析法进行纯化（洗脱液：己烷/二氯甲烷=50/50)，由此获 得化合物29 (产量0. 16g，产率22. 5 % )。
[0389] MALDI-T0F-MS:m/z= 1030([M+1]+)
[0390] (实施例I)
[0391]在本实施例中，制备化合物1~4、27~29的各甲苯溶液（浓度10 5mol/L)，一面 通入氮气一面以300K进行光照射，结果可见发光。吸收波长、发光波长、量子产率如表1所 示。另外，对于各甲苯溶液可见延迟荧光。
[0392] [表 1]
[0393]
[0394] (实施例2)
[0395] 在本实施例中，制作有机光致发光元件，并对特性进行评价。
[0396] 在硅基板上，利用真空蒸镀法，在真空度5. 0X104Pa的条件下自不同的蒸镀源而 蒸镀化合物1与DPEP0,以0. 3nm/sec并以IOOnm的厚度形成化合物1的浓度为6重量％的 薄膜，而制成有机光致发光元件。
[0397] 代替化合物1而使用化合物2~4、27~29的各化合物，通过相同方式制作有机 光致发光元件。
[0398] 在300K下，对源自通过队雷射而对所制作的各有机光致发光元件照射337nm的 光时的薄膜的发光光谱进行特性评价。
[0399] 将使用化合物1的有机光致发光元件的发光光谱示于图2,将使用化合物2的有 机光致发光元件的发光光谱示于图6,将使用化合物3的有机光致发光元件的发光光谱示 于图10,将使用化合物4的有机光致发光元件的发光光谱示于图14。另外，将使用化合物 27的有机光致发光元件的发光光谱示于图18,将使用化合物28的有机光致发光元件的发 光光谱示于图22,将使用化合物29的有机光致发光元件的发光光谱示于图26。
[0400](实施例3)
[0401 ] 在本实施例中，制作有机电致发光元件，并对特性进行评价。
[0402] 在形成有包含膜厚IOOnm的铟-锡氧化物（ITO)的阳极的玻璃基板上，利用真空 蒸镀法，在真空度5.OX10 4Pa下积层各薄膜。首先，在ITO上将a-NH)形成为35nm的 厚度，在其上将CBP形成为IOnm的厚度。进而在其上，自不同的蒸镀源而蒸镀化合物1与 DPEP0,从而将化合物1的浓度为6重量％的薄膜形成为15nm的厚度。在其上将TPBi形成 为40nm的厚度，进而将氟化锂（LiF)真空蒸镀为0.8nm的厚度，接着将铝（Al)蒸镀为80nm 的厚度，由此形成阴极，而制成有机电致发光元件。
[0403] 代替化合物1而使用化合物2~4、27~29的各化合物，通过相同方式制作有机 电致发光元件。
[0404] 针对所制作的各有机电致发光元件，使用半导体参数-分析仪（Agilent Technology公司制造：E5273A)、光功率计测定装置（NEWPORT公司制造：1930C)、光学分光 器（OceanOptics公司制造：USB2000)及快速照相机（HamamatsuPhotonics(股）制造的 C4334型）进行测定。
[0405] 将使用化合物1的有机电致发光元件的发光光谱示于图2,将常压下与真空中的 暂态衰减曲线示于图3,将电压-电流密度特性示于图4,将电流密度-外部量子效率特性 示于图5。将使用化合物2的有机电致发光元件的发光光谱示于图6,将常压下与真空中的 暂态衰减曲线示于图7,将电压-电流密度特性示于图8,将电流密度-外部量子效率特性 示于图9。将使用化合物3的有机电致发光元件的发光光谱示于图10,将常压下与真空中 的暂态衰减曲线示于图11，将电压-电流密度特性示于图12,将电流密度-外部量子效率 特性示于图13。将使用化合物4的有机电致发光元件的发光光谱示于图14,将常压下与真 空中的暂态衰减曲线示于图15,将电压-电流密度特性示于图16,将电流密度-外部量子 效率特性示于图17。另外，将使用化合物27的有机电致发光元件的发光光谱示于图18， 将常压下与真空中的暂态衰减曲线示于图19,将电压-电流密度特性示于图20,将电流密 度-外部量子效率特性示于图21。将使用化合物28的有机电致发光元件的发光光谱示于 图22,将常压下与真空中的暂态衰减曲线示于图23,将电压-电流密度特性示于图24,将 电流密度-外部量子效率特性示于图25。将使用化合物29的有机电致发光元件的发光光 谱示于图26,将常压下与真空中的暂态衰减曲线示于图27,将电压-电流密度特性示于图 28,将电流密度-外部量子效率特性示于图29。
[0406] 暂态衰减曲线是表示测定对化合物照射激发光而发光强度失活的过程而获得的 发光寿命测定结果的曲线。在通常的一成分的发光（荧光或磷光）中，发光强度是以单一 指数函数衰减。当图的纵轴为半对数的情况下，是指线性地衰减。在延迟荧光体的暂态衰 减曲线中，在观测初期虽观测到上述线性成分（荧光），但数ym以后，出现自线性偏离的成 分。这是延迟成分的发光，且与初期的成分相加的讯号成为向长时间侧缓慢下拉边缘的曲 线。通过上述方式对发光寿命进行测定，由此确认本发明的化合物是除了含有荧光成分外 还含有延迟成分的发光体。
[0407] (比较例1)
[0408] 在本比较例中，制备日本专利特开2009-21336号公报及日本专利特开 2002-193952号公报所记载的下述化合物A的甲苯溶液（浓度10 5mol/L)，一面通入氮气一 面以300K进行光照射，结果获得图30所示的发光光谱。另外，该溶液的暂态衰减曲线如图 31所示，未发现延迟荧光成分。
[0409] [化 59]
[0410]
[0411 ][产业上的可利用性]
[0412] 本发明的有机发光元件可实现高发光效率。另外，通式（1)所表示的化合物可用 作此种有机发光元件用的发光材料。因此，本发明在产业上的可利用性高。
[0413] [符号的说明]
[0414] 1 基板
[0415] 2 阳极
[0416] 3电洞注入层
[0417] 4电洞传输层
[0418] 5发光层
[0419] 6电子传输层
【主权项】
1. 一种发光材料，其特征在于：包含下述通式（1)所表示的化合物， [化1][通式（1)中，R1及R2各自独立表示经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的 芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环 烷基， R5及R6各自独立表示经取代或未经取代的烷基， R7、RS及R9各自独立表示经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经 取代或未经取代的咔唑基， Rw表示咔唑基，该咔唑基也可被经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的芳 基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷 基取代， nl、n2、n6及n7各自独立表示0~4中的任一整数，n5表不0~3中的任一整数， n8及n9各自独立表不0~5中的任一整数， nlO表示0或1， 当nl、n2及n5~n9为2以上的整数时，各nl、n2及n5~n9所对应的多个R1、R2及R5~R9分别可相互相同也可不同]。2. 根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于：通式（1)所表示的化合物为下述通 式（2)所表示的化合物， [化2][通式（2)中，R1及R2各自独立表示经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的 芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环 烷基， R5及R6各自独立表示经取代或未经取代的烷基， R7、RS及R9各自独立表示经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经 取代或未经取代的咔唑基， nl、n2、n6及n7各自独立表示0~4中的任一整数， n5表不0~3中的任一整数， n8及n9各自独立表不0~5中的任一整数， 当nl、n2、n5~n9为2以上的整数时，各nl、n2、n5~n9所对应的多个R1、!?2、!?5~R9 分别可相互相同也可不同]。3.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于：通式（1)所表示的化合物为下述通 式（3)所表不的化合物， [化3][通式（3)中，R1~R4各自独立表示经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的 芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环 烷基， R5及R6各自独立表示经取代或未经取代的烷基， R7、RS及R9各自独立表示经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经 取代或未经取代的咔唑基， nl~n4及n7各自独立表不0~4中的任一整数， n5及n6表示0~3中的任一整数， n8及n9各自独立表不0~5中的任一整数， 当nl~n9为2以上的整数时，各nl~n9所对应的多个R1~R9分别可相互相同也可 不同]。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的发光材料，其特征在于：其放射出延迟荧光。5. 根据权利要求2或4所述的发光材料，其特征在于：通式（2)中的n6为0。6. 根据权利要求2、4、5中任一项所述的发光材料，其特征在于：通式（2)中的nl为 1~4中的任一整数。7. 根据权利要求6所述的发光材料，其特征在于：通式（2)中的咔唑基的3位键合有 R1。8. 根据权利要求6或7所述的发光材料，其特征在于：通式（2)中的n2为1~4中的 任一整数。9. 根据权利要求8所述的发光材料，其特征在于：通式（2)中的咔唑基的6位键合有 R2。10. 根据权利要求1、2、4至9中任一项所述的发光材料，其特征在于：通式（1)及（2) 中的R1及R2各自独立为经取代或未经取代的9-咔唑基、经取代或未经取代的苯基、经取代 或未经取代的吡啶基、碳数1~6的烷基、碳数5~7的环烷基。11. 根据权利要求1、2、4至9中任一项所述的发光材料，其特征在于：通式（1)及（2) 中的R1及R2各自独立为9-咔唑基、苯基、甲苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、联苯基、吡啶 基、吡咯基、叔丁基、或环己基。12. 根据权利要求2、4、5中所述的发光材料，其特征在于：通式（2)中的nl与n2均为 0〇13. 根据权利要求3或4所述的发光材料，其特征在于：通式（3)中的nl~n4中的至 少一个为1~4中的任一整数。14. 根据权利要求3或4所述的发光材料，其特征在于：通式（3)中的nl~n4各自独 立为1~4中的任一整数。15. 根据权利要求3、4、13、14中任一项所述的发光材料，其特征在于：通式（3)中的 R1~R4各自独立为经取代或未经取代的9-咔唑基、经取代或未经取代的苯基、经取代或未 经取代的吡啶基、碳数1~6的烷基、碳数5~7的环烷基。16. 根据权利要求3、4、13、14中任一项所述的发光材料，其特征在于：通式（3)中的 R1~R4各自独立为9-咔唑基、苯基、甲苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、联苯基、吡啶基、吡 咯基、叔丁基、或环己基。17. 根据权利要求3、4、13至16中任一项所述的发光材料，其特征在于：通式（3)中的 n5与n6均为0。18. 根据权利要求1至17中任一项所述的发光材料，其特征在于：通式（1)~（3)中 的n7、n8及n9均为0。19. 一种延迟荧光体，其特征在于：具有下述通式（1)所表示的结构， [化4][通式（1)中，R1及R2各自独立表示经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的 芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环 烷基， R5及R6各自独立表示经取代或未经取代的烷基， R7、RS及R9各自独立表示经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经 取代或未经取代的咔唑基， Rw表示咔唑基，该咔唑基也可被经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的芳 基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷 基取代， nl、n2、n6及n7各自独立表示0~4中的任一整数，n5表不0~3中的任一整数， n8及n9各自独立表不0~5中的任一整数， nlO表示0或1， 当nl、n2及n5~n9为2以上的整数时，各nl、n2及n5~n9所对应的多个R1、R2及R5~R9分别可相互相同也可不同]。20. -种化合物，其特征在于：以下述通式（2)表示， [化5][通式（2)中，R1及R2各自独立表示经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的 芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环 烷基， R5及R6各自独立表示经取代或未经取代的烷基， R7、RS及R9各自独立表示经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经 取代或未经取代的咔唑基， nl、n2、n6及n7各自独立表示0~4中的任一整数， n5表不0~3中的任一整数， n8及n9各自独立表不0~5中的任一整数， 当nl、n2、n5~n9为2以上的整数时，各nl、n2、n5~n9所对应的多个R1、!?2、!?5~R9 分别可相互相同也可不同]。21. -种化合物，其特征在于：以下述通式（4)表示， [化6][通式（4)中，1T~K〃谷目独II表不经取代或禾经取代的咔唑基、经取代或未经取代 的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的 环烷基， R15及R16各自独立表示烷基， R17、R18及R19各自独立表示经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的烷基、或者 经取代或未经取代的咔唑基， nil~nl4及nl7各自独立表不0~4中的任一整数， nl5及nl6表示0~3中的任一整数， nl8及nl9各自独立表不0~5中的任一整数， 其中，nil~nl4中的至少一个为1~4中的任一整数， 当nil~nl9为2以上的整数时，各nil~nl9所对应的多个R11~R19分别可相互相 同也可不同]。22. -种有机发光元件，其特征在于：在基板上具有包含根据权利要求1至18中任一 项所述的发光材料的发光层。23. 根据权利要求22所述的有机发光元件，其特征在于：其放射出延迟荧光。24. 根据权利要求22或23所述的有机发光元件，其特征在于：其是有机电致发光元 件。
【专利摘要】在发光层具有下述通式所表示的化合物的有机发光元件在发光效率方面较高。通式(1)中，R1及R2表示咔唑基、芳基、杂芳基、烷基、环烷基；R5及R6表示烷基；R7、R8及R9表示芳基、烷基、咔唑基；R10表示咔唑基，该咔唑基也可经咔唑基、芳基、杂芳基、烷基、环烷基取代；n1、n2、n6及n7表示0～4中的任一整数；n5表示0～3中的任一整数；n8及n9表示0～5中的任一整数；n10表示0或1。
【IPC分类】C07D403/14, C09K11/06, H01L51/50
【公开号】CN105121595
【申请号】CN201480005878
【发明人】平田修造, 坂井由美, 益居健介, 志津功将, 田中启之, 安达千波矢
【申请人】国立大学法人九州大学
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年1月22日
【公告号】EP2949724A1, US20150357582, WO2014115743A1