl的焊料凸块H与形成于第I虚设焊盘2b的虚设焊料凸块Hl发生熔融而相接合。由此，能够精度良好地搭载半导体元件S，从而能够提供能以高连接可靠性来进行安装的布线基板A。
[0030]接着，基于图2A?C来说明本发明的安装方法的一实施方式。另外，对在图1A以及图1B中说明过的部件赋予相同的符号，省略详细的说明。
[0031]首先，如图2A所示，准备半导体元件S和布线基板A。半导体元件S具有在例如主要由硅形成的半导体基板的下表面配设了多个电极端子T的连接面。电极端子T有配置于半导体元件S的下表面中心的第I电极端子Tl、以及在中心以外配置为格子状排列的第2电极端子T2。第2电极端子T2在常温下以50?200 μ m左右的排列间距P2进行排列。在第I以及第2电极端子T1、T2上附着有焊料凸块H。半导体元件S相对于沿着与布线基板A之间的连接面的方向具有3?4ppm/°C左右的热膨胀系数。
[0032]布线基板A如上所述具备绝缘基板I和焊盘2。在绝缘基板I的搭载部la，与第2电极端子T2相对应地且以排列间距Pl排列有与第2电极端子T2相连接的多个半导体元件连接焊盘2a。排列间距Pl设定为:在常温下即在加热至焊料发生熔融的温度之前，设为比排列间距P2小0.1?I μ m左右，以便在焊料发生熔融的温度时与第2电极端子T2的排列间距P2实质上一致。
[0033]在搭载部Ia的中心部，以包围搭载部Ia的中心的方式配置有3个第I虚设焊盘2b，在第I虚设焊盘2b上形成有虚设焊料凸块Hl。进一步地，在搭载部Ia的四角分别各配置I个第2虚设焊盘2c，在第2虚设焊盘2c上也形成有虚设焊料凸块Hl。虚设焊料凸块Hl形成为比第I或第2电极端子Tl、T2的高度与焊料凸块H的高度的总和高。优选形成为高3?30 μ m左右。形成了布线基板A的绝缘基板I相对于沿着与半导体元件S之间的连接面的方向具有10?20ppm/°C左右的热膨胀系数。
[0034]接着，如图2B所示，在第I电极端子Tl的焊料凸块H被插入至由第I虚设焊盘2b上的虚设焊料凸块Hl围成的空间、并且半导体元件S的四角与形成于第2虚设焊盘2c上的虚设焊料凸块Hl相抵接的状态下，将半导体元件S载置于布线基板A上。此时，由于使半导体元件S的四角与虚设焊料凸块Hl相抵接地载置于搭载部Ia上且虚设焊料凸块Hl比第2电极端子T2的高度与焊料凸块H的高度的总和高，所以焊料凸块H成为从布线基板A悬空的状态，而没有载置于半导体元件连接焊盘2a之间。
[0035]接着，如图2C所示，在焊料发生熔融的温度以上对载置了半导体元件S的布线基板A进行回焊处理。由于在该回焊处理的升温时，即使布线基板A发生了热膨胀，焊料凸块H也不会载置于半导体元件连接焊盘2a彼此之间，所以焊料凸块H不会被半导体元件连接焊盘2a卡住而使半导体元件S发生偏离。
[0036]形成于位于半导体元件S下表面的中心的第I电极端子Tl的焊料凸块H通过被插入至由第I虚设焊盘2b的虚设焊料凸块Hl围成的空间而被卡止。由此，在回焊处理的升温时，即使布线基板A发生了热膨胀，也能够抑制载置于布线基板A的半导体元件S的位置发生偏离。进一步地，在焊料发生熔融的温度，在第2电极端子T2与半导体元件连接焊盘2a的位置实质上一致的状态下，形成于第I电极端子Tl的焊料凸块H与形成于第I虚设焊盘2b的虚设焊料凸块Hl发生熔融而相接合。由此，能够精度良好地将半导体元件S搭载于布线基板A上，从而能够进行连接可靠性高的安装。
[0037]另外，本发明不限定为上述的实施方式，能够在权利要求书所记载的范围内进行各种变更。例如，图1A以及图1B所示的布线基板A虽然使用了具有单层构造的绝缘基板1，但是也可以使用以由相同或不同的电绝缘材料形成的多个层来形成的绝缘基板。
[0038]图1A以及图1B所示的布线基板A虽然在搭载部Ia的四角分别各形成了 I个第2虚设焊盘2c，但是也可以形成2个以上。
[0039]进一步地，图1A以及图1B所示的布线基板A虽然以3个第I虚设焊盘2b来包围搭载部Ia的中心，但是也可以由4个以上的第I虚设焊盘2b来包围。
[0040]此外，图1A以及图1B所示的布线基板A虽然具有四边形形状的搭载部la，但是搭载部的形状不特别限定，例如也可以为四边形以外的多边形、圆形。在图1A以及图1B所示的布线基板A中，为了更稳定地对半导体元件S进行固定，而在四角各形成了 I个第2虚设焊盘2c，但是第2虚设焊盘只要在搭载部的周缘部以包围搭载部的中心部的方式形成至少3个即可。为了使形成于半导体元件的第I电极端子Tl的焊料凸块通过被插入至由形成于第I虚设焊盘的虚设焊料凸块围成的空间而被卡止，只要在搭载部的周缘部以包围搭载部的中心部的方式形成至少3个第2虚设焊盘，就能够对半导体元件进行固定。另外，为了更稳定地对半导体元件进行固定，例如在搭载部为圆形的情况下，以120度的间隔形成3个或者以90度的间隔形成4个第2虚设焊盘即可。
【主权项】
1.一种布线基板，其特征在于，具备: 绝缘基板，其在上表面具有搭载半导体元件的搭载部；和 形成于搭载部的多个半导体元件连接焊盘， 在上述搭载部的中心部形成以包围该中心部的方式而配置的至少3个第I虚设焊盘，并在上述搭载部的周缘部形成以包围上述中心部的方式而至少配置3个的第2虚设焊盘， 在上述第I虚设焊盘以及第2虚设焊盘上形成有虚设焊料凸块， 上述虚设焊料凸块的高度比形成于被搭载的半导体元件的电极端子的高度与形成于该电极端子的焊料凸块的闻度的总和闻。
2.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 上述绝缘基板相对于沿着与上述半导体元件之间的连接面的方向具有10?20ppm/°C的热膨胀系数。
3.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 上述被搭载的半导体元件相对于沿着与布线基板之间的连接面的方向具有3?4ppm/°C的热膨胀系数。
4.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于， 上述半导体元件连接焊盘在加热至焊料发生熔融的温度之前，以比与该半导体元件连接焊盘相对应的上述半导体元件的电极端子的排列间距小0.1?I μ m的排列间距来形成。
5.一种半导体元件的安装方法，其特征在于，包括: 准备权利要求1所述的布线基板的工序； 准备如下述这样设定的半导体元件的工序:在与上述布线基板的搭载部相对应的大小的半导体基板的下表面，形成位于该下表面的中心的第I电极端子并与上述搭载部的半导体元件连接焊盘的排列相对应地形成第2电极端子，在上述第I电极端子以及第2电极端子，以使该电极端子的高度与焊料凸块的高度的总和比形成于上述搭载部的第I虚设焊盘上的虚设焊料凸块的高度低的方式形成焊料凸块，以该焊料凸块以及上述布线基板的虚设焊料凸块发生熔融的温度，使上述第2电极端子的间距与该温度时的上述布线基板的半导体元件连接焊盘的间距实质上一致； 如下述这样将上述半导体元件搭载于上述搭载部的工序:使形成于上述第I电极端子的焊料凸块插入至由形成于上述布线基板的第I虚设焊盘的虚设焊料凸块围成的空间，并且使上述半导体元件的下表面的周缘部与形成于上述布线基板的第2虚设焊盘的虚设焊料凸块相抵接；和 将上述布线基板以及半导体元件加热至上述焊料凸块以及上述虚设焊料凸块发生熔融的温度，通过上述焊料凸块以及上述虚设焊料凸块的焊料来连接上述第I电极端子与上述第I虚设焊盘，并且通过上述焊料凸块的焊料来连接上述第2电极端子与上述半导体元件连接焊盘的工序。
6.根据权利要求5所述的安装方法，其特征在于， 形成上述布线基板的绝缘基板相对于沿着与上述半导体元件之间的连接面的方向具有10?20ppm/°C的热膨胀系数。
7.根据权利要求5所述的安装方法，其特征在于， 上述被搭载的半导体元件相对于沿着与布线基板之间的连接面的方向具有3?4ppm/°C的热膨胀系数。
8.根据权利要求5所述的安装方法，其特征在于， 上述半导体元件连接焊盘在加热至焊料发生熔融的温度之前，以比上述第2电极端子的排列间距小0.1?I μ m的排列间距来形成。
【专利摘要】本发明的布线基板具备：在上表面具有搭载半导体元件(S)的搭载部(1a)的绝缘基板(1)和形成于搭载部(1a)的半导体元件连接焊盘(2a)，在上述搭载部(1a)的中心部形成有至少3个第1虚设焊盘(2b)，在上述搭载部(1a)的四角形成有对各角各配置至少1个的第2虚设焊盘(2c)，在上述第1虚设焊盘(2b)以及第2虚设焊盘(2c)上形成有虚设焊料凸块(H1)。
【IPC分类】H05K3-34, H05K1-18
【公开号】CN104684253
【申请号】CN201410688184
【发明人】祢占孝之
【申请人】京瓷电路科技株式会社
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年11月25日
【公告号】US20150144390