真空蒸镀装置以及有机el装置的制造方法_2

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件自然不同。
[0071] 该方式构成为,将多种主成膜材料选择性地向属于相同的蒸发部组的蒸发部投 入,并将多种次成膜材料选择性地向属于其它蒸发部组的蒸发部投入,在所述蒸发部分别 使成膜材料蒸发而在基材上使共蒸镀有机层成膜。因此,能够在优选的条件下释放主成膜 材料和次成膜材料。
[0072] 优选在共蒸镀工序中,在属于单一释放系统的单一蒸发部使主成膜材料蒸发、而 从属于所述释放系统的释放开口释放主成膜材料的蒸气,并在属于与所述释放系统不同的 单一释放系统的单一蒸发部使次成膜材料蒸发、而从属于所述释放系统的释放开口释放次 成膜材料的蒸气。
[0073] 此处次成膜材料是除p型掺杂剂、n型掺杂剂等掺杂剂材料之外还包括形成发光 层的材料的概念。主要是在成膜的层中含有的成分,是含有量比主成膜材料的含有量少的 材料。
[0074] 根据该方式,能够在优选的条件下释放主成膜材料和次成膜材料。
[0075] 优选,所述真空蒸镀装置具备所属的开口组的释放开口的总面积较大的大容量用 释放系统、和所属的开口组的释放开口的总面积比大容量用释放系统的释放开口的总面积 小的小容量用释放系统,所述主成膜材料是在成膜的层中较多含有的成分,次成膜材料是 在成膜的层中含有量比主成膜材料的含有量少的成分,将主成膜材料选择性地投入属于大 容量用释放系统的蒸发部,并将次成膜材料选择性地投入属于小容量用释放系统的蒸发 部。
[0076] 该方式中,由于经由大容量用释放系统释放主成膜材料,并经由小容量用释放系 统释放次成膜材料,所以能够在优选的条件下释放主成膜材料和次成膜材料。
[0077] 优选,所述真空蒸镀装置是具有在成膜室内存在膜厚传感器和膜厚确认用的释放 开口、且歧管部与膜厚确认用的释放开口连通的结构的装置,实施从属于一个以上的释放 系统的释放开口释放主成膜材料、同时从属于另外一个以上的释放系统的释放开口释放次 成膜材料、而形成共蒸镀有机层的共蒸镀工序,且在实施共蒸镀工序时能够检测仅主成膜 材料的成膜状态以及或者仅次成膜材料的成膜状态。
[0078] 根据该方式,在执行共蒸镀时,能够分别独立地确认主成膜材料的释放量、次成膜 材料的释放量。即,由于能够利用属于一个歧管部的膜厚传感器来测量单一成膜材料(主 成膜材料或者次成膜材料)的蒸镀速度,所以能够一边正确地测量共蒸镀有机层的组成一 边蒸镀。
[0079] 优选,所述有机EL装置在2个电极层之间夹持有功能层,该功能层具有多个发光 层,所述多个发光层是在作为所述主成膜材料的主体材料中掺杂作为所述次成膜材料的荧 光材料或者磷光材料而成的,至少2个发光层在所述成膜室内成膜。
[0080] 根据该方式,能够容易地制造具备多个发光层的有机EL装置。
[0081] 根据本发明的真空蒸镀装置以及有机EL装置的制造方法,为了均匀地成膜而能 够释放适当的成膜蒸气释放量。因此,膜的厚度变得均匀。
【附图说明】
[0082] 图1是本发明的实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
[0083] 图2是图1的真空蒸镀装置的蒸发部的示意图。
[0084]图3是示意地表示图1的真空蒸镀装置的歧管部以及成膜材料释放部的立体图。
[0085] 图4是示意地表示与图3相同的歧管部以及成膜材料释放部的立体图,是表示拆 下了构成成膜材料释放部的一部分的板体的状态的立体图。
[0086] 图5是表示分离了图3所示的歧管部以及板体的状态的立体图。
[0087] 图6是图3的歧管部以及成膜材料释放部的剖面立体图。
[0088] 图7是表示在图1的真空蒸镀装置的释放开口设置的节流件的剖视图。
[0089] 图8是图1的歧管部的剖视图。
[0090] 图9是示意地表示图1的真空蒸镀装置中采用的成膜材料释放部的俯视图。
[0091] 图10是图1的真空蒸镀装置中采用的成膜材料释放部的俯视图。
[0092] 图11是图1的真空蒸镀装置中采用的闸门部件的立体图。
[0093] 图12是表示图1的真空蒸镀装置中采用的成膜材料释放部与闸门部件的关系的 俯视图,图12(a)表示在成膜时的状态下敞开了全部的释放开口的状态,图12(b)表示在准 备阶段的状态下关闭了全部的释放开口的状态。
[0094] 图13是本发明的其它实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
[0095] 图14是示意地表示图13的真空蒸镀装置的歧管部以及成膜材料释放部的立体 图。
[0096] 图15是本发明的其它实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
[0097] 图16是本发明的其它实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
[0098] 图17是本发明的其它实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
[0099] 图18是示意地表示使用图1的真空蒸镀装置而能够成膜的有机EL装置的层结构 的剖视图,省略了功能层的剖面线。
[0100] 图19是表示歧管部的变形例的剖视图。
[0101] 图20是表示歧管部的其它变形例的剖视图。
[0102] 图21是一般的有机EL装置的层结构的示意图。
【具体实施方式】
[0103] 以下,参照附图详细地对本发明的第一实施方式的真空蒸镀装置进行说明。
[0104] 本发明的第一实施方式的真空蒸镀装置1如图1所示地具备成膜室2、和使成膜材 料气化而朝向基材释放的一系列的释放回路3。
[0105] 成膜室2具有气密性,且具备减压机构7。减压机构7是用于将成膜室2内的空间 维持为真空状态的设备,是公知的减压泵。
[0106] 此外,此处所说的"真空状态"是指具有1(T3(10的负3次方)Pa以下的真空度的 状态。真空度优选越高越好,即,以压力表示的情况下优选越小越好。
[0107] 本实施方式的具体的真空度为IX 10_3(10的负3次方)?IX 10_9(10的负9次 方)Pa的范围。从防止灰尘等杂质的混入的观点来看,优选为IX 10_5(10的负5次方)? 1X1CT9 (10的负9次方)Pa的范围。
[0108] 此外,若欲将真空度设为比1 X 1(T9(10的负9次方)Pa低,则有达到该真空度的时 间花费过多的担忧。
[0109] 如图1所示,成膜室2具备搬运基板11 (基材)的基板搬运装置12,在成膜室2的 壁面,设有未图示的搬入口和搬出口。
[0110] 基板搬运装置12是搬运基板11 (基材)的装置,具有相对于成膜室2拿出、放入 基板11的功能、在所希望的成膜位置固定基板11的功能。即,基板搬运装置12能够将基 板11搬运至规定的成膜位置、或从成膜室2的外部经由搬入口向成膜室2的内部搬入基板 11、或从成膜室2的内部经由搬出口向成膜室2的外部搬入基板11。
[0111] 在本实施方式中,在成膜室2内存在膜厚传感器27、28、29。
[0112] 如图1所示,释放回路3由蒸发部10a?10j、歧管组6、成膜材料释放部13、以及 闸门部件8构成。
[0113] 此外,闸门部件8实际上在与成膜材料释放部13接近的位置存在,但在图1中,因 作图上的理由而以闸门部件8从成膜材料释放部13远离的方式进行图示。
[0114] 蒸发部l〇a (蒸发部10b?10 j)是如图2所示地使成膜材料16a (成膜材料16b? 16j)蒸发的装置。蒸发部10a(蒸发部10b?10j)分别具备蒸发室21、坩埚22、以及加热 机构23、24。
[0115] 在蒸发室21,存在将固体状或者液体状的成膜材料16a(成膜材料16b?16j)变 换为气体状的成膜蒸气18a (18b?18j)的蒸发空间25。
[0116] 此外,以下的说明中,为了区别成膜材料16a?16j的性状,将成为蒸气的成膜材 料16 (16a?16 j)称作成膜蒸气18 (18a?18 j)。
[0117] 坩埚22是收容所希望的成膜材料16的容器。
[0118] 加热机构23是加热坩埚22的部件,加热机构24是加热蒸发室21整体的部件。加 热机构23、24均使用公知的加热器。
[0119] S卩,在坩埚22的周围,设有加热机构23,利用加热机构23加热成膜材料 16a (16b?16 j),能够使之气化或者升华。另外,在蒸发室21的周围也设有加热机构24,在 成膜时能够维持为比成膜材料16a(16b?16j)的气化温度稍高的温度。
[0120] 成膜材料16 (16a?16 j)是形成后述的有机EL装置100的各层的所希望的材料。
[0121] 成膜材料16的性状可以采用粉体或小丸状的固体、熬炼(half boiling)状的流 动体、或者液体等。即,成膜材料16是液状、粉末状、粒状的物质。此外,在本实施方式中, 使用了粉末状的成膜材料16。
[0122] 蒸发部10被分为多个蒸发器组。本实施方式的真空蒸镀装置1中,10个蒸发部 10a?10 j被分为3个蒸发部组。而且,本实施方式的真空蒸镀装置1中,4个蒸发部10a? l〇d属于第一蒸发部组,3个蒸发部10e?10g属于第二蒸发部组,3个蒸发部10h?10 j属 于第三蒸发部组。
[0123] 接下来,对歧管组6进行说明。本实施方式中,如从图3、图4、图5、图6读出那样, 歧管组6由3个歧管部66、67、68构成。即,歧管组6通过在高度方向上层叠该3个歧管部 66、67、68 而成。
[0124] 如图5所示,构成歧管组6的歧管部66、67、68的外形形状大致形成为长方形,且 具有板状的主体部37、38、39。
[0125] 如图6所示,主体部37、38、39的内部是空洞。S卩,如图6所示,歧管部66、67、68 具有上板70、下板71以及连接它们的周壁72,并在内部存在空洞部73。而且,在各歧管部 66、 67、68的上表面(上板70),设有多个延长管75、76、77。此外,在作图的关系上,延长管 的数量表示为比实际少很多。
[0126] 如图5所示,延长管75、76、77的长度针对各个歧管部66、67、68而不同。
[0127] S卩,在最上部的歧管部66(以下,上部歧管部)设置的延长管75比其它的歧管部 67、 68的延长管76、77都短。
[0128] 在其下的歧管部67(以下,中间歧管部)设置的延长管76具有中等程度的长度。
[0129] 而且,在最下方的歧管部68 (以下,下部歧管部)设置的延长管77与其它的歧管 部66、67的延长管75、76相比最长。
[0130] 各歧管部66、67、68经由所述的延长管75、76、77朝向上方开口。该延长管75、76、 77的开口作为释放开口 80、81、82发挥功能。另外,各歧管部66、67、68所属的释放开口 80、 81、82构成一个开口组。
[0131] 即,附属于上部歧管部66的释放开口 80全部属于第一开口组,附属于中间歧管部 67的释放开口 81全部属于第二开口组,附属于下部歧管部68的释放开口 82全部属于第三 开口组。
[0132] 另外,在各延长管75、76、77的开口端附近,如图6、图7所示地设有节流件85、86、 87。节流件85、86、87的开口面积按照歧管部66、67、68而不同。
[0133] 更加具体地进行说明,在属于第一开口组的释放开口 80设置的节流件85、在属于 第二开口组的释放开口 81设置的节流件86、以及在属于第三开口组的释放开口 82设置的 节流件87的开口径不同。
[0134] 即,如图7所示,在属于第一开口组的释放开口 80设置的节流件85的开口面积较 大。在属于第二开口组的释放开口 81设置的节流件86的开口面积是中等程度。而且,在 属于第三开口组的释放开口 82设置的节流件87的开口面积较小。
[0135] 此外,在本实施方式中,在属于各个开口组的释放开口 80、81、82设置的节流件 85、86、87的开口径以及开口面积相同。
[0136] S卩,在属于第一开口组的释放开口 80设置的节流件85例如均是0. 48平方厘米。 在属于第二开口组的释放开口 81设置的节流件86均是0. 12平方厘米。在属于第三开口 组的释放开口 82设置的节流件87均是0. 03平方厘米。
[0137] 最大的释放开口 80和最小的释放开口 82以最小的释放开口 82为基准而相差16 倍。两者的倍率优选为2倍以上30倍以下。另外,如本实施方式那样,当在释放开口 80、 81、82间设置3个阶段的差异的情况下,各差为2倍至6倍左右是适当的。
[0138] 各开口组的释放开口的总面积相互不同。
[0139] 在各歧管部66、67、68的主体部37、38、39,如图8所示地设有残留蒸气除去机构 15。残留蒸气除去机构15具体地包括清扫用的舱口盖(hatch) 30和后述的加热机构36。
[0140] 舱口盖30如图8所示地通过螺纹件31而与其它的部分接合,通过拆下螺纹件31, 能够从其它的部分分离舱口盖30。
[0141] 并且,在本实施方式中,在各歧管部66、67、68的整个面设有加热机构35、36。艮口, 各歧管部66、67、68的主体部37、38、39在除舱口盖30以外的部分和各延长管75、76、77设 有加热机构35。并且,在舱口盖30,设有其它的加热机构36。
[0142] 加热机构35、36均使用公知的加热器。
[0143] 在本实施方式中,在各歧管部66、67、68的整个面设有加热机构35、36。因此,在成 膜时,能够将各歧管部66、67、68维持为比成膜材料16a(16b?1
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