真空蒸镀装置、真空蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法

文档序号:6956093阅读:229来源:国知局
专利名称:真空蒸镀装置、真空蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及形成真空蒸镀膜的方法及其装置,尤其涉及用于在大型的基板上形成 有机EL显示装置的有效的真空蒸镀方法及其装置。
背景技术
用于有机EL显示装置及照明装置的有机EL元件是利用阳极与阴极的一对电极从 上下夹住由有机材料构成的有机层的结构,是通过对电极施加电压,从阳极侧流出的空穴、 从阴极侧流出的电子分别注入有机层,通过其再结合而发光的结构。该有机层为层叠包括空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层 的多层膜的结构。作为形成该有机层的材料,有使用高分子材料与低分子材料的情况。其 中,在使用低分子材料的情况下,使用真空蒸镀装置而形成有机薄膜。有机EL装置的特性受有机层的膜厚的影响大。另一方面,形成有机薄膜的基板一 年一年地大型化。因此,在使用真空蒸镀装置的情况下,需要高精度地控制形成于大型基板 上的有机薄膜的膜厚。作为利用真空蒸镀而在大型基板上形成薄膜的结构,在专利文献1(日本特开 2003-293140号公报)中公开有为了蒸镀气相有机物,具备利用真空蛇腹管的伸缩而能够 移动的蒸发源的真空蒸镀装置。在专利文献2 (日本特开2005-36296号公报)中公开有水 平地保持大型基板,使用具备设置于蒸镀装置外的坩埚的蒸发源在基板上形成薄膜的真空 蒸镀装置。另外,在专利文献3(日本特开2003-347047号公报)中公开有垂直地保持大型 基板,使用具备多个坩埚的蒸发源在基板上形成薄膜的真空蒸镀装置。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2003-293140号公报专利文献2 日本特开2005-36296号公报专利文献3 日本特开2003-347047号公报在专利文献1中,分离使有机材料气化的部分(蒸发源)与将有机材料向基板喷 射的蒸发头部(线性源),使利用真空蛇腹管(蛇腹管)的伸缩能够移动蒸发头部,并与大 型的基板对应。蒸发头部是设置有线状排列的多个喷嘴的结构,是使喷嘴在与排列方向垂 直的方向移动而在大型的玻璃基板上形成有机薄膜的结构。但是,因为只利用在真空蛇腹管的伸缩方向的一个方向的移动,因此从玻璃基板 的一个方向的一端到另一端的移动距离变大,需要同时移动使有机材料气化的蒸发源,因 而使得装置大型化。另外,关于伴随在真空内的移动而产生垃圾并没有考虑。在专利文献2中,分离使有机材料气化的蒸发源与使有机材料粘合在基板上的蒸 发头部,在其间设置阀门,在不需要蒸镀时关闭阀门,从而提升有机材料的利用效率。但是, 没有公开用于大型化的基板的方法。
在专利文献3中,记载有将多个蒸发源固定于膜形成腔内设置,通过使基板滑移, 而在基板整个面成膜的技术。但是,没有公开材料的更换及连续运转、防止基板移动机构产 生垃圾的方法。

发明内容
本发明的目的在于提供一种真空蒸镀方法及其装置,其能够解决上述的现有技术 的课题,使用设置了线状地排列的多个喷嘴的蒸发源而在大型化的基板上高速形成有机薄 膜、考虑了防止污染且可连续成膜。本发明最主要的特征在于,其为分离使有机材料气化的蒸发源与将有机材料粘附 在基板上的蒸发头部并使蒸发源与蒸发头部的配管柔软的结构,即,利用真空蛇腹管的伸 缩及弯曲的效果,实现可在蒸镀室内移动的蒸发头部,并且设置了污染防止机构。根据本发明,能够使有机材料向大型基板的蒸镀高速且成品率良好地进行。因为 本发明通过真空蛇腹管,而在大气侧利用驱动机构实现在真空内的驱动,因此在真空内产 生的污染物主要是在真空蛇腹管的伸缩及弯曲时产生的金属污染物,因此与现有的蒸镀方 法相比,污染物少。另外,根据本发明,在真空蒸发室中,只要移动蒸发头部即可。在现有的方法中,因 为需要同时移动蒸发源和蒸发头部,因此移动的结构体为500kg 1000kg,移动机构为大 规模化的机构。根据本发明,因为只要移动蒸发头部即可,因此移动机构简单,能够大幅地 降低蒸镀装置的制造费用及维修保养费用。另外,根据本发明的第一方案,铁合金系的金属污染物可利用磁铁去除,能够防止 有机薄膜的污染。因此,通过使用本发明装置,有能够提供污染物质少、寿命长的装置的优
点ο根据本发明的另一方案,通过使蒸发源及蒸发头部多数化,能够实现高速成膜。通 过使用多数化的蒸发源,在该蒸发源间设置阀门并进行切换,能够连续成膜。


图1是本发明的第一实施例的蒸镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结构的模式图 和说明动作的图。图2是本发明的第二实施例的蒸镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结构的模式图 和说明动作的剖面模式图。图3是本发明的第三实施例的蒸镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结构的模式图 和说明动作的剖面模式图。图4是本发明的第四实施例的蒸镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结构的模式图 和说明动作的剖面模式图。图5是表示提升蒸镀工序的通过量的结构的立体图。是本发明的第四实施例的蒸 镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结构的模式图和说明动作的立体图。图6是本发明的第五实施例的蒸镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结构的模式图 和说明动作的剖面模式图。图7是本发明的第五实施例的另一方案的蒸镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结构的模式图和说明动作的剖面模式8是本发明的第六实施例的蒸镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结构的模式图 和说明动作的剖面模式图。图9是本发明的第七实施例的蒸镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结构的模式图 和说明动作的剖面模式图。图10是本发明的第七实施例的另一方案的蒸镀室与蒸发头部、蒸发源、基板的结 构的模式图和说明动作的剖面模式图。图11是表示本发明的第八实施例的有机EL显示器生产工序的一个例子的工序 图。图中1-基板、2-有机薄膜、3-蒸发头部、4-纯金属掩膜、5-蒸镀室、6-蒸镀室外、 7-真空用蛇腹管、701-真空用蛇腹管、702-真空用蛇腹管、8-蒸发源、801-蒸发源、802-蒸 发源、9-有机材料、10-水冷套管、11-加热机构、12-真空用蛇腹管(柔性管)、13-热遮 蔽板、1301-热遮蔽板、1302-热遮蔽板、1303-热遮蔽板、14-挡板、15-基板支撑部气化有 机材料挡板、16-大气侧上下移动机构、1601-上下移动机构、17-加热用加热器、18-阀门、 1801-阀门、1802-阀门、1803-阀门、1804-阀门、1805-阀门、19-压力计、1901-压力计、 1902-压力计、20-控制装置、21-磁铁、22-磁铁、23-间壁、40-泵、50-气化有机材料
具体实施例方式作为与本发明有关的真空蒸镀装置的一个例子,说明适用于有机EL装置的制造 的例子。有机EL装置的制造装置是通过真空蒸镀而在阳极上多层层叠空穴注入层及空穴 输送层、发光层(有机膜层),在阴极上多层层叠电子注入层及电子输送层而形成多种材料 的薄膜层的装置。本发明的有机EL装置制造装置的特征在于,具备通过在真空蒸镀部线状地配置 的多个喷嘴而使材料蒸发的蒸发头部(线性源);用于使有机材料气化的蒸发源;以及将气 化了的材料向蒸发头部输送的柔软的配管。下面,使用实施例及图详细地说明本发明的内容。实施例一图1是本发明的气相有机物的蒸镀装置的纵剖视图。该实施例的气相有机物的蒸 镀装置具备将有机物蒸镀到母材的蒸镀室5 ;加热有机物使转换为气相状态的蒸发源8 ; 线状地配置多个作为喷射气相有机物的喷射部的喷嘴的蒸发头部3 ;蒸发源8与蒸发头部3 之间的柔软的配管7 ;驱动蒸发头部3的动作的上下移动机构16 ;基板1和用于保持基板的 基板保持部15。另外,蒸镀室内为柔软的配管7,但在蒸镀室外,可以使用通常的配管。但 是,此时也需要可加热配管。在蒸发源8中,容器81内的有机材料8由加热用加热器17加热并气化。容器81 由SUS、Ti、Mo等形成。蒸发源的内部通过加热用加热器17加热到200°C 400°C,从而使 有机材料9气化。实施例一的蒸发头部具备加热喷嘴部分的加热器和用于避免加热器的热量向基 板侧辐射的水冷套管10 ;热遮蔽板1301、1302、1303 ;用于防止从喷嘴喷出的喷出物附着于 热遮蔽板等周围部件的挡板14。蒸镀室5具备与外部隔离的内部空间,在上述内部空间的底面具备能够固定使气相有机物蒸镀的基板1的基板保持部15。另外,在蒸镀室5内,如在图1的左上方弹出的图中所示,蒸发头部3是设置了线 状地排列的多个喷嘴的结构,是使喷嘴在与排列方向垂直的方向移动,将气化了的有机材 料50向基板1上喷射并形成有机薄膜2的结构。因为驱动蒸发头部3的动作的上下移动 机构16由真空用蛇腹管真空遮断,因此上下移动机构16可以是可在大气中进行动作的机 构。蒸发源8与蒸发头部3之间的柔软的配管7具备真空用蛇腹管701和输送被气 化的材料的柔软的配管12 (柔性管等);用于在该配管12的外部加热配管内壁以避免在配 管内输送中气化有机物材料吸附于配管内壁的加热器11 ;用于将由该加热器散发的热量 与周围部遮断的水冷套管10。因为柔软的配管12、加热器11、水冷套管10通过真空用蛇腹管701而与蒸镀室5 内的真空环境分离,因此可使用在一般的大气中使用的构件。蒸发源8为了使有机材料9 气化,而在周围设置加热用加热器17。蒸发头部3、柔软的配管12、蒸发源8的加热温度与期望的有机材料的蒸汽压吻合 而决定。如果以蒸发头部3的加热温度>柔软的配管12的加热温度>蒸发源8的加热温 度的方式设定温度,则能够防止气化的材料甚至在从喷嘴喷出的配管内固化。因为真空用蛇腹管701与702有机械寿命,因此为能够分离的结构以能够定期地 更换。另外,在真空用蛇腹管701与702上也可以使用不锈钢400系等的金属。在蒸镀室5中,具备使发光材料蒸镀在基板1的必要部分上的纯金属掩膜4。并且, 在实施真空蒸镀时,通过未图示的真空排气泵,将蒸镀室5的真空装置内部维持为10_3 10_4pa程度的高真空状态。在与图1的蒸镀室连接的、未图示的腔内设置有基板交接部,因为在该腔中基板 被交接,因此图1的蒸镀室能够总是维持在真空状态。实施例二在实施例一中,在蒸镀室5内,蒸发源8与蒸发头部3之间的柔软的配管7的真空 保持使用真空用蛇腹管701、驱动蒸发头部3的上下移动机构16使用真空用蛇腹管702而 真空遮断。在本实施例中,如图2所示,通过使用不使用真空用蛇腹管701及真空用蛇腹管 702也能够在真空内适用的上下移动机构1601和柔软的配管1201、加热器1101、水冷套管 1001,能够使蒸发头部3在真空装置内部移动。因为不使用真空用蛇腹管,因此能够使蒸镀 室5内部的结构简单化。但是,因为用了较多能够在真空内适用的部件,因此需要考虑这些 部件的机械寿命及费用。实施例三在实施例一中,没有考虑产生杂质时的去除方法。在本实施例中,因为明白在真空 内产生的杂质主要是由加热机构及移动机构部分产生的,因此使用真空用蛇腹管,而将加 热机构及移动机构部分设置于蒸镀室5外的大气侧。因此,在真空内产生的主要的杂质是 由真空用蛇腹管产生的金属粉。通过在该真空用蛇腹管的材质上使用不锈钢400系、耐蚀镍基合金、耐蚀超清净 度不锈钢(7 S々^一> (SUMICLEAN))M等的能够被磁铁吸引的构件,能够利用磁铁吸附产生的金属粉。通过图3说明在本实施例中上述杂质的去除方法。在本实施例中,如图3所示,在基板1与蒸发头部3之间配置用于防止以由蒸发头 部3及真空用蛇腹管701、702产生的金属粉为主的杂质向基板1侧飞散的间壁23及金属 粉吸附用磁铁21、22。其特征在于,因为是在真空中产生金属粉,因此没有必要考虑由蒸发头部3及真 空用蛇腹管701、702产生的金属粉由在大气中产生的气流导致的飞舞等,配置间壁23及金 属粉吸附用磁铁21、22,使在产生金属粉时防止直接飞向基板1侧的粉。通过使用本实施 例,能够降低有机薄膜2的杂质浓度,通过使用上述有机薄膜2,能够提高有机EL装置的寿 命。实施例四图4是根据本发明的气相有机物的蒸镀装置结构的纵剖面模式图。本实施例的特 征在于,在图1的实施例一中说明的结构上,在蒸发源8与蒸发头部3之间的配管上配置阀 门18与压力计19,配置能够计测从蒸发头部3的喷嘴喷出的气化有机材料50的量的膜厚 计25,配置统一地控制这些阀门、压力计、膜厚计、蒸发源温度的装置20。在实施例四中,将膜厚计25与压力计19的信号回馈给控制装置20,通过利用阀门 18的气化材料的流量调整、蒸发源温度的控制,能够以高成膜速度形成均勻的薄膜。另外,因为更换基板1时,不需要喷射有机材料,因此利用控制装置20使压力计19 的值保持恒定来控制阀门18的开关程度的调整及遮断动作与蒸发源温度,由此能够提高 形成于基板1上的薄膜的膜厚均勻性。另外,因为通过利用压力计19控制蒸发源的温度, 能够不对蒸发源内部的有机材料施加过度的热负荷而稳定地蒸发,因此能够抑制有机材料 9的劣化。另外,因为能够降低基板搬运及基板更换时材料的消费,因此能够提高材料利用 效率。在图5中,为了进一步提高材料的利用效率,在蒸镀室内设置基板A30及基板B31, 在蒸镀基板A期间,在基板B侧,实施基板的搬运、更换、与掩膜的位置调整,相反地,在基板 A侧进行基板的搬运、更换、与掩膜的位置调整的情况下,蒸发头部3在喷嘴排列的横方向 移动并实施基板B侧的蒸镀工序,以这种方式极力减小基板的搬运、更换、与掩膜的位置调 整时间、蒸镀停止的时间,从而能够简单地进行蒸发源的控制。通过使用本实施例,使得不对基板进行蒸镀的时间只是基板横向移动的时间。例 如,每一张基板的蒸镀节拍时间是88秒,此时横向移动基板的时间能够设为15秒 16秒。 因此,能够使节拍时间的大部分分配给实际的蒸镀工序,能够大幅地提高生产效率。另外, 对基板保持机构是两个进行了说明,但如果基板保持机构是三个以上,则能够进一步提高 通过量。实施例五图6是根据本发明的气相有机物的蒸镀装置结构的纵剖面模式图。本实施例是在 图4的实施例四中说明的结构中,将蒸发源801、802增设为两个,从而使气化的有机材料的 浓度增加一倍的一个例子。控制方法如实施例四中说明的,通过设置两个该蒸发源,能够使 蒸镀速率增加一倍,因为薄膜能够在短时间内形成,因此能够实现缩短生产节拍时间。在本 实施例中以两个蒸发源进行了说明,但即使使用三个以上的多个蒸发源,也能够实现高蒸镀速率。另外,在上述实施例中,是使蒸发源多数化的例子,但如图7所示,通过设置两个 蒸发头部、配管、蒸发源的系统而同时蒸镀,能够实现高蒸镀速率。如上所述,在本实施例中,在使用相同的材料的情况下,能够提高蒸镀速率。在本 实施例中,对蒸镀复合材料也有大的益处。有机EL的各层多数在主材料中添加微量的掺杂 剂而形成。此时,通过在图6或图7所示的蒸镀源中加入其它材料,可利用各自的蒸发速率 而正确地形成期望的混合比的薄膜材料。在图7的本实施例中,是以两个蒸发头部、配管、 蒸发源的系统进行说明的,但也可以使用三个以上的多个系统、进行多种材料的混合。实施例六图8是根据本发明的气相有机物的蒸镀装置结构的纵剖面模式图。本实施例是在 图6的实施例五说明的结构中,如图8所示,在各蒸发源间、蒸发源出口配置阀门1801 1805、真空泵40的结构。在本实施例中,是在蒸发源801、802中的有机材料9消耗完的情况下,不必使蒸镀 室恢复到大气状态便能够进行材料更换的一个例子。在图8中,蒸发源801与802是串联 地连接,但并联地配置也能够得到相同的效果。实施例七图9及图10是根据本发明的气相有机物的蒸镀装置结构的纵剖面模式图。本实 施例是在图1的实施例一中说明的结构中,蒸发头部3从喷嘴向侧面喷出有机材料的结构。 但是,在基板搬运方法的做法中,有时使基板水平地进行蒸镀。因为使基板的蒸镀面向上或 向下地蒸镀有时会缩短生产节拍时间。使被处理基板的蒸镀面向上的情况是图9,使被处理 基板的蒸镀面向下的情况是图10。因为从蒸发头部3的喷嘴喷出气化了的有机材料,因此蒸发头部3的朝向是哪个 方向都没有问题,但在蒸发源内部的有机材料9朝向侧面的情况下,因为是需要防止材料 的泄露的结构,因此需要注意。另外,在图9或图10中,蒸发头部3可左右移动。实施例八图11是表示有机EL显示器生产工序的一个例子的工序图。在实施例一 七中,只 说明了该生产工序的有机蒸镀的工序。在图11中,分别形成形成了有机层与控制流经有机 层的电流的薄膜晶体管(TFT)的TFT基板与保护有机层不受外部的湿气影响的密封基板, 在封闭工序中进行组合。在图11的TFT基板的制造工序中,对进行了湿洗净的基板进行干洗净。干洗净也 包括利用紫外线照射的洗净的情况。在被干洗净的TFT基板上首先形成TFT。在TFT的上 面形成钝化膜及平整膜,在其上面形成有机EL层的下部电极。下部电极与TFT的漏电极连 接。在将下部电极作为阳极的情况下,例如使用ITOandium Tin Oxide)膜。在下部电极上形成有机EL层。有机EL层由多个层构成。在下部电极为阳极的情 况下,从下面例如是空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层。这种有机 EL层通过蒸镀形成,通过实施例一 实施七中所述的蒸镀装置或蒸镀方法形成。在有机EL层的上面与各像素共同地在β (《夕)膜上形成上部电极。有机EL显 示装置在上部发光的情况下,在上部电极上使用IZO等的透明电极,有机EL显示装置为下 部发光的情况下,使用AI等金属膜。
在图11的密封基板工序中,对进行了湿洗净及干洗净的密封基板,配置有干燥 剂。因为有机EL层若有水分则恶化,因此为了除去内部的水分而使用干燥剂。干燥剂可以 使用多种材料,根据有机EL显示装置是上部发光还是下部发光,干燥剂的配置方法不同, 在上部发光的情况下也有不使用的例子。如此,分别制造的TFT基板和密封基板在密封工序中被组合。用于密封TFT基板 和密封基板的密封材料形成于密封基板。组合密封基板与TFT基板后,对密封部照射紫外 线,使密封部硬化,从而结束密封。另外,在上述的玻璃基板密封工序之外,在密封工序中有 金属罐密封或使用填充材料的固体密封、使用柔软的密封膜的膜密封等。对如此形成的有机EL显示装置进行点亮检查。在点亮检查中,即使在产生黑点、 白点等缺陷的情况下,对于缺陷可修正的也进行修正,从而完成有机EL显示装置。通过本发明,因为能够抑制由异物产生的污染且在短的生产节拍时间内形成由多 个层形成的有机EL层,因此能够降低有机EL显示装置的制造费用和提高成品率。另外,因 为能够正确地控制有机EL层的各层的成分,因此能够制造特性的再现性高且可靠性高的 有机EL显示装置。
权利要求
1.一种真空蒸镀装置,其在内部排气而维持在真空状态的蒸镀室内,具备通过蒸镀而 在以掩膜覆盖表面的被处理基板的表面形成薄膜的真空蒸镀部,具有在维持为真空的环境 中将上述被处理基板在另一真空空间内交接的被处理基板交接部,其特征在于,上述真空蒸镀部具有将通过线状配置的多个喷嘴而蒸发了的材料向上述蒸镀室内喷 出的蒸发头部;设置于上述蒸镀室外且使蒸发材料气化的蒸发源;以利用上述掩膜覆盖上 述被处理基板的状态而将其保持的基板保持部,上述蒸发头部与上述蒸发源以具有蒸镀室内配管与蒸镀室外配管的配管连接,上述蒸 镀室内配管为柔软的配管,具有使上述蒸发头部沿与上述线状配置的多个喷嘴的排列方向垂直的方向扫掠的蒸 发头部移动机构。
2.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,使用真空用蛇腹管真空遮断上述蒸发头部移动机构,能够在大气侧驱动上述配管的加热及冷却机构与移动机构。
3.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,在上述被处理基板与上述蒸发头部之间,配置用于防止由蒸发头部及真空用蛇腹管产 生的杂质向上述被处理基板侧飞散的间壁及金属粉吸附用磁铁。
4.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,在连接上述蒸发源与上述蒸发头部的配管上具有阀门和压力计与能够计测从上述蒸 发头部的喷嘴喷出的有机材料的量的膜厚计,具有使用上述压力计与上述膜厚计的数据, 控制上述阀门的开关及上述蒸发源的温度的单元。
5.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,在上述蒸镀室内,具备两个以上通过蒸镀而在由掩膜覆盖表面的被处理基板的表面形 成薄膜的基板保持部,具有向上下及左右驱动上述蒸发头部的单元。
6.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,具有两个以上上述蒸发源,上述两个以上的蒸发源通过上述配管与上述蒸发头部连接。
7.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,在上述配管上连接有真空排气泵。
8.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,具有多组上述蒸发头部、上述蒸发源及连接上述蒸发头部与上述蒸发源的上述配管的 组合,上述蒸发头部、上述蒸发源及连接上述蒸发头部与上述蒸发源的上述配管的各组合 能够分别地驱动。
9.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,上述被处理基板由上述基板保持部垂直地保持。
10.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,上述被处理基板由上述基板保持部水平地保持。
11.一种真空蒸镀方法,在蒸镀室中、在真空中将蒸镀材料蒸镀到被处理基板上,其特 征在于,将上述蒸镀材料配置于在上述蒸镀室外设置的蒸发源室内,通过加热上述蒸发源室,使上述蒸镀材料蒸发, 在上述蒸发室内配置具有线状排列的多个喷嘴的蒸发头部, 以柔软的配管连接上述蒸发头部与上述蒸发源室,通过使上述蒸发头部沿与上述多个喷嘴的排列方向垂直的方向移动,而将上述蒸镀材 料蒸镀到上述被处理基板上。
12.根据权利要求11所述的真空蒸镀方法,其特征在于,上述柔软的配管包括由不锈钢400系或耐蚀镍基合金或耐蚀超清净度不锈钢 (SUMICLEAN)M形成的蛇腹结构。
13.—种通过密封基板密封形成有薄膜晶体管及有机EL层的TFT基板的有机EL显示 装置的制造方法,其特征在于,将形成有薄膜晶体管的TFT基板配置于蒸镀室内,将用于形成上述有机EL层的蒸镀材料配置于在上述蒸镀室外设置的蒸发源室内, 通过加热上述蒸发源室,使上述蒸镀材料蒸发, 在上述蒸镀室内配置具有线状排列的多个喷嘴的蒸发头部, 以柔软的配管连接上述蒸发头部与上述蒸发源室,通过使上述蒸发头部沿与上述多个喷嘴的排列方向垂直的方向移动,而将上述蒸镀材 料蒸镀到上述被处理基板上,从而形成上述有机EL层。
全文摘要
本发明提供一种在大型基板上高速地形成膜厚均匀且杂质少的薄膜并可长时间连续运转的真空蒸镀装置及成膜装置。将形成了有机EL层的基板(1)垂直地设置于蒸镀室(5)内,在基板(1)上配置用于选择地蒸镀有机EL层的纯金属掩膜(4)。成为有机EL层的材料的蒸发源(8)配置于蒸镀室外。喷嘴线状地配置的蒸发头部(3)与蒸发源(8)由柔软的配管(7)连接。通过使蒸发头部(3)在与喷嘴的配置方向垂直的方向移动,在基板(1)上蒸镀有机EL层。通过以柔软的配管(7)连接蒸发头部(3)与蒸发源(9),可只使蒸发头部(3)移动,能够使装置的结构简单化,另外,能够防止由可动机构产生的杂质引起的有机EL层的污染。
文档编号H01L21/77GK102061445SQ20101053961
公开日2011年5月18日 申请日期2010年11月9日 优先权日2009年11月12日
发明者三宅龙也, 峰川英明, 松浦宏育, 玉腰武司, 石原慎吾 申请人:株式会社日立高新技术
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