专利名称：一种钴氧化物粉体材料的制备方法
技术领域：
一种钴氧化物粉体的制备方法，涉及用于锂离子电池正极材料、燃料电池、催化 剂、磁性材料、电子、陶瓷等领域钴氧化物粉体材料的制备方法。
背景技术：
钴氧化物粉体材料包括氧化亚钴、四氧化三钴，主要应用于锂离子电池正极材料、 燃料电池、催化剂、磁性材料、电子、陶瓷等领域。目前钴氧化物制备方法主要采用化学液相 法，缺点为工艺流程长、工艺控制要求高，杂质难于控制，产品批次稳定性不能有效保证，环 保成本高等问题。高温热解制粉工艺是国内外粉体生产领域的先进课题。目前，工业化制备氧化物， 特别是制备锂离子电池正极材料、燃料电池、催化剂、磁性材料、电子陶瓷等领域的钴氧化 物粉体材料的方面的应用还未见报道。
发明内容
本发明的目的就是针对上述已有技术存在的不足，提供一种具有工艺流程短、成 本低、环保节能等优点的产品均勻、纯度高、电化学性能优异的钴氧化物粉体材料的制备方法。本发明的目的是通过以下技术方案实现的。一种钴氧化物粉体的制备方法，其特征在于其制备过程将钴盐溶液雾化后，在高 温下进行热分解制取钴氧化物粉体材料。本发明的一种钴氧化物粉体材料制备方法，其特征在于所述的钴盐溶液为氯化 钴、硝酸钴、硫酸钴中的一种，其钴盐溶液中含钴为10 240g/L。本发明的一种钴氧化物粉体材料制备方法，其特征在于所述的钴盐溶液雾化为 0. 5 100 μ m的液滴。本发明的一种钴氧化物粉体材料制备方法，其特征在于所述的钴盐溶液雾化后的 液滴在400 1200°C温度下，氧分压为lkPa-6kPa，热分解1 20分钟。采用本发明制备的四氧化三钴成分分析见表1
表1四氧化三钴粉体成分分析结果(分析方法ICP，质量百分比％)
权利要求
一种钴氧化物粉体材料的制备方法，其特征在于其制备过程将钴盐溶液雾化后，在高温下进行热分解，制取钴氧化物粉体的。
2.根据权利要求1所述的一种钴氧化物粉体材料制备方法，其特征在于所述的钴盐溶 液为氯化钴、硝酸钴、硫酸钴中的一种，其钴盐溶液中含钴为10 240g/L。
3.根据权利要求1所述的一种钴氧化物粉体材料制备方法，其特征在于所述的钴盐溶 液雾化为0. 5 100 μ m的液滴。
4.根据权利要求1所述的一种钴氧化物粉体的制备方法，其特征在于所述的钴盐溶液 雾化后的液滴在400 1200°C温度下，氧分压为lkPa-6kPa，热分解1 20分钟。
全文摘要
一种钴氧化物粉体材料制备方法，涉及用于锂离子电池正极材料、燃料电池、催化剂、磁性材料、电子陶瓷等领域钴氧化物粉末材料的制备方法。其特征在于其制备过程将钴盐溶液雾化后，在高温下进行热分解，制取钴氧化物粉体的。本发明的方法用钴盐溶液作为原料，雾化后在高温、可控气氛中使钴盐热解生成钴氧化物(包括氧化亚钴CoO、四氧化三钴Co3O4，三氧化二钴Co2O3)，产生尾气经过吸收形成再生酸的方法。该方法可以一步连续实现从溶液到钴氧化物的制备过程，且用该方法制得的钴氧化物粉末粒度在0.2～20微米范围内可控，粉末粒度分布均匀、电化学性能优异。该制备方法节能、环保、生产成本低，具有显著的经济和社会效益。
文档编号C01G51/04GK101993118SQ201010564800
公开日2011年3月30日 申请日期2010年11月30日 优先权日2010年11月30日
发明者任祚承, 刘会基, 敬春梅, 王红忠, 胡腊梅, 赫东波, 路维华, 郭丹, 郭幸, 闫忠强, 韩应举, 马科伟, 高红 申请人:兰州金川新材料科技股份有限公司