A、23B、24A、24B只要是与电路的配线无关的电性独立的图案、且在热塑性树脂的压接时的温度下流动性比该热塑性树脂的流动性低的构件即可。模拟图案23A、23B、24A、24B既可以是导体，也可以是陶瓷等非导体。
[0075]多层基板2包括层叠体20。层叠体20是依次层叠第一基材层21、第二基材层22、第三基材层23、第四基材层24及第五基材层25并进行热压接而形成的。各基材层11?15呈具有长边及短边的矩形，层叠体10呈大致长方体形状。基材层11?15是将绝缘性的热塑性树月旨、例如LCP树脂(液晶聚合物树脂)作为母材而形成的。
[0076]在第一基材层21的一方主表面(图6中的上表面)形成有矩形状的导体图案21A、21B。导体图案21A、21B是本发明的“安装电极”的一例，另外，也是“低流动性构件”的一例。第一基材层21是层叠体20的最外层，多层基板2将形成有导体图案21A、21B的第一基材层21的主表面作为安装面，并安装于电路基板等。此外，导体图案21A、21B被用作多层基板I的安装电极。
[0077]另外，在第一基材层21的俯视观察时与导体图案21A、21B重叠的位置形成有层间连接导体21C、21D。层间连接导体21C、21D是本发明的“低流动性构件”的一例。
[0078]在本实施方式中，也与实施方式一相同，以符号Pl、P2表示围住导体图案21A、21B的区域、即在层叠体20的层叠方向上与该区域重叠的区域。
[0079]在第二基材层22的一方主表面(图6中的上表面)独立地形成有导体图案22A、22B。第二基材层22将形成有导体图案22A、22B的主表面设为第一基材层21侧，并层叠于第一基材层21。导体图案22A、22B呈带状，并在区域P1、P2具有一端，且从该位置拉出至区域P1、P2的外侧。此外，位于区域P1、P2的导体图案22A、22B的一端通过形成于第一基材层21的层间连接导体21C、21D与导体图案21A、21B导通。
[0080]在第三基材层23上独立地形成有模拟图案23A、23B。模拟图案23A、23B是本发明的“低流动性构件”的一例。第三基材层23将形成有模拟图案23A、23B的主表面设为第二基材层22侧，并层叠于第二基材层22。模拟图案23A、23B呈带状，并被卷绕成将区域Pl、P2围在内侧。模拟图案23A、23B与形成于其它基材层21、22、24、25的导体图案独立。
[0081 ]在第四基材层24上独立地形成有模拟图案24A、24B。模拟图案24A、24B是本发明的“低流动性构件”的一例。第四基材层24将形成有导体图案24A、24B的主表面设为第三基材层23侧，并层叠于第三基材层23。模拟图案24A、24B呈带状，并被卷绕成将区域Pl、P2围在内侧。模拟图案24A、24B与形成于其它基材层21?23、25的导体图案独立。
[0082]在第五基材层25的一方主表面(图6的上表面)的区域P1、P2的外侧形成有导体图案25A、25B。导体图案25A、25B是本发明的“低流动性构件”的一例。第五基材层25将形成有导体图案25A、25B的主表面设为第四基材层24侧，并层叠于第四基材层24。导体图案25A、25B通过第三基材层23及第四基材层24的未图示的层间连接导体与第二基材层22的导体图案22A、22B连通。
[0083]第五基材层25在表面层叠有多个形成有导体图案的热塑性树脂，并在内部形成有线圈。形成于第五基材层25的一方主表面的导体图案25A、25B与内置的线圈的端部连接。即，内置于多层基板2的第五基材层25的线圈以导体图案21A、21B作为输出输入端，并通过导体图案22A、22B、25A、25B与该导体图案21A、21B导通。
[0084]另外，在第五基材层25的与区域P1、P2重叠的区域中以导体图案的占有率降低的方式形成线圈是较为理想的。
[0085]在本实施方式中，与实施方式一相同，区域P1、P2中的导体图案的占有率比围住区域P1、P2的区域中的导体图案的占有率低。此外，通过层叠各基材层21?25，从第五基材层25侧按压金属刚体，从第一基材层21侧按压弹性体，并进行热压接，从而制造出在表面形成有凹部20A、20B的多层基板2。通过形成凹部20A、20B，并使安装电极即导体图案21A、21B位于比表面靠内侧的位置，从而能高精度地将多层基板2对位于电路基板的安装电极。另外，焊剂积存于凹部20A、20B内，因此，能减少焊剂从多层基板2溢出的溢出量。藉此，能抑制因溢出的焊剂而与其它电路短路这样的不良情况。另外，能抑制焊剂的扩展，因此，提高了自我对准的效果，能抑制安装位置的偏移。
[0086]另外，在本实施方式中，通过形成模拟图案23A、23B、24A、24B，与未形成模拟图案23A、23B、24A、24B的情况相比，能提高围住区域Pl、P2的区域中的导体图案的占有率。因此，当由弹性体从第一基材层21侧进行按压时，容易在区域Pl、P2中形成凹部20A、20B。
[0087](实施方式三)
[0088]图8是实施方式三的多层基板3的剖视图。图9是实施方式三的多层基板3的分解图。在实施方式一、二中，仅在层叠体的一方主表面形成凹部，与此相对，在本实施方式中，在层叠体30的两方主表面形成凹部。另外，在本实施方式的多层基板3中，在层叠体30上独立地形成有两个线圈。
[0089]多层基板3是对层叠有第一基材层31、第二基材层32、第三基材层33、第四基材层34及第五基材层35的层叠体30进行热压接而形成的。
[0090]在第一基材层31的一方主表面(图9中的上表面)形成有矩形状的导体图案31A、31B。导体图案31A、31B是本发明的“安装电极”的一例，另外，也是“低流动性构件”的一例。第一基材层31是层叠体30的最外层。
[0091 ]在本实施方式中，也与实施方式一、二相同，以符号Pl、P2表不围住导体图案31A、3IB的区域、S卩在层叠体30的层叠方向上与该区域重叠的区域。
[0092]在第二基材层32的一方主表面(图9中的上表面)独立地形成有导体图案32A、32B。第二基材层32将形成有导体图案32A、32B的主表面设为第一基材层31侧，并层叠于第一基材层31。虽未图示出导体图案32A、32B，但与实施方式一相同，导体图案32A、32B呈带状，并被卷绕成在区域P1、P2具有一端，且从该位置开始拉绕，以将区域P1、P2围在内侧。此外，位于区域P1、P2的导体图案32A、32B的一端通过形成于第一基材层31的层间连接导体(未图示)与导体图案31A、31B导通。
[0093]导体图案32A、32B是本发明的“低流动性构件”的一例。导体图案32A、32B是流动性比层叠体10的热压接时的温度下的基材层31?35的流动性低的构件。
[0094]在第三基材层33的一方主表面(图9中的下表面)独立地形成有导体图案33A、33B。导体图案33A、33B是本发明的“低流动性构件”的一例。第三基材层33将与形成有导体图案33A、33B的主表面相反一侧的主表面(图9中的上表面)设为第二基材层32侧，并层叠于第二基材层32。导体图案33A、33B呈带状，并被卷绕成将区域P1、P2围在内侧。导体图案33A、33B的一端通过形成于第二基材层32及第三基材层33的层间连接导体(未图示)与导体图案32A、32B的一端连接。
[0095]在第四基材层34的一方主表面(图9中的下表面)独立地形成有导体图案34A、34B。导体图案34A、34B是本发明的“低流动性构件”的一例。第四基材层34将与形成有导体图案34A、34B的主表面相反一侧的主表面(图9中的上表面)设为第三基材层33侧，并层叠于第三基材层33。导体图案34A、34B呈带状，并被卷绕成将区域P1、P2围在内侧。导体图案34A、34B的一端通过形成于第四基材层34的层间连接导体(未图示)与导体图案33A、33B的一端连接。
[0096]在第五基材层35的一方主表面(图9中的下表面)形成有导体图案35A、35B。导体图案35A、35B形成于在层叠方向上与导体图案31A、31B大致重叠的位置。第五基材层35是层叠体30的最外层。第五基材层35将与形成有导体图案35A、35B的主表面相反一侧的主表面(图9中的上表面)设为第四基材层34侧，并层叠于第四基材层34。导体图案34A、35B通过形成于第五基材层35的层间连接导体等与导体图案34A、34B的一端连接。
[0097]形成于该层叠体30的各基材层31?35的导体图案31A、32A、33A、34A、35A以导体图案31a、35A作为输入输出端，从而形成一个线圈。另外，形成于各基材层31?35的导体图案31B、32B、33B、34B、35B以导体图案31B、35B作为输入输出端，从而形成一个线圈。即，在层叠体30上形成有以层叠方向作为卷绕轴的独立的两个线圈。
[0098]另外，在本实施方式中，与实施方式一、二相同，区域P1、P2中的导体图案的占有率比围住区域P1、P2的区域中的导体图案的占有率低。此外，通过层叠各基材层31?35，从第一基材层31及第五基材层35这两个基材层按压弹性体101A、101B，并进行热压接，从而制造出在表面形成有凹部30A、30B、30C、30D的多层基板3。
[0099]图10是表示将多层基板3安装于电路基板200的状态的剖视图。
[0100]在多层基板3的形成有导体图案31A、31B—侧的层叠体30的主表面安装有其它电子零件300。此时，导体图案31A、31B利用焊剂201C、201D安装于