6j)的气化温度稍高的温 度。
[0144] 并且，在本实施方式中，设于舱口盖30的加热机构36与设于其它部位的加热机构 35独立。而且，如图8所示，设于舱口盖30的加热机构36通过继电器50而接通、断开，设 于其它部位的加热机构35通过继电器51而接通、断开。因此，能够独立地仅使设于舱口盖 30的加热机构36停止。
[0145] 如图6所示，3个歧管部66、67、68中，在上部歧管部66和其下的中间歧管部67， 设有通道管88、89。通道管88、89是通道状地连接各歧管部66、67的上板70和下板71的 部件，不与歧管部66、67内的空洞部73连通。
[0146] 在下部歧管部68不存在通道管。
[0147] 对于通道管88、89的数量而言，如从图5、图6读出那样，上部歧管部66比中间歧 管部67多。即，在上部歧管部66、且在中间歧管部67的通道管89的上部或者上方存在通 道管88,并且在上部歧管部66、且在中间歧管部67的延长管76的上部或者上方也存在通 道管88。
[0148] 如上所述，3个歧管部66、67、68在高度方向上层叠。
[0149] 设于上部歧管部66的延长管75朝向上部突出。
[0150] 并且，设于中间歧管部67的延长管76在上部歧管部66的通道管88通过而在上 部歧管部66上突出。
[0151] 另外，设于下部歧管部68的延长管77在设于中间歧管部67的通道管89和上部 歧管部66的通道管88通过而在上部歧管部66上突出。
[0152] 因此，全部的歧管部66、67、68所属的释放开口 80、81、82处于歧管组6的上侧。并 且，释放开口 80、81、82的高度（延长管75、76、77的前端面的位置）全部相同。
[0153] 如图6所示，成膜材料释放部13由所述的歧管组6的延长管75、76、77的前端部 分和固定该前端部分的板体92构成。在成膜材料释放部13上，且在板体92的上表面，以 具有平面发散的方式分布有与歧管部66、67、68连通的释放开口 80、81、82。
[0154] 从成膜材料释放部13突出的释放开口 80、81、82的布局如图9所示，连接邻接的 释放开口 80、81、82的图形成为紧密地排列正三角形而成的形状。此外，图9中，1、2、3的编 号表示所属的开口组。
[0155] S卩，赋予了编号1的开口是属于第一组的释放开口 80。赋予了编号2的开口是属 于第二组的释放开口 81。赋予了编号3的开口是属于第三组的释放开口 82。
[0156] 因此，在赋予了 1的编号的释放开口 80,设有开口面积较大的节流件85。另外，在 赋予了 2的编号的释放开口 81，设有开口面积为中等程度的节流件86。而且，在赋予了 3 的编号的释放开口 82,设有开口面积较小的节流件87。
[0157] 此外，在作图的关系上，图9所示的释放开口 80、81、82的总数为18个，但实际上 如图10所示地数量相当多，它们以具有平面发散的方式分布。
[0158] 延长管75、76、77的数量也与释放开口 80、81、82的数量的倾向相同。
[0159] 本实施方式中，在属于一个开口组的释放开口 80、81、82的周围，总是存在属于不 同的开口组的释放开口 80、81、82。
[0160] 例如，如图9所示，与属于第一开口组的释放开口 80邻接的释放开口均是属于第 二开口组的释放开口 81或者属于第三开口组的释放开口 82。
[0161] 并且，与属于第二开口组的释放开口 81邻接的释放开口均是属于第一开口组的 释放开口 80或者属于第三开口组的释放开口 82。
[0162] 与属于第三开口组的释放开口 82邻接的释放开口均是属于第一开口组的释放开 口 80或者属于第二开口组的释放开口 81。
[0163] 如从图1、图11读出那样，闸门部件8是在与所述的各释放开口 80、81、82相当的 位置设有开口 93的板体。闸门部件8通过气缸95等动力源而沿水平方向移动。即，闸门 部件8能够相对于各释放开口 80、81、82相对移动。
[0164] 闸门部件8如图12(a)所示地具有能够覆盖成膜材料释放部13的大致整个面的 面积。
[0165] 并且，在闸门部件8,设有未图示的加热机构，在成膜时，闸门部件8维持为比成膜 材料16a(16b?16j)的气化温度稍高的温度。
[0166] 此外，此处所说的"覆盖大致整个面"是指覆盖成膜材料释放部13的主面的90% 以上100%以下的部分。
[0167] 接下来对连接释放回路3的各部件间的连接流路5进行说明。
[0168] 连接流路5如图1所示地具有：向上部歧管部66供给成膜蒸气18a?18d的第一 供给流路32;向中间歧管部67供给成膜蒸气18e?18g的第二供给流路33;向下部歧管部 供给成膜蒸气18h?18 j的第三供给流路34;以及与各蒸发部10a?10 j连接的分支流路 41a ?41 j〇
[0169] 并且，在分支流路41a?41j的中途，设有主开闭阀40a?40j。换言之，在分支流 路41a?41j的成膜蒸气18a?18j的流动方向的中流，存在主开闭阀40a?40j。这样， 在本实施方式中，在每个蒸发部l〇a?10j存在主开闭阀40a?40j。
[0170] 主开闭阀40a?40j是公知的开闭阀，接收控制装置26的命令而能够进行开闭。
[0171] 本实施方式的真空蒸镀装置1具备3个系统的释放系统。
[0172] S卩，在真空蒸镀装置1存在第一释放系统57,该第一释放系统57构成为，属于第 一蒸发部组的蒸发部l〇a?10d和上部歧管部66经由第一供给流路32连接，并且上部歧 管部66和上部歧管部66所附带的第一开口组的释放开口 80连接。此外，在第一释放系统 57设有开口面积较大的节流件85,流路阻力较小。
[0173] 并且在真空蒸镀装置1存在第二释放系统58,该第二释放系统58构成为，第二蒸 发部组的蒸发部l〇e?10g和中间歧管部67经由第二供给流路33连接，中间歧管部67和 中间歧管部67所附带的第二开口组的释放开口 81连接。此外，在第二释放系统58,设有开 口面积为中等程度的节流件86，流路阻力为中等程度。
[0174] 另外在真空蒸镀装置1存在第三释放系统59,该第三释放系统59构成为，第三蒸 发部组的蒸发部l〇h?10j和下部歧管部68经由第三供给流路34连接，下部歧管部68和 下部歧管部68所附带的第三开口组的释放开口 82连接。此外，在第三释放系统59,设有开 口面积较小的节流件87,流路阻力较大。
[0175] 在本实施方式中，各释放系统57、58、59具有数目相同的释放开口 80、81、82。
[0176] 但是，设于各释放开口 80、81、82的节流件85、86、87的开口面积不同。因此，释放 系统57、58、59的节流件85、86、87的总开口面积不同。
[0177] 更具体而言，由于在第一释放系统57安装有开口面积较大的节流件85,所以节流 件85的总开口面积最大，释放开口 80的实际的开口面积最大。
[0178] 由于在第二释放系统58安装有开口面积为中等程度的节流件86,所以节流件86 的总开口面积为中等程度，释放开口 81的实际的开口面积为中等程度。
[0179] 由于在第三释放系统59安装有开口面积较小的节流件87,所以节流件87的总开 口面积最小，释放开口 81的实际的开口面积最小。
[0180] 在连接流路5安装有未图示的加热机构，在成膜时加热为成膜材料16的气化温度 以上。因此，即使在连接流路5内通过气体状的成膜蒸气18,也不会引起状态变化，从而能 够保持气体状态不变地流动至各歧管部66、67、68。因此，能够抑制成膜蒸气18a?18j固 化而使得成膜材料16固定在形成连接流路5的配管的内侧面的情况。
[0181] 真空蒸镀装置1中，如图1所示，上部歧管部66与膜厚确认用的释放开口 46连接， 能够向膜厚传感器27释放成膜材料的蒸气。
[0182] 并且，中间歧管部67与膜厚确认用的释放用开口 47连接，能够向膜厚传感器28 释放成膜材料的蒸气。
[0183] 另外，下部歧管部68与释放用开口 48连接，能够向膜厚传感器29释放成膜材料 的蒸气。
[0184] 而且，真空蒸镀装置1是向控制装置26发送由膜厚传感器27、28、29读取的信息 的构造。
[0185] 膜厚传感器27、28、29是公知的膜厚传感器，能够向控制装置26发送有助于成膜 的膜厚的信息。
[0186] 控制装置26是能够进行主开闭阀40a?40j的开闭控制的装置，能够与膜厚传感 器27、28、29的信息等对应地向主开闭阀40a?40j发送开闭命令。
[0187] 接下来，对成膜室2与释放回路3的位置关系进行说明。
[0188] 本实施方式的真空蒸镀装置1中，释放回路3的大部分在成膜室2外存在。
[0189] 即，本实施方式的真空蒸镀装置1中，如图1所示，3个歧管部66、67、68的主体部 37、38、39全部在成膜室2外设置。
[0190]而且，仅附属于各歧管部66、67、68的延长管75、76、77的前端侧和成膜材料释放 部13在成膜室2内设置。
[0191] 成膜材料释放部13的板体92配置为水平姿势，释放开口 80、81、82均朝向基板11 的方向。
[0192] 并且，膜厚传感器27、28、29在成膜室2内存在，在与基板11相同的真空环境下放 置。
[0193] 并且，如图1所示，基板搬运装置12在从成膜材料释放部13的释放面向释放方向 离开规定的距离的位置配置，闸门部件8在它们之间配置。具体而言，闸门部件8在基板搬 运装置12与成膜材料释放部13之间设置。
[0194] 如上所述，闸门部件8通过气缸95(参照图11)而能够沿水平方向移动。并且，如 上所述，闸门部件8具有能够覆盖成膜材料释放部13的大致整个面的面积，且在与释放开 口 80、81、82相当的位置设有开口 93。因此，若如图12(a)所示地使闸门部件8的开口 93 与成膜材料释放部13的释放开口 80、81、82 -致，则成膜材料释放部13的全部释放开口 80、81、82成为敞开状态。并且，若使气缸95动作而挪开闸门部件8,则如图12(b)所示，闸 门部件8的开口 93从成膜材料释放部13的释放开口 80、81、82偏离，从而成膜材料释放部 13的全部释放开口 80、81、82成为闭塞状态。
[0195] 接下来，对使用本发明的真空蒸镀装置1进行的有机EL装置100(参照图18)的 成膜方法进行说明，在成膜顺序的说明之前，对成膜开始时的真空蒸镀装置1的各部位的 状态进行说明。
[0196] 首先对成膜室2进行说明，成膜室2总是由减压机构7减压，成为超高真空状态。 此处所说的"超高真空状态"是表示真空度为l〇_ 5Pa以下的状态。
[0197] 本实施方式的真空蒸镀装置1中，由于歧管部66、67、68的大部分在成膜室2外存 在，所以成膜室2的容积较小，达到"超高真空状态"所需要的时间比较短。
[0198] 主开闭阀40a?40j均成为关闭状态。另外，在各个蒸发部10a?10j的坩埚22 内填充有所希望的成膜材料16a?16 j。
[0199] 此处在本实施方式中，对于放入坩埚22的成膜材料16a?16j而言，考虑将需要 的膜厚近似的放入相同组的蒸发部l〇a?10j。
[0200] 图1所示的本实施方式中，具有10个蒸发部l〇a?10 j，最大能够释放10种组成 不同的成膜蒸气18a?18j。
[0201] 因此，将10种成膜材料16a?16j放入蒸发部10a?10j的坩埚22,此时研宄基 板11所要求的膜厚。而且，分组为需要的膜厚较厚的成膜材料组（以下，厚膜组）、需要的 膜厚为中间的成膜材料组（以下，中间厚膜组）、以及需要的膜厚较薄的成膜材料组（以下， 薄膜组）。
[0202] 而且，将属于厚膜组的成膜材料16放入第一组的蒸发部10a?10d。并且，将属于 中间厚膜组的成膜材料16放入第二组的蒸发部10e?10g。将属于薄膜组的成膜材料16 放入第三组的蒸发部10h?10j。
[0203] 而且，利用设于坩埚22的周围的加热机构23来加热成膜材料16a (16b?16 j)， 使成膜材料16a(16b?16j)气化或者升华。另外，利用图2所示的设于蒸发室21的周围 的加热机构24,来将蒸发室21内维持为比成膜材料16a(16b?16j)的气化温度稍高的温 度。
[0204] 并且，对未图示的连接流路5的加热机构进行通电，将连接流路5保持为比成膜材 料16a(16b?16j)的气化温度稍高的温度。同样，对设于各歧管部66、67、68的加热机构 35、36(参照图8)进行通电，来对图5所示的舱口盖30、其它的主体部37、38、39以及各延 长管75、76、77进行加热。
[0205] S卩，利用加热机构36将舱口盖30保持为比成膜材料16a(16b?16j)的气化温度 稍高的温度。并且，利用加热机构36来加热主体部37、38、39的其它部分以及各延长管75、 76、77,从而各歧管部66、67、68整体维持为比成膜材料16a(16b?16j)的气化温度稍高的 温度。
[0206] 这样，真空蒸镀装置1利用加热机构来对连接释放开口 80、81、82和蒸发部10的 成膜蒸气18的通过流路进行加热，从而能够防止成膜蒸气18在通过流路上固化。
[0207] 接下