口盖30相同，推荐设置另外的加热机构，优选 在结束成膜后仅使收集空间63的温度降低。
[0315] 以上说明的真空蒸镀装置1具有3个歧管部66、67、68,且该主体部37、38、39全部 在成膜室2外配置。然而本发明不限定于该结构，例如也可以如图15所示的真空蒸镀装置 96那样，在成膜室43内配置上部歧管部66,并在成膜室43外配置其它的歧管部67、68。
[0316] 并且也可以如图16所示的真空蒸镀装置97那样，在成膜室45内配置上部歧管部 66的主体部37和中间歧管部67的主体部38的上部，并在成膜室45外配置中间歧管部67 的主体部38的下部以下。
[0317] 另外也可以如图17所示的真空蒸镀装置90那样，歧管组6全部在成膜室91内。
[0318] 所述的实施方式中，使在属于各个开口组的释放开口 80、81、82设置的节流件85、 86、87的开口径以及开口面积一致，但在开口组内也可以有一些差别。换言之，也可以在属 于各个开口组的释放开口中混有开口面积不同的释放开口。
[0319] 例如，对于在成膜材料释放部13的中央、边部配置的释放开口 80、81、82而言，在 任一个开口组中节流件85、86、87的大小也可以设定为与其它部位不同。
[0320] 并且在所述的实施方式中，在全部释放开口 80、81、82设有节流件85、86、87，但也 可以是没有节流件的释放开口。
[0321] 并且属于任一个释放系统的开口组也可以全部不具有节流件。另外也可以代替节 流件或者除节流件之外，在延长管75、76、77本身设置粗的、细的部分。即，也可以使延长管 75、76、77的内径不同而使实际的开口面积变化。
[0322] 并且在所述的实施方式中，各释放系统57、58、59具有数目相同的释放开口 80、 81、82,但释放开口 80、81、82的数量、分布也可以根据释放系统而不同。
[0323] 例如，也可以赋予如下变化，S卩，属于某配管系统的开口组的释放开口的数量较 多，使之在成膜材料释放部13的全域均衡地分布，属于另一个配管系统的开口组的释放开 口的数量较少，使之分布为成膜材料释放部13的中央侧较密，属于其它另一个配管系统的 开口组的释放开口的数量较多，使之分布为成膜材料释放部13的边部侧较密。
[0324] 主要通过针对各个释放系统而使如下任一个项目不同，能够实现本发明的作用效 果。
[0325] 换言之，通过针对每个释放系统使成膜蒸气的时间内的释放量、释放分布不同，能 够实现本发明的作用效果。
[0326] (1)各释放开口的实际的开口面积。
[0327] (2)释放开口的实际的总开口面积。
[0328] (3)释放开口的分布。
[0329] (4)释放开口的数量。
[0330] (5)释放系统的流路阻力。
[0331]以上说明的实施方式中，具备3个系统的释放系统57、58、59，在各释放系统设有 加热机构23、24、35、36。这些加热机构23、24、35、36均是加热器，仅具备升温功能，但也可 以除此以外还具备冷却功能。
[0332] 例如，也推荐如下结构，S卩，通过如图19所示地在各歧管部66、67、68设有热介质 配管198、如图20所示地设有热介质护套199等的对策，来进行各歧管部66、67、68的温度 调节。在本实施方式中，热介质配管198、热介质护套199成为热介质流路，使高温或者低温 的热介质在该热介质流路通过，能够调节各歧管部66、67、68的温度。
[0333]因此，能够将歧管部66、67、68的温度维持为适于成膜材料的温度。因此，释放气 化温度较高的成膜材料，接着利用相同的释放系统来释放气化温度较低的成膜材料，这样 的情况下，也能够冷却释放系统，从而能够早开始在低温就会气化的成膜材料的蒸镀。即， 能够缩短释放的成膜材料的切换时间。
[0334] 本实施方式的真空蒸镀装置1、62、96、90、97中，按照释放系统57、58、59地改变节 流件85、86、87的大小，并利用释放系统57、58、59使成膜蒸气的释放状态不同。而且，由于 与成膜材料的特性对应地选定释放系统57、58、59，所以能够在优选的成膜条件下使各薄膜 层成膜。因此有难以产生膜的厚度的差别的效果。
[0335] 所述的实施方式中，在共蒸镀工序中，作为通过共蒸镀而成膜的层中所含有的成 分，使用含有量不同的主成膜材料和次成膜材料，但本发明不限定于此，也可以使用含有量 相同的成膜材料。
[0336] 所述的实施方式中，举例表示了使用本发明的真空蒸镀装置来制造从基板侧取出 光的底部放射型有机EL装置的方法，但本发明不限定于此，本发明的真空蒸镀装置也能够 用于从基板的相反侧取出光的上部反射型有机EL装置。
[0337] 附图标记的说明
[0338] 1、62、91、96、97?真空蒸镀装置；2、43、45?成膜室；3?释放回路 ；6?歧管组； 8…闸门部件；10a?10j…蒸发部；11…基板（基材）；13…成膜材料释放部；15、78…残留 蒸气除去机构；16a?16j…成膜材料；18a?18j…成膜蒸气；21…蒸发室；22…;t甘埚；27、 28、29…膜厚传感器；37、38、39…主体部；40a?40j…主开闭阀；46、47、48…膜厚确认用的 释放开口；66、67、68…歧管部；73…空洞部；75、76、77…延长管；80、81、82…释放开口；85、 86、87…节流件；93…开口；100…有机EL装置；105…功能层；198…热介质配管（热介质流 路）；199…热介质护套（热介质流路）。
【主权项】
1. 一种真空蒸锻装置，其具有能够减压且能够设置基材的成膜室、和设有多个向基材 释放成膜材料的蒸气的释放开口的成膜材料释放部，从成膜材料释放部释放成膜材料的蒸 气而在基材上成膜，所述真空蒸锻装置的特征在于， 具备存在多个释放系统的流路结构，在所述释放系统中具有多个使成膜材料蒸发的蒸 发部，并且一个所述释放系统是连接由1个或者多个蒸发部构成的一组的蒸发部组与由多 个释放开口构成的一组的开口组连接而形成的， 所述真空蒸锻装置构成为，在每个所述蒸发部存在主开闭阀，打开该主开闭阀来向成 膜材料释放部导入由蒸发部产生的蒸气，并从成膜材料释放部释放成膜材料的蒸气而在基 材上成膜， 所述蒸发部组是W使各个成膜材料的蒸气在单位时间内的目标释放量近似的成为一 个组的方式选择而成的。
2. 根据权利要求1所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 从蒸发部在释放开口的开口端附近设有节流件，在一个释放系统内配置的节流件的开 口面积基于一定的基准而设定，在其它至少一个释放系统设置的节流件根据不同的基准设 定。
3. 根据权利要求1或2所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 属于各开口组的释放开口的开口面积大致相同。
4. 根据权利要求1或2所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 在属于各开口组的释放开口中混有开口面积不同的释放开口。
5. 根据权利要求1?4中任一项所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 各开口组的释放开口的总面积相互不同。
6. 根据权利要求1?5中任一项所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 与属于一个开口组的释放开口邻接的释放开口均是属于不同的开口组的释放开口。
7. 根据权利要求1?6中任一项所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 具备对释放系统的一部分或者全部进行温度调节的热介质流路。
8. 根据权利要求1?7中任一项所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 在成膜室内存在膜厚传感器和膜厚确认用的释放开口，释放系统与膜厚确认用的释放 开口连通。
9. 根据权利要求1?8中任一项所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 所述释放开口直接或者经由延长管而与歧管部的内部空间连通， 1个或者多个歧管部的一部分或者全部在成膜室外配置。
10. 根据权利要求1?8中任一项所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 所述释放开口直接或者经由延长管而与歧管部的内部空间连通， 1个或者多个歧管部在成膜室外配置， 另外具有在成膜室内配置的膜厚传感器和膜厚确认用的释放开口， 在所述成膜室外配置的歧管部与膜厚确认用的释放开口连通。
11. 根据权利要求1?10中任一项所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 所述释放开口直接或者经由延长管而与歧管部的内部空间连通， 所述歧管部具备残留蒸气除去机构， 在成膜后，该残留蒸气除去机构能够使歧管部的一部分的温度降低而使在歧管部内残 留的成膜材料的蒸气的性状变化。
12. 根据权利要求1?11中任一项所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 具有覆盖成膜材料释放部的全部释放开口的闽口部件， 闽口部件能够相对于所述释放开口相对移动，且具备开口， 闽口部件使闽口部件的开口与所述释放开口 一致而能够使全部释放开口为敞开状态， 另外，闽口部件使闽口部件的开口从所述释放开口偏离，而能够使全部释放开口为闭 塞状态。
13. 根据权利要求1?12中任一项所述的真空蒸锻装置，其特征在于， 对于各个释放系统来说，W下（1)?巧）的项目中的至少一个项目不同： (1) 各释放开口的实际的开口面积； (2) 释放开口的实际的总开口面积； (3) 释放开口的分布； (4) 释放开口的数量； (5) 释放系统的流路阻力。
14. 一种有机化装置的制造方法，其在单一成膜室内进行相对于基材真空蒸锻多个成 膜层的多个蒸锻工序，所述有机化装置的制造方法的特征在于， 进行真空蒸锻的真空蒸锻装置具备存在多个释放系统的流路结构，在所述释放系统中 具有多个使成膜材料蒸发的蒸发部，并且一个所述释放系统是连接由1个或者多个蒸发部 构成的一组的蒸发部组与由多个释放开口构成的一组的开口组而形成的，并在每个所述蒸 发部存在主开闭阀，打开该主开闭阀而向成膜材料释放部导入由蒸发部产生的蒸气，并从 成膜材料释放部释放成膜材料的蒸气而在基材上成膜， 使所述释放开口的开口面积针对各个释放系统而不同，向属于所述蒸发部组的蒸发 部，选择性地投入各个成膜材料的蒸气在单位时间内的目标释放量近似的成膜材料，利用 所述蒸发部使成膜材料蒸发而在基材上成膜，从而进行多个蒸锻工序。
15. -种有机化装置的制造方法，其使用权利要求1至13中任一项所述的真空蒸锻装 置，来实施多次同时释放主成膜材料和次成膜材料而形成共蒸锻有机层的共蒸锻工序，从 而制造含有多个共蒸锻有机层的有机化装置，所述有机化装置的制造方法的特征在于， 将多种主成膜材料选择性地投入属于相同的蒸发部组的蒸发部，并将多种次成膜材料 选择性地投入属于其它的蒸发部组的蒸发部，利用所述蒸发部分别使成膜材料蒸发而在基 材上使共蒸锻有机层成膜。
16. 根据权利要求15所述的有机化装置的制造方法，其特征在于， 在共蒸锻工序中，在属于单一释放系统的单一蒸发部使主成膜材料蒸发、而从属于所 述释放系统的释放开口释放主成膜材料的蒸气，并在属于与所述释放系统不同的单一释放 系统的单一蒸发部使次成膜材料蒸发、而从属于所述释放系统的释放开口释放次成膜材料 的蒸气。
17. 根据权利要求15或16所述的有机化装置的制造方法，其特征在于， 所述真空蒸锻装置具备所属的开口组的释放开口的总面积较大的大容量用释放系统、 和所属的开口组的释放开口的总面积比大容量用释放系统的释放开口的总面积小的小容 量用释放系统， 所述主成膜材料是在成膜的层中较多含有的成分，次成膜材料是在成膜的层中含有量 比主成膜材料的含有量少的成分， 将主成膜材料选择性地投入属于大容量用释放系统的蒸发部，并将次成膜材料选择性 地投入属于小容量用释放系统的蒸发部。
18. 根据权利要求15?17中任一项所述的有机化装置的制造方法，其特征在于， 所述真空蒸锻装置是具有在成膜室内存在膜厚传感器和膜厚确认用的释放开口、且歧 管部与膜厚确认用的释放开口连通的结构的装置，实施从属于一个W上的释放系统的释放 开口释放主成膜材料、同时从属于另外一个W上的释放系统的释放开口释放次成膜材料、 而形成共蒸锻有机层的共蒸锻工序，且在实施共蒸锻工序时能够检测仅主成膜材料的成膜 状态W及或者仅次成膜材料的成膜状态。
19. 根据权利要求15?18中任一项所述的有机化装置的制造方法，其特征在于， 所述有机化装置在2个电极层之间夹持有功能层， 该功能层具有多个发光层，所述多个发光层是在作为所述主成膜材料的主体材料中渗 杂作为所述次成膜材料的巧光材料或者磯光材料而成的， 至少2个发光层在所述成膜室内成膜。
【专利摘要】本发明涉及具备多个蒸发器的真空蒸镀装置，提出蒸发器和成膜材料的优选的组合。具备成膜室(2)和使成膜材料气化而朝向基材释放的一系列的释放回路(3)。释放回路(3)由蒸发部(10a～10j)、歧管组(6)、成膜材料释放部(13)、闸门部件(8)构成。在成膜材料释放部(13)分布有与歧管部(66、67、68)连通的释放开口(80、81、82)。在释放开口(80、81、82)的开口端附近设有节流件(85、86、87)。节流件(85、86、87)的开口面积针对各个歧管部(66、67、68)而不同。考虑将成膜材料(16a～16j)的需要的膜厚近似的放入相同组的蒸发部(10a～10j)。
【IPC分类】H01L51-50, H05B33-10, C23C14-24
【公开号】CN104540975
【申请号】CN201380042666
【发明人】加古修平
【申请人】株式会社钟化
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2013年8月2日
【公告号】EP2883978A1, US20150221897, WO2014027578A1