专利名称：蒸镀装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造领域，特别涉及一种蒸镀装置。
背景技术：
在半导体制程工艺中，金属镀膜(Metal D印osition)又称物理镀膜 (PhysicalVapor Deposition ;PVD)，依原理分为蒸镇(evaporation)与滅镇(sputtering) 两种。 其中蒸镀就加热方式差异，分为电阻式(thermal coater)与电子枪式(E-gun evaporator)两类机台。前者在原理上较容易，就是直接将准备熔融蒸发的金属以线材方式 挂在加热钨丝上， 一旦受热熔融，因液体表面张力之故，会攀附在加热钨丝上，然后徐徐蒸 着至四周(包含晶圆)。因加热钨丝耐热能力与供金属熔液攀附空间有限，仅用于低熔点的 金属镀着，如铝，且蒸着厚度有限。 电子枪式蒸镀机则是利用电子束进行加热，熔融蒸发的金属膜料放在石墨或钨质 坩埚(crucible)中。待金属蒸气压超过临界限度，也开始徐徐蒸着至四周(包含晶圆)。 电子枪式蒸镀机可蒸着熔点较高的金属，厚度也比较不受限制。 电子枪式蒸镀的膜料一般为钛、镍、银，由于镍(Ni)有磁性，请结合参见图IA及图 1B，在利用电子束加热熔化过程中，容易吸附许多杂质，当电子束扫描到杂质上时，晶体感 应器不能检测到所沉淀的金属，则电子枪的功率会一直上升导致制程功率过大，膜料就会 飞溅出来，呈抛物线状溅到坩埚110的边沿上面，在旋转型多坩埚上装有盖板120可用于防 止膜料之间的交叉污染，由于坩埚110和盖板120之间的间隙较小，飞溅出来的金属会堆积 在坩埚110的边沿上，易导致坩埚110不能转动而卡锅。
实用新型内容本实用新型旨在解决现有技术中由于在电子枪式蒸镀过程中，膜料溅出堆积在坩 埚边上，导致坩埚不能转动而卡锅的问题。 有鉴于此，本实用新型提供一种蒸镀装置，包括多个坩埚，具有坩埚口 ，用于盛放 膜料；第一盖板，具有第一开口大于所述坩埚口 ，设置于所述坩埚上，并与所述坩埚间具有 间隙，防止所述坩埚中膜料的交叉污染；以及第二盖板，设置于所述第一盖板上，具有第二 开口与所述坩埚口匹配。 进一步的，所述坩埚为旋转型多坩埚。 进一步的，所述多个坩埚为4个。 进一步的，所述坩埚的材质石墨或钨质。 进一步的，所述膜料为钛或镍或银。 综上所述，利用本实用新型所提供的蒸镀装置是在坩埚上另加一第二盖板，其开 口与坩埚口匹配，在电子枪式蒸镀制程中，若膜料飞溅，则会溅到该第二盖板之上，不影响 坩埚的正常转动，则制程不会由于溅锅而终止，保证了蒸镀的正常进行。
图1A所示为现有电子枪蒸镀所使用的坩埚的结构示意图； 图IB所示为现有电子枪蒸镀造成坩埚卡锅的示意图； 图2所示为本实用新型一实施例所提供的蒸镀装置的示意图； 图3所示为本本实用新型一实施例所提供的蒸镀用坩埚的俯视图。
具体实施方式为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，给出较佳实施例并结合附图，对本实用 新型作进一步说明。 请参见图2，其所示为本实用新型一实施例所提供的蒸镀装置的俯视图，该蒸镀装 置，包括多个坩埚210，具有坩埚口 211，用于盛放膜料；第一盖板220，具有第一开口 221 大于所述坩埚口 211，设置于所述坩埚210上，并与所述坩埚210间具有间隙，防止所述坩埚 210中膜料的交叉污染；以及第二盖板230，设置于所述第一盖板220上，具有第二开口 231 与所述坩埚口 211匹配。在利用电子束加热熔化过程中，容易吸附许多杂质，当电子束扫描 到杂质上时，晶体感应器不能检测到所沉淀的金属，则电子枪的功率会一直上升导致制程 功率过大，膜料就会飞溅出来，因为加装了第二盖板230，如果膜料飞溅出来，则会溅到该第 二盖板230之上，而不会呈抛物线状溅到坩埚的边沿上面，避免了坩埚因此不能转动而卡 锅的问题。 在本实用新型一实施例中，请参见图3，为了实现多膜料的蒸镀，如钛或镍或银。坩
埚210为旋转型多坩埚，坩埚的个数为4个，但本实用新型不限于此。电子枪蒸镀会产生高
温高热，所以在本实用新型一实施例中，所述坩埚210的材质石墨或钨质。 综上所述，本实用新型所提供的蒸镀装置是在坩埚另加一第二盖板，其开口与坩
埚口匹配，在电子枪式蒸镀制程中，若膜料飞溅，则会溅到该第二盖板之上，不影响坩埚的
正常转动，则制程不会由于溅锅而终止，保证了蒸镀的正常进行。 虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何 熟习此技术者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本实 用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求一种蒸镀装置，其特征在于，包括多个坩埚，具有坩埚口，用于盛放膜料；第一盖板，具有第一开口大于所述坩埚口，设置于所述坩埚上，并与所述坩埚间具有间隙，防止所述坩埚中膜料的交叉污染；以及第二盖板，设置于所述第一盖板上，具有第二开口与所述坩埚口匹配。
2. 根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，其中所述坩埚为旋转型多坩埚。
3. 根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，其中所述多个坩埚为4个。
4. 根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，其中所述坩埚的材质石墨或钨质。
5. 根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，其中所述膜料为钛或镍或银。
专利摘要本实用新型提供一种蒸镀装置，包括多个坩埚，具有坩埚口，用于盛放膜料；第一盖板，具有第一开口大于所述坩埚口，设置于所述坩埚上，并与所述坩埚间具有间隙，防止所述坩埚中膜料的交叉污染；以及第二盖板，设置于所述第一盖板上，具有第二开口与所述坩埚口匹配。该蒸镀装置是在坩埚上另加一第二盖板，其开口与坩埚口匹配，在电子枪式蒸镀制程中，若膜料飞溅，则会溅到该第二盖板之上，不影响坩埚的正常转动，则蒸镀制程不会由于溅锅而终止，保证了蒸镀的正常进行。
文档编号C23C14/56GK201437549SQ200920078370
公开日2010年4月14日 申请日期2009年7月16日 优先权日2009年7月16日
发明者张海波, 李伟, 杨爽, 许峰嘉 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司