一种真空蒸镀装置的制作方法

本实用新型涉及显示器件制造领域，尤其涉及一种真空蒸镀装置。

背景技术：

随着人们对半导体器件尤其是显示器件性能要求的提高，显示器件制作工艺的标准也越来越严格，尤其是用于制备显示器件中各材料膜层的蒸镀工艺，直接影响着显示器件各方面的性能。

目前，一般通过在蒸发源周围设置角度板来限定蒸镀材料喷射的方向及区域，当在真空度较高的环境下进行蒸镀时，蒸镀材料从喷嘴出来后在半球的范围内是各向均匀的，角度板上会不可避免的沉积大量的蒸镀材料，当粒径较大的蒸镀材料颗粒与距离较近的角度板接触时，由碰撞产生的作用力导致部分蒸发材料从角度板上掉落，随着蒸镀量的增加，掉落的蒸镀材料也会增多。

从角度板上掉落的蒸镀材料掉落在蒸发源的附近或者喷嘴处，造成喷嘴的堵塞，进而影响真空蒸镀形成膜层的均匀性，大大降低了真空蒸镀装置的蒸镀速率。

技术实现要素：

本实用新型提供一种真空蒸镀装置，以实现提高真空蒸镀形成膜层的均匀性的同时，提高真空蒸镀装置的蒸镀速率。

本实用新型实施例提供了一种真空蒸镀装置，包括：

蒸发源，位于蒸镀基板下方；

角度板，环绕所述蒸发源设置；

所述角度板靠近蒸镀基板的一端面向所述蒸发源弯折；和/或，所述角度板设置有通孔。

进一步地，所述角度板靠近蒸镀基板的一端面向所述蒸发源弯折；

所述角度板临近蒸镀基板的一端面向所述蒸发源弯折部分与垂直于蒸镀基板方向的夹角大于0°，小于或等于90°。

进一步地，所述角度板靠近蒸镀基板的一端面向所述蒸发源弯折；

所述角度板到所述蒸发源的距离与所述角度板靠近蒸镀基板的一端面向所述蒸发源弯折部分与垂直于蒸镀基板方向的夹角正相关。

进一步地，所述蒸发源为线状蒸发源或点状蒸发源。

进一步地，所述蒸发源中的蒸镀材料包括金属材料。

进一步地，所述蒸发源中的蒸镀材料包括镱。

进一步地，所述角度板设置有通孔；所述通孔沿所述角度板环绕方向延伸。

进一步地，所述蒸发源包括加热装置和位于所述加热装置上的至少一个喷嘴。

进一步地，所述角度板设置有通孔；通过所述通孔的蒸镀材料位于所述蒸镀基板以外。

进一步地，所述真空蒸镀装置还包括挡板，位于所述角度板远离所述蒸发源的一侧，与所述通孔相对设置。

本实用新型实施例提供了一种真空蒸镀装置，通过使环绕蒸发源设置的角度板靠近蒸镀基板一端的面向线状蒸发源弯折。相对于现有技术直接在线状蒸发源周围设置角度板导致的沉积在角度板上的大量蒸镀材料掉落并堵塞位于蒸发源喷嘴，使得真空蒸镀形成膜层均匀性差、蒸镀速率大大降低的问题，本实用新型的真空蒸镀装置在蒸镀相同蒸发面积的膜层，设置角度板靠近蒸镀基板一端的面向线状蒸发源弯折，使得角度板到蒸发源的距离增加，即沉积在角度板上材料的掉落位置到蒸发源上喷嘴的距离增加，减少了从角度板上掉落到蒸发源喷嘴的蒸镀材料，进而降低了喷嘴的堵塞率。进一步的，在角度板上设置通孔能够减少角度板上沉积的蒸镀材料，减少了角度板上掉落的蒸镀材料，进而降低了喷嘴的堵塞率。因此，使环绕蒸发源设置的角度板靠近蒸镀基板一端的面向线状蒸发源弯折，或者在角度板上设置通孔，或者使开有通孔的的角度板靠近蒸镀基板的一端面向蒸发源弯折，均解决了角度板上沉积的大量蒸镀材料掉落堵塞位于蒸镀基板下方的蒸发源喷嘴导致的真空蒸镀形成的膜层均匀性差，蒸镀速度慢的问题，提高了真空蒸镀成膜均匀性的同时，提高了真空蒸镀装置的蒸镀速度。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种真空蒸镀装置的剖面结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的另一种真空蒸镀装置的剖面结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的再一种真空蒸镀装置的剖面结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的又一种真空蒸镀装置的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

本实用新型实施例提供了一种真空蒸镀装置，包括蒸发源和角度板，其中，蒸发源位于蒸镀基板下方，角度板环绕蒸发源设置，且角度板靠近蒸镀基板的一端面向蒸发源弯折，和/或角度板设置有通孔。

使用真空蒸镀装置对待蒸镀的材料进行真空蒸镀时，需要在蒸发源的周围设置角度板，通过调整角度板的高度以及角度板与蒸发源的相对位置，控制蒸发源喷射的蒸镀材料在蒸镀基板上形成膜层的面积以及位置。但是随着真空蒸镀过程的进行，蒸镀材料沉积在具有阻挡蒸镀材料作用的角度板上，大量沉积的蒸镀材料长时间会出现掉落并堵塞位于蒸镀基板下方蒸发源喷嘴的情况，且进行真空蒸镀的时间越长，角度板上沉积的蒸镀材料越多，掉落现象越严重。针对该问题，本实用新型实施例可以设置角度板靠近蒸镀基板的一端面向蒸发源弯折，也可以设置角度板上开有通孔，也可以设置开有通孔的角度板靠近蒸镀基板的一端面向蒸发源弯折，且上述三种情况角度板均环绕蒸发源设置，可以作用于蒸发源喷射出的各个方向的蒸镀材料。

本实用新型实施例通过使环绕蒸发源设置的角度板靠近蒸镀基板一端的面向线状蒸发源弯折，和/或在角度板上设置通孔，相对于现有技术直接在线状蒸发源周围设置角度板，蒸镀相同蒸发面积的膜层，角度板靠近蒸镀基板一端的面向线状蒸发源弯折使得角度板到蒸发源的距离增加，减少了从角度板上掉落到蒸发源喷嘴的蒸镀材料，进而降低了喷嘴的堵塞率。在角度板上设置通孔能够减少角度板上沉积的蒸镀材料，减少了角度板上掉落的蒸镀材料，进而降低了喷嘴的堵塞率，因此，使环绕蒸发源设置的角度板靠近蒸镀基板一端的面向线状蒸发源弯折，和/或在角度板上设置通孔，解决了角度板上沉积的大量蒸镀材料掉落堵塞位于蒸镀基板下方的蒸发源喷嘴导致的真空蒸镀形成的膜层均匀性差，蒸镀速度慢的问题，提高了真空蒸镀形成膜层均匀性的同时，提高了真空蒸镀装置的蒸镀速度。

以上是本实用新型的核心思想，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1为本实用新型实施例提供的一种真空蒸镀装置的剖面结构示意图。如图1所示，真空蒸镀装置包括蒸镀基板10，位于蒸镀基板10下方的蒸发源11，环绕蒸发源11设置的角度板12。

其中，角度板12靠近蒸镀基板10的一端面向蒸发源11弯折，示例性的设定角度板12靠近蒸镀基板10的一端面向蒸发源11弯折部分与垂直于蒸镀基板10方向的夹角α₁大于0°，小于90°，即α₁为锐角。

如图1所示，设定角度板12到蒸发源11的距离为L₁，角度板12弯折部分之间的距离为L’，蒸发源11进行真空蒸镀时喷射的蒸镀材料在角度板12弯折部分的作用下形成蒸发角为α₂的扇面，对应在蒸镀基板10上的蒸发面积为S。

可选的，蒸发源11可以为线状蒸发源也可以为点状蒸发源。可选的，蒸发源11可以包括加热装置和位于加热装置上的至少一个喷嘴。示例性的，采用的蒸发源11可以为线状蒸发源，线状蒸发源可以包括加热装置和位于加热装置上的多个喷嘴，蒸镀材料在加热装置加热蒸发或升华为气态的蒸镀材料，经过线状蒸发源加热装置上的喷嘴喷射形成图1中的扇面，线状蒸发源用于真空蒸镀装置，具有成膜均匀性好的优点。采用的蒸发源11也可以为点状蒸发源，点状蒸发源可以包括加热装置和位于加热装置上的一个喷嘴，蒸镀材料在加热装置加热蒸发或升华为气态的蒸镀材料，经过点状蒸发源加热装置上的喷嘴喷射也可以形成图1中的扇面。

可选的，蒸发源11中的蒸镀材料可以包括金属材料。金属材料相对于有机材料密度更大，且经蒸发源11加热形成的颗粒更大，由于有机材料经由蒸发源11加热后形成的颗粒较小，大部分有机材料能够在角度板12上沉积形成膜层，因此角度板12上掉落的有机材料较少，但是由于金属材料颗粒较大，角度板12上掉落的金属材料较多。相对于直接在蒸发源11周围设置不弯折的角度板且蒸发面积相同均为S时，本实用新型实施例将角度板12靠近蒸镀基板10的一端面向蒸发源11弯折，使得角度板12到蒸发源11的距离L₁增加，减少了角度板12上掉落在蒸发源11上的的颗粒较大的金属材料，进而降低了蒸发源11上喷嘴的堵塞率，降低了由于喷嘴堵塞对真空蒸镀装置成膜均匀性的影响。

可选的，蒸发源11中的蒸镀材料可以为金属材料镱。示例性的，使用本实用新型实施例提供的真空蒸镀装置可以制作有机发光显示面板中的膜层，例如有机发光显示面板中的电子传输层或紧邻电子传输层的补偿层均可以在原有材料的基础上掺杂N型杂质离子，例如可以是镱离子，以加强膜层中的电子迁移率，平衡空穴与电子在发光材料层中的复合，提高有机发光显示面板的发光效率。在进行金属材料镱与其他材料的蒸镀时，采用本实用新型实施例提供的真空蒸镀装置进行蒸镀，能够减少角度板12上金属材料镱的掉落，避免金属材料镱堵塞蒸发源11的喷嘴，增加金属材料镱与其他材料共混掺杂膜层的均匀性。

本实用新型实施例通过使环绕蒸发源11设置的角度板12靠近蒸镀基板10一端的面向线状蒸发源11弯折，相对于现有技术直接在线状蒸发源周围设置角度板，大大增加了角度板12到蒸发源11的距离，减少了从角度板上掉落到蒸发源喷嘴的蒸镀材料，进而降低了喷嘴的堵塞率，解决了角度板12上沉积的大量蒸镀材料掉落堵塞位于蒸镀基板10下方的蒸发源11喷嘴导致的真空蒸镀成膜均匀性差，蒸镀速度慢的问题，提高了真空蒸镀成膜均匀性的同时，提高了真空蒸镀装置的蒸镀速度。

图2为本实用新型实施例提供的另一种真空蒸镀装置的剖面结构示意图，如图2所示，示例性的设定角度板12靠近蒸镀基板10的一端面向蒸发源11弯折部分与垂直于蒸镀基板10方向的夹角α₁为90°。

图1中真空蒸镀装置的角度板12靠近蒸镀基板10一端面向蒸发源11弯折部分与垂直于蒸镀基板10方向的夹角α₁为锐角，与图1提供的真空蒸镀装置比较，图2中的α₁增大，相应的，为了在蒸镀基板10上形成相同蒸发面积即S的膜层，即角度板12弯折部分之间的间距L’不变，或蒸发角α₂不变，夹角α₁的增加将导致角度板12到蒸发源11的距离增加，即L₂大于L₁，也就是角度板12到蒸发源11的距离与角度板12靠近蒸镀基板10的一端面向蒸发源11弯折部分与垂直于蒸镀基板10方向的夹角α₁正相关。

需要说明的是，本实用新型实施例在调节角度板12弯折部分与垂直于蒸镀基板10方向的夹角α₁以保证在蒸镀基板10上形成相同蒸发面积即S的膜层时，不限定角度板12弯折部分的长度，示例性的，角度板12弯折部分的长度可以根据实际情况进行调节，以保证角度板12到蒸发源11的距离与角度板12靠近蒸镀基板10的一端面向蒸发源11弯折部分与垂直于蒸镀基板10方向的夹角α₁正相关。

本实用新型实施例提供的真空蒸镀装置，相对于现有技术直接在线状蒸发源周围设置角度板，大大增加了角度板12到蒸发源11的距离，减少了从角度板上掉落到蒸发源喷嘴的蒸镀材料，进而降低了喷嘴的堵塞率，解决了角度板12上沉积的大量蒸镀材料掉落堵塞位于蒸镀基板10下方的蒸发源11喷嘴导致的真空蒸镀成膜均匀性差，蒸镀速度慢的问题，提高了真空蒸镀成膜均匀性的同时，提高了真空蒸镀装置的蒸镀速度。

图3为本实用新型实施例提供的再一种真空蒸镀装置的剖面结构示意图，如图3所示，角度板12上设置有通孔14，且通孔14沿角度板12的环绕方向延伸。

蒸发源11喷射的蒸镀材料在开有通孔14的角度板12的作用下，分别形成蒸发角为α₂、α₃和α₄的扇面，蒸发角为α₂的扇面对应的蒸发材料在蒸镀基板10上形成蒸发面积为S的膜层，为实际产品制造需要的相应膜层。相对现有技术在蒸发源周围直接设置角度板，本实用新型环绕角度板12的延伸方向设置的通孔14大大减少了角度板12上蒸镀材料的沉积量，也就减少了角度板上掉落的蒸镀材料，降低了蒸发源11上喷嘴的堵塞率。

可选的，通过通孔14的蒸镀材料位于蒸镀基板10之外，如图3所示，蒸发角α₃和α₄对应的蒸镀材料即为通过通孔14的蒸镀材料，这部分蒸镀材料位于蒸镀基板10以外，即不会在蒸镀基板10上沉积形成膜层，这样不会影响实际产品制造需要形成的膜层，即蒸发角α₂对应的膜层。

可选的，真空蒸镀装置还可以包括挡板13，挡板13位于角度板12远离蒸发源11的一侧，与通孔14相对设置。通过角度板12上通孔14的蒸镀材料沉积在蒸镀腔室的挡板13上，避免造成蒸发源11喷射的蒸镀材料进入真空蒸镀装置之外的区域，导致蒸镀材料的污染。

本实用新型实施例通过在角度板12上设置环绕角度板12延伸方向的通孔14，减少了蒸镀材料在角度板12上的沉积，减少了蒸发源11喷嘴的堵塞率，解决了角度板上沉积的大量蒸镀材料掉落堵塞位于蒸镀基板下方的蒸发源喷嘴导致的真空蒸镀形成的膜层均匀性差，蒸镀速度慢的问题，提高了真空蒸镀成膜均匀性的同时，提高了真空蒸镀装置的蒸镀速度。

图4为本实用新型实施例提供的又一种真空蒸镀装置的剖面结构示意图。如图4所示，角度板12靠近蒸镀基板10的一端面向蒸发源11弯折，弯折部分与垂直于蒸镀基板10方面的夹角α₁大于0°，小于90°，且角度板12上设置有通孔15，且通孔15沿角度板12的环绕方向延伸。

蒸发源11喷射的蒸镀材料在弯折且开有通孔15的角度板12的作用下分别形成蒸发角为α₂、α₅和α₆的扇面，蒸发角为α₂的扇面对应的蒸镀材料在蒸镀基板10上形成蒸发面积为S的膜层，为实际产品制造需要的相应膜层。

可选的，通过通孔15的蒸镀材料位于蒸镀基板10之外，如图4所示，蒸发角α₅和α₆对应的蒸镀材料即为通过通孔15的蒸镀材料，这部分蒸镀材料不会在蒸镀基板10上沉积膜层，不会影响实际产品制造需要的膜层，即蒸发角α₂对应的膜层。

可选的，真空蒸镀装置还可以包括挡板13，挡板13位于角度板12远离蒸发源11的一侧，与通孔15相对设置。

相对于现有技术在蒸发源11周围直接设置角度板12，形成相同蒸发面积S的膜层，本实用新型实施例提供的真空蒸镀装置中通过使角度板12靠近蒸镀基板10一端面向蒸发源11弯折，使得角度板12到蒸发源11的距离大大增加，减小了角度板12上沉积的蒸镀材料掉落时堵塞蒸发源11喷嘴的概率，提高了真空蒸镀装置成膜均匀性的同时，提高了真空蒸镀装置的蒸镀速率。加之弯折的角度板12上还设置有通孔15，减少了角度板12上蒸镀材料的沉积量，进而减小了角度板12上沉积的蒸镀材料掉落时堵塞蒸发源11喷嘴的概率，提高了真空蒸镀装置成膜均匀性的同时，更进一步地提高了真空蒸镀装置的蒸镀速率。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。